Lors de l'examen de plaquettes de silicium semi-conductrices ou de substrats composés d'autres matériaux, on rencontre souvent des indicateurs techniques tels que : TTV, BOW, WARP, et éventuellement TIR, STIR, LTV, entre autres. Que représentent ces paramètres ?
TTV — Variation totale d'épaisseur
ARC — Arc
WARP — Warp
TIR — Lecture totale indiquée
STIR — Lecture totale indiquée du site
LTV — Variation locale d'épaisseur
1. Variation totale d'épaisseur (TTV)
La différence entre l'épaisseur maximale et minimale de la plaquette par rapport au plan de référence lorsque la plaquette est fixée et en contact étroit. Elle est généralement exprimée en micromètres (μm), souvent représentée par : ≤15 μm.
2. Arc — ARC
L'écart entre la distance minimale et la distance maximale entre le centre de la surface de la plaquette et le plan de référence lorsque la plaquette est libre (non fixée). Ceci inclut les cas concaves (courbure négative) et convexes (courbure positive). Cet écart est généralement exprimé en micromètres (μm), souvent représenté par : ≤ 40 μm.
3. Warp — WARP
L'écart entre la distance minimale et maximale entre la surface de la plaquette et le plan de référence (généralement la face arrière de la plaquette) lorsque celle-ci est libre (non fixée). Ceci inclut les cas de concavité (déformation négative) et de convexité (déformation positive). Cet écart est généralement exprimé en micromètres (μm), souvent représenté par : ≤ 30 μm.
4. Lecture totale indiquée — TIR
Lorsque la plaquette est fixée et en contact étroit, en utilisant un plan de référence qui minimise la somme des intersections de tous les points dans la zone de qualité ou une région locale spécifiée sur la surface de la plaquette, le TIR est l'écart entre les distances maximales et minimales de la surface de la plaquette à ce plan de référence.
Forte d'une expertise pointue dans les spécifications des matériaux semi-conducteurs (TTV, BOW, WARP et TIR), XKH propose des services de traitement de plaquettes sur mesure et de haute précision, conformes aux normes industrielles les plus exigeantes. Nous fournissons et prenons en charge une large gamme de matériaux haute performance, notamment le saphir, le carbure de silicium (SiC), le silicium, le SOI et le quartz, garantissant une planéité, une épaisseur et une qualité de surface exceptionnelles pour les applications de pointe en optoélectronique, dispositifs de puissance et MEMS. Faites-nous confiance pour des solutions de matériaux fiables et un usinage de précision répondant à vos exigences de conception les plus strictes.
Date de publication : 29 août 2025