Ces dernières années, avec la pénétration croissante d'applications en aval telles que les véhicules à énergies nouvelles, la production d'énergie photovoltaïque et le stockage d'énergie, le SiC, en tant que nouveau matériau semi-conducteur, joue un rôle important dans ces domaines. Selon le rapport de Yole Intelligence sur le marché du SiC de puissance publié en 2023, la taille du marché mondial des dispositifs SiC de puissance devrait atteindre près de 9 milliards de dollars d'ici 2028, soit une croissance d'environ 31 % par rapport à 2022. Le marché global des semi-conducteurs SiC affiche une croissance soutenue.
Parmi les nombreuses applications commerciales, les véhicules à énergies nouvelles dominent le marché avec 70 % de parts de marché. La Chine est actuellement le premier producteur, consommateur et exportateur mondial de véhicules à énergies nouvelles. Selon le « Nikkei Asian Review », en 2023, grâce à la croissance des véhicules à énergies nouvelles, les exportations automobiles chinoises ont dépassé celles du Japon pour la première fois, faisant de la Chine le premier exportateur automobile mondial.
Face à une demande du marché en plein essor, l'industrie chinoise du SiC s'ouvre à une opportunité de développement cruciale.
Depuis la publication du « Treizième Plan quinquennal » pour l’innovation scientifique et technologique nationale par le Conseil d’État en juillet 2016, le développement des semi-conducteurs de troisième génération a bénéficié d’une attention particulière de la part du gouvernement et a reçu un accueil favorable ainsi qu’un large soutien dans diverses régions. En août 2021, le ministère de l’Industrie et des Technologies de l’information (MIIT) a intégré les semi-conducteurs de troisième génération au « Quatorzième Plan quinquennal » pour le développement de l’innovation scientifique et technologique industrielle, dynamisant ainsi la croissance du marché national du carbure de silicium (SiC).
Portés par la demande du marché et les politiques mises en œuvre, les projets de l'industrie chinoise du carbure de silicium (SiC) se multiplient à un rythme effréné, témoignant d'un développement généralisé. Selon nos statistiques, encore incomplètes, des projets de construction liés au SiC sont actuellement déployés dans au moins 17 villes. Parmi elles, le Jiangsu, Shanghai, le Shandong, le Zhejiang, le Guangdong, le Hunan, le Fujian et d'autres régions sont devenus des pôles importants pour le développement de cette industrie. En particulier, la mise en production du nouveau projet de ReTopTech renforcera davantage l'ensemble de la chaîne de valeur de l'industrie chinoise des semi-conducteurs de troisième génération, notamment dans le Guangdong.
La prochaine étape pour ReTopTech est le substrat SiC de 8 pouces. Bien que les substrats SiC de 6 pouces dominent actuellement le marché, la tendance du secteur s'oriente progressivement vers les substrats de 8 pouces pour des raisons de réduction des coûts. Selon les prévisions de GTAT, le coût des substrats de 8 pouces devrait être inférieur de 20 % à 35 % à celui des substrats de 6 pouces. Actuellement, des fabricants de SiC de renom tels que Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun et Xilinx Integration, tant en Chine qu'à l'international, ont entamé leur transition progressive vers les substrats de 8 pouces.
Dans ce contexte, ReTopTech prévoit de créer un centre de recherche et développement dédié aux technologies de croissance et d'épitaxie de cristaux de grande taille. L'entreprise collaborera avec des laboratoires clés locaux afin de partager instruments et équipements et de mener des recherches sur les matériaux. Par ailleurs, ReTopTech entend renforcer sa coopération en matière d'innovation dans le domaine des technologies de traitement des cristaux avec les principaux fabricants d'équipements et s'engager dans une démarche d'innovation conjointe avec des entreprises leaders du secteur en aval, notamment dans la recherche et le développement de dispositifs et modules automobiles. Ces initiatives visent à rehausser le niveau de la recherche et du développement ainsi que celui de l'industrialisation de la production en Chine dans le domaine des plateformes de substrats de 8 pouces.
Les semi-conducteurs de troisième génération, dont le SiC est le principal représentant, sont universellement reconnus comme l'un des sous-domaines les plus prometteurs de l'industrie des semi-conducteurs. La Chine bénéficie d'une chaîne de valeur complète dans ce domaine, couvrant les équipements, les matériaux, la fabrication et les applications, et possède le potentiel d'établir une compétitivité mondiale.
Date de publication : 8 avril 2024