Notre entreprise peut actuellement fournir de petites séries de plaquettes SiC de type N de 8 pouces. Pour toute demande d'échantillons, n'hésitez pas à me contacter. Nous disposons de plaquettes d'échantillons prêtes à être expédiées.
Dans le domaine des matériaux semi-conducteurs, l'entreprise a réalisé une avancée majeure dans la recherche et le développement de cristaux de SiC de grande taille. Grâce à l'utilisation de ses propres germes cristallins après plusieurs cycles d'agrandissement de diamètre, l'entreprise a réussi à faire croître des cristaux de SiC de type N de 8 pouces, ce qui résout des problèmes complexes tels que les variations de température, la fissuration cristalline et la distribution des matières premières en phase gazeuse lors de la croissance de cristaux de SiC de 8 pouces. Elle accélère également la croissance de cristaux de SiC de grande taille et la technologie de traitement autonome et contrôlable. L'entreprise a ainsi considérablement renforcé sa compétitivité dans le secteur des substrats monocristallins de SiC. Parallèlement, l'entreprise promeut activement le développement de technologies et de procédés pour la ligne expérimentale de préparation de substrats de carbure de silicium de grande taille, renforce les échanges techniques et la collaboration industrielle en amont et en aval, et collabore avec ses clients pour améliorer constamment les performances de ses produits, favorisant ainsi l'application industrielle des matériaux en carbure de silicium.
| Spécifications du DSP SiC de type N de 8 pouces | |||||
| Nombre | Article | Unité | Production | Recherche | Factice |
| 1. Paramètres | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientation de surface | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Paramètre électrique | |||||
| 2.1 | dopant | -- | azote de type n | azote de type n | azote de type n |
| 2.2 | résistivité | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Paramètre mécanique | |||||
| 3.1 | diamètre | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | épaisseur | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientation de l'encoche | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Profondeur de l'encoche | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3,5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arc | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Chaîne | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra ≤ 0,2 | Ra ≤ 0,2 | Ra ≤ 0,2 |
| 4. Structure | |||||
| 4.1 | densité des microtuyaux | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | teneur en métal | atomes/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | trouble de la personnalité limite | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4,5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Qualité positive | |||||
| 5.1 | devant | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | finition de surface | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | particule | ea/gaufrette | ≤100(taille≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | gratter | ea/gaufrette | ≤5, longueur totale ≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Bord éclats/empreintes/fissures/taches/contamination | -- | Aucun | Aucun | NA |
| 5.6 | Zones de polytype | -- | Aucun | Surface ≤ 10 % | Superficie ≤ 30 % |
| 5.7 | marquage avant | -- | Aucun | Aucun | Aucun |
| 6. Qualité du dos | |||||
| 6.1 | finition arrière | -- | MP à face C | MP à face C | MP à face C |
| 6.2 | gratter | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Bordure des défauts du dos éclats/empreintes | -- | Aucun | Aucun | NA |
| 6.4 | Rugosité du dos | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6,5 | Marquage au dos | -- | Entailler | Entailler | Entailler |
| 7. Bord | |||||
| 7.1 | bord | -- | Chanfreiner | Chanfreiner | Chanfreiner |
| 8. Emballage | |||||
| 8.1 | conditionnement | -- | Epi-ready avec vide conditionnement | Epi-ready avec vide conditionnement | Epi-ready avec vide conditionnement |
| 8.2 | conditionnement | -- | Multi-plaquettes emballage de cassette | Multi-plaquettes emballage de cassette | Multi-plaquettes emballage de cassette |
Date de publication : 18 avril 2023