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Applications des substrats en carbure de silicium conducteurs et semi-isolants
Le substrat en carbure de silicium se divise en deux catégories : semi-isolant et conducteur. Actuellement, la spécification la plus courante pour les substrats semi-isolants en carbure de silicium est de 4 pouces. Quant aux substrats conducteurs en carbure de silicium…En savoir plus -
Existe-t-il également des différences dans l'application des plaquettes de saphir selon l'orientation cristalline ?
Le saphir est un monocristal d'alumine, appartenant au système cristallin tripartite, de structure hexagonale. Sa structure cristalline est composée de trois atomes d'oxygène et de deux atomes d'aluminium liés par covalence, agencés de manière très compacte, avec une forte énergie de réseau et de liaison.En savoir plus -
Quelle est la différence entre un substrat conducteur en SiC et un substrat semi-isolant ?
Un dispositif en carbure de silicium (SiC) est un dispositif fabriqué à partir de carbure de silicium. Selon ses propriétés de résistance, on distingue les dispositifs de puissance conducteurs en carbure de silicium et les dispositifs RF semi-isolés en carbure de silicium. Principales formes de dispositifs et…En savoir plus -
Un article vous guide vers un maître du TGV
Qu'est-ce que le TGV ? Le TGV (Through-Glass via) est une technologie permettant de créer des trous traversants sur un substrat de verre. En termes simples, le TGV est une structure complexe qui perfore, remplit et connecte des éléments verticalement dans le verre afin de réaliser des circuits intégrés sur sa surface.En savoir plus -
Quels sont les indicateurs d'évaluation de la qualité de surface des plaquettes ?
Avec le développement continu de la technologie des semi-conducteurs, dans l'industrie des semi-conducteurs et même dans l'industrie photovoltaïque, les exigences relatives à la qualité de surface du substrat de plaquette ou de la couche épitaxiale sont également très strictes. Quelles sont donc les exigences de qualité ?En savoir plus -
Que savez-vous du processus de croissance des monocristaux de SiC ?
Le carbure de silicium (SiC), matériau semi-conducteur à large bande interdite, joue un rôle de plus en plus important dans les applications scientifiques et technologiques modernes. Il présente une excellente stabilité thermique, une grande tolérance aux champs électriques et une conductivité contrôlée.En savoir plus -
La bataille décisive des substrats SiC domestiques
Ces dernières années, avec la pénétration croissante d'applications en aval telles que les véhicules à énergies nouvelles, la production d'énergie photovoltaïque et le stockage d'énergie, le SiC, en tant que nouveau matériau semi-conducteur, joue un rôle important dans ces domaines.En savoir plus -
MOSFET SiC, 2300 volts.
Le 26, Power Cube Semi a annoncé le développement réussi du premier semi-conducteur MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 2 300 V de Corée du Sud. Comparé aux semi-conducteurs à base de silicium (Si) existants, le SiC supporte des tensions plus élevées, ce qui lui vaut d'être considéré comme une solution prometteuse.En savoir plus -
La reprise du secteur des semi-conducteurs n'est-elle qu'une illusion ?
Entre 2021 et 2022, le marché mondial des semi-conducteurs a connu une croissance rapide, portée par la demande exceptionnelle engendrée par la pandémie de COVID-19. Cependant, cette demande s'est estompée au cours du second semestre 2022, entraînant une chute brutale du marché…En savoir plus -
En 2024, les dépenses d'investissement dans le secteur des semi-conducteurs ont diminué.
Mercredi, le président Biden a annoncé un accord prévoyant l'octroi à Intel d'un financement direct de 8,5 milliards de dollars et de 11 milliards de dollars de prêts au titre de la loi CHIPS et Science Act. Intel utilisera ces fonds pour ses usines de fabrication de semi-conducteurs situées en Arizona, dans l'Ohio, au Nouveau-Mexique et en Oregon. Comme indiqué dans notre article…En savoir plus -
Qu'est-ce qu'une plaquette de SiC ?
Les plaquettes de SiC sont des semi-conducteurs fabriqués à partir de carbure de silicium. Ce matériau, développé en 1893, est idéal pour de nombreuses applications. Il est particulièrement adapté aux diodes Schottky, aux diodes Schottky à barrière de jonction, aux commutateurs et aux transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET).En savoir plus -
Interprétation approfondie du semi-conducteur de troisième génération – le carbure de silicium
Introduction au carbure de silicium Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur composé de carbone et de silicium, idéal pour la fabrication de dispositifs haute température, haute fréquence, haute puissance et haute tension. Comparé aux matériaux traditionnels…En savoir plus