Nouvelles
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LiTaO3 Wafer PIC — Guide d'ondes au tantalate de lithium sur isolant à faible perte pour la photonique non linéaire sur puce
Résumé : Nous avons développé un guide d'ondes au tantalate de lithium à base d'isolant de 1 550 nm avec une perte de 0,28 dB/cm et un facteur de qualité de résonateur en anneau de 1,1 million. L'application de la non-linéarité χ(3) en photonique non linéaire a été étudiée. Les avantages du niobate de lithium...En savoir plus -
XKH-Partage de connaissances-Qu'est-ce que la technologie de découpe de plaquettes ?
La technologie de découpe de tranches, en tant qu'étape critique du processus de fabrication des semi-conducteurs, est directement liée aux performances, au rendement et aux coûts de production des puces. #01 Contexte et importance du découpage en tranches 1.1 Définition du découpage en tranches Le découpage en tranches (également connu sous le nom de scri...En savoir plus -
Tantalate de lithium en couche mince (LTOI) : le prochain matériau vedette pour les modulateurs à grande vitesse ?
Le tantalate de lithium en couche mince (LTOI) apparaît comme une nouvelle force importante dans le domaine de l’optique intégrée. Cette année, plusieurs travaux de haut niveau sur les modulateurs LTOI ont été publiés, avec des tranches LTOI de haute qualité fournies par le professeur Xin Ou de l'Institut de Shanghai...En savoir plus -
Compréhension approfondie du système SPC dans la fabrication de plaquettes
Le SPC (Statistical Process Control) est un outil crucial dans le processus de fabrication des plaquettes, utilisé pour surveiller, contrôler et améliorer la stabilité des différentes étapes de fabrication. 1. Présentation du système SPC SPC est une méthode qui utilise sta...En savoir plus -
Pourquoi l’épitaxie est-elle réalisée sur un substrat wafer ?
La croissance d'une couche supplémentaire d'atomes de silicium sur un substrat de plaquette de silicium présente plusieurs avantages : Dans les procédés silicium CMOS, la croissance épitaxiale (EPI) sur le substrat de plaquette est une étape critique du processus. 1、Amélioration de la qualité des cristaux...En savoir plus -
Principes, processus, méthodes et équipement pour le nettoyage des plaquettes
Le nettoyage humide (Wet Clean) est l'une des étapes critiques des processus de fabrication de semi-conducteurs, visant à éliminer divers contaminants de la surface de la plaquette afin de garantir que les étapes ultérieures du processus puissent être effectuées sur une surface propre. ...En savoir plus -
La relation entre les plans cristallins et l’orientation des cristaux.
Les plans cristallins et l'orientation des cristaux sont deux concepts fondamentaux en cristallographie, étroitement liés à la structure cristalline dans la technologie des circuits intégrés à base de silicium. 1.Définition et propriétés de l'orientation cristalline L'orientation cristalline représente une direction spécifique...En savoir plus -
Quels sont les avantages des procédés Through Glass Via (TGV) et Through Silicon Via, TSV (TSV) par rapport au TGV ?
Les avantages des procédés Through Glass Via (TGV) et Through Silicon Via (TSV) par rapport au TGV sont principalement : (1) d'excellentes caractéristiques électriques haute fréquence. Le matériau en verre est un matériau isolant, la constante diélectrique n'est qu'environ 1/3 de celle du matériau en silicium et le facteur de perte est de 2 à...En savoir plus -
Applications de substrats conducteurs et semi-isolés en carbure de silicium
Le substrat en carbure de silicium est divisé en type semi-isolant et type conducteur. À l'heure actuelle, la spécification principale des produits de substrat en carbure de silicium semi-isolé est de 4 pouces. Dans le secteur conducteur du carbure de silicium...En savoir plus -
Existe-t-il également des différences dans l’application de plaquettes de saphir avec différentes orientations de cristaux ?
Le saphir est un monocristal d'alumine, appartient au système cristallin tripartite, structure hexagonale, sa structure cristalline est composée de trois atomes d'oxygène et de deux atomes d'aluminium en type de liaison covalente, disposés très étroitement, avec une forte chaîne de liaison et une forte énergie de réseau, tandis que son cristal intégré...En savoir plus -
Quelle est la différence entre un substrat conducteur SiC et un substrat semi-isolé ?
Le dispositif en carbure de silicium SiC fait référence au dispositif constitué de carbure de silicium comme matière première. Selon les différentes propriétés de résistance, il est divisé en dispositifs de puissance conducteurs en carbure de silicium et en dispositifs RF semi-isolés en carbure de silicium. Principales formes d'appareil et...En savoir plus -
Un article vous mène à un maître du TGV
Qu’est-ce que TGV ? TGV, (Through-Glass via), une technologie de création de trous traversants sur un substrat de verre. En termes simples, TGV est un immeuble de grande hauteur qui perce, remplit et connecte de haut en bas le verre pour construire des circuits intégrés sur le verre. fl...En savoir plus