À l'heure actuelle, notre société peut continuer à fournir un petit lot de plaquettes SiC de type 8 pouces N. Si vous avez besoin d'échantillons, n'hésitez pas à me contacter. Nous avons quelques échantillons de plaquettes prêts à être expédiés.
Dans le domaine des matériaux semi-conducteurs, la société a réalisé une avancée majeure dans la recherche et le développement de cristaux SiC de grande taille. En utilisant ses propres germes de cristaux après plusieurs cycles d'agrandissement du diamètre, la société a réussi à cultiver des cristaux SiC de type N de 8 pouces, ce qui résout des problèmes difficiles tels que le champ de température inégal, la fissuration des cristaux et la distribution des matières premières en phase gazeuse dans le processus de croissance de Cristaux SIC de 8 pouces et accélère la croissance des cristaux SIC de grande taille et de la technologie de traitement autonome et contrôlable. Améliore considérablement la compétitivité de base de l'entreprise dans l'industrie des substrats monocristallins SiC. Dans le même temps, la société promeut activement l'accumulation de technologies et de processus de ligne expérimentale de préparation de substrats en carbure de silicium de grande taille, renforce les échanges techniques et la collaboration industrielle dans les domaines en amont et en aval, et collabore avec les clients pour itérer constamment les performances des produits, et conjointement favorise le rythme de l’application industrielle des matériaux en carbure de silicium.
| Spécifications DSP SiC de type N de 8 pouces | |||||
| Nombre | Article | Unité | Production | Recherche | Factice |
| 1. Paramètres | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientation de la surface | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Paramètre électrique | |||||
| 2.1 | dopant | -- | Azote de type n | Azote de type n | Azote de type n |
| 2.2 | résistivité | ohm · cm | 0,015~0,025 | 0,01 ~ 0,03 | NA |
| 3. Paramètre mécanique | |||||
| 3.1 | diamètre | mm | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 |
| 3.2 | épaisseur | µm | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
| 3.3 | Orientation de l'encoche | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Profondeur d'encoche | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | µm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | µm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arc | µm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Chaîne | µm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Structure | |||||
| 4.1 | densité des microtuyaux | pièce/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | teneur en métal | atomes/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | pièce/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | TPB | pièce/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | pièce/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Qualité positive | |||||
| 5.1 | devant | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | état de surface | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | particule | un/gaufrette | ≤100 (taille≥0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | gratter | un/gaufrette | ≤5, longueur totale≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Bord éclats/empreintes/fissures/taches/contamination | -- | Aucun | Aucun | NA |
| 5.6 | Zones polytypes | -- | Aucun | Superficie ≤10% | Superficie ≤30% |
| 5.7 | marquage frontal | -- | Aucun | Aucun | Aucun |
| 6. Qualité du dos | |||||
| 6.1 | finition arrière | -- | MP face C | MP face C | MP face C |
| 6.2 | gratter | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Bord des défauts arrière chips/retraits | -- | Aucun | Aucun | NA |
| 6.4 | Rugosité du dos | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Marquage au dos | -- | Entailler | Entailler | Entailler |
| 7. Bord | |||||
| 7.1 | bord | -- | Chanfreiner | Chanfreiner | Chanfreiner |
| 8. Forfait | |||||
| 8.1 | conditionnement | -- | Epi-ready avec vide conditionnement | Epi-ready avec vide conditionnement | Epi-ready avec vide conditionnement |
| 8.2 | conditionnement | -- | Multi-plaquette emballage de cassettes | Multi-plaquette emballage de cassettes | Multi-plaquette emballage de cassettes |
Heure de publication : 18 avril 2023