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Équipement de découpe laser haute précision pour plaquettes SiC de 8 pouces : la technologie de base pour le futur traitement des plaquettes SiC
Le carbure de silicium (SiC) est non seulement une technologie essentielle pour la défense nationale, mais aussi un matériau essentiel pour les industries mondiales de l'automobile et de l'énergie. Première étape cruciale du traitement des monocristaux de SiC, le découpage des plaquettes détermine directement la qualité de l'amincissement et du polissage ultérieurs.En savoir plus -
Verres AR à guide d'ondes en carbure de silicium de qualité optique : préparation de substrats semi-isolants de haute pureté
Dans le contexte de la révolution de l'IA, les lunettes de réalité augmentée (RA) s'imposent progressivement au grand public. Véritables passerelles entre mondes virtuel et réel, les lunettes de RA se distinguent des appareils de réalité virtuelle (VR) en permettant aux utilisateurs de percevoir à la fois des images projetées numériquement et la lumière ambiante.En savoir plus -
Croissance hétéroépitaxiale de 3C-SiC sur des substrats de silicium avec différentes orientations
1. Introduction Malgré des décennies de recherche, la croissance du 3C-SiC hétéroépitaxial sur substrats de silicium n'a pas encore atteint une qualité cristalline suffisante pour les applications électroniques industrielles. La croissance est généralement réalisée sur des substrats Si(100) ou Si(111), chacun présentant des défis spécifiques : d...En savoir plus -
Céramiques en carbure de silicium vs. carbure de silicium semi-conducteur : le même matériau, deux destins distincts
Le carbure de silicium (SiC) est un composé remarquable que l'on retrouve aussi bien dans l'industrie des semi-conducteurs que dans les produits céramiques avancés. Cela prête souvent à confusion pour les profanes, qui peuvent les confondre avec le même type de produit. En réalité, bien que partageant une composition chimique identique, le SiC présente…En savoir plus -
Progrès dans les technologies de préparation de céramiques en carbure de silicium de haute pureté
Les céramiques en carbure de silicium (SiC) de haute pureté se sont imposées comme des matériaux idéaux pour les composants critiques des industries des semi-conducteurs, de l'aérospatiale et de la chimie, en raison de leur conductivité thermique, de leur stabilité chimique et de leur résistance mécanique exceptionnelles. Face à la demande croissante de matériaux hautes performances et à faible polarité…En savoir plus -
Principes techniques et procédés des plaquettes épitaxiales LED
Le principe de fonctionnement des LED montre clairement que le matériau de la plaquette épitaxiale est le composant principal d'une LED. En effet, des paramètres optoélectroniques clés tels que la longueur d'onde, la luminosité et la tension directe sont largement déterminés par le matériau épitaxial. Technologie et équipement des plaquettes épitaxiales…En savoir plus -
Considérations clés pour la préparation de monocristaux de carbure de silicium de haute qualité
Les principales méthodes de préparation de monocristaux de silicium comprennent : le transport physique en phase vapeur (PVT), la croissance en solution par germination par le haut (TSSG) et le dépôt chimique en phase vapeur à haute température (HT-CVD). Parmi ces méthodes, la méthode PVT est largement adoptée en production industrielle en raison de la simplicité de son équipement et de sa facilité d'utilisation.En savoir plus -
Niobate de lithium sur isolant (LNOI) : un moteur pour l'avancement des circuits photoniques intégrés
Introduction Inspiré par le succès des circuits intégrés électroniques (EIC), le domaine des circuits intégrés photoniques (PIC) évolue depuis sa création en 1969. Cependant, contrairement aux EIC, le développement d'une plate-forme universelle capable de prendre en charge diverses applications photoniques reste ...En savoir plus -
Considérations clés pour la production de monocristaux de carbure de silicium (SiC) de haute qualité
Considérations clés pour la production de monocristaux de carbure de silicium (SiC) de haute qualité Les principales méthodes de croissance de monocristaux de carbure de silicium comprennent le transport physique de vapeur (PVT), la croissance en solution par semis par le haut (TSSG) et la croissance chimique à haute température...En savoir plus -
Technologie de plaquettes épitaxiales LED de nouvelle génération : propulser l'avenir de l'éclairage
Les LED éclairent notre monde, et au cœur de chaque LED haute performance se trouve la plaquette épitaxiale, un composant essentiel qui définit sa luminosité, sa couleur et son efficacité. En maîtrisant la science de la croissance épitaxiale,…En savoir plus -
La fin d'une époque ? La faillite de Wolfspeed remodèle le paysage du SiC.
La faillite de Wolfspeed marque un tournant majeur pour l'industrie des semi-conducteurs SiC. Wolfspeed, leader de longue date de la technologie du carbure de silicium (SiC), a déposé son bilan cette semaine, marquant un tournant majeur dans le paysage mondial des semi-conducteurs SiC. L'entreprise...En savoir plus -
Analyse complète de la formation de contraintes dans le quartz fondu : causes, mécanismes et effets
1. Contrainte thermique lors du refroidissement (cause principale). Le quartz fondu génère des contraintes dans des conditions de température non uniformes. À toute température donnée, la structure atomique du quartz fondu atteint une configuration spatiale relativement optimale. À mesure que la température change, la sp…En savoir plus