Actuellement, notre société peut continuer à fournir de petits lots de plaquettes SiC de type N de 8 pouces. Si vous souhaitez recevoir des échantillons, n'hésitez pas à me contacter. Nous avons quelques plaquettes d'échantillon prêtes à être expédiées.
Dans le domaine des matériaux semi-conducteurs, l'entreprise a réalisé une avancée majeure dans la recherche et le développement de cristaux de SiC de grande taille. Grâce à l'utilisation de ses propres germes cristallins, après plusieurs cycles d'augmentation de diamètre, elle a réussi à faire croître des cristaux de SiC de type N de 8 pouces. Cette avancée résout des problèmes complexes tels que l'hétérogénéité du champ thermique, la fissuration des cristaux et la distribution des matières premières en phase gazeuse lors de la croissance de cristaux de SiC de cette taille. Elle accélère ainsi la croissance de cristaux de SiC de grande taille et le développement d'une technologie de traitement autonome et contrôlable. Cette technologie renforce considérablement la compétitivité de l'entreprise dans le secteur des substrats monocristallins de SiC. Parallèlement, l'entreprise encourage activement l'accumulation de technologies et de procédés pour sa ligne expérimentale de préparation de substrats en carbure de silicium de grande taille, renforce les échanges techniques et la collaboration industrielle en amont et en aval, et travaille en étroite collaboration avec ses clients pour améliorer continuellement les performances des produits et accélérer conjointement l'application industrielle des matériaux en carbure de silicium.
| Spécifications du processeur DSP SiC de type N de 8 pouces | |||||
| Nombre | Article | Unité | Production | Recherche | Factice |
| 1. Paramètres | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientation de surface | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Paramètre électrique | |||||
| 2.1 | dopant | -- | Azote de type n | Azote de type n | Azote de type n |
| 2.2 | résistivité | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Paramètre mécanique | |||||
| 3.1 | diamètre | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | épaisseur | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientation de l'encoche | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Profondeur de l'encoche | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10 mm*10 mm) | ≤5(10 mm*10 mm) | ≤10 (10 mm * 10 mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arc | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Chaîne | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Structure | |||||
| 4.1 | densité de micropipes | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | teneur en métaux | atomes/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | trouble de la personnalité limite | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Qualité positive | |||||
| 5.1 | devant | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | finition de surface | -- | CMP à face Si | CMP à face Si | CMP à face Si |
| 5.3 | particule | ea/wafer | ≤100 (taille ≥ 0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | gratter | ea/wafer | ≤5, Longueur totale ≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Bord éclats/bosses/fissures/taches/contamination | -- | Aucun | Aucun | NA |
| 5.6 | Zones polytypes | -- | Aucun | Surface ≤10% | Surface ≤30% |
| 5.7 | marquage avant | -- | Aucun | Aucun | Aucun |
| 6. Qualité du dos | |||||
| 6.1 | finition arrière | -- | Député C-face | Député C-face | Député C-face |
| 6.2 | gratter | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Défauts de bord arrière éclats/bosses | -- | Aucun | Aucun | NA |
| 6.4 | Rugosité du dos | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Marquage arrière | -- | Entailler | Entailler | Entailler |
| 7. Bord | |||||
| 7.1 | bord | -- | Chanfreiner | Chanfreiner | Chanfreiner |
| 8. Emballage | |||||
| 8.1 | conditionnement | -- | Epi-ready avec vide conditionnement | Epi-ready avec vide conditionnement | Epi-ready avec vide conditionnement |
| 8.2 | conditionnement | -- | Multi-plaquettes emballage de cassette | Multi-plaquettes emballage de cassette | Multi-plaquettes emballage de cassette |
Date de publication : 18 avril 2023