Substrat SiC de 12 pouces, type N, grande taille, applications RF hautes performances

Substrat SiC de 12 pouces de type N, grande taille, hautes performances, applications RF (image mise en avant)

Description courte :

Le substrat SiC de 12 pouces représente une avancée majeure dans le domaine des matériaux semi-conducteurs, offrant des avantages considérables pour l'électronique de puissance et les applications haute fréquence. Plus grand format de plaquette de carbure de silicium disponible sur le marché, le substrat SiC de 12 pouces permet des économies d'échelle sans précédent tout en préservant les atouts intrinsèques du matériau : une large bande interdite et des propriétés thermiques exceptionnelles. Comparée aux plaquettes SiC conventionnelles de 6 pouces ou moins, la plateforme de 12 pouces offre plus de 300 % de surface utile supplémentaire par plaquette, augmentant considérablement le rendement des puces et réduisant les coûts de fabrication des dispositifs de puissance. Cette évolution dimensionnelle reflète celle des plaquettes de silicium, chaque augmentation de diamètre ayant entraîné des réductions de coûts et des améliorations de performances significatives. La conductivité thermique supérieure du substrat SiC de 12 pouces (près de trois fois celle du silicium) et sa rigidité diélectrique élevée le rendent particulièrement précieux pour les systèmes de véhicules électriques 800 V de nouvelle génération, où il permet de concevoir des modules de puissance plus compacts et plus efficaces. Dans l'infrastructure 5G, la vitesse de saturation électronique élevée du matériau permet aux dispositifs RF de fonctionner à des fréquences plus élevées avec des pertes réduites. La compatibilité du substrat avec les équipements de fabrication de silicium modifiés facilite également son adoption par les usines existantes, bien qu'une manipulation spécialisée soit nécessaire en raison de l'extrême dureté du SiC (9,5 Mohs). À mesure que les volumes de production augmentent, le substrat SiC de 12 pouces devrait devenir la norme industrielle pour les applications haute puissance, stimulant l'innovation dans les secteurs de l'automobile, des énergies renouvelables et des systèmes de conversion d'énergie industriels.

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Caractéristiques

Paramètres techniques

Spécifications du substrat en carbure de silicium (SiC) de 12 pouces
Grade		Production ZeroMPD Niveau (Niveau Z)	Production standard Niveau (Niveau P)		Niveau factice (Note D)
Diamètre		3 0 0 mm~1305 mm
Épaisseur	4H-N	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
	4H-SI	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
Orientation de la plaquette		Hors axe : 4,0° vers <1120> ±0,5° pour 4H-N, sur axe : <0001> ±0,5° pour 4H-SI
Densité des micropipes	4H-N	≤0,4 cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10 cm-2		≤25cm-2
Résistivité	4H-N	0,015 à 0,024 Ω·cm			0,015 à 0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Orientation à plat primaire		{10-10} ±5,0°
Longueur à plat primaire	4H-N	N / A
	4H-SI	Entailler
Exclusion des bords		3 mm
LTV/TTV/Arc/Déformation		≤5 μm/≤15 μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5 μm/≤15 μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Rugosité		Ra polonais ≤ 1 nm
		CMP Ra ≤ 0,2 nm			Ra ≤ 0,5 nm
Fissures sur les bords causées par une lumière de haute intensité Plaques hexagonales éclairées par une lumière de haute intensité Zones polytypes éclairées par une lumière de haute intensité Inclusions de carbone visuelles Rayures sur la surface du silicone causées par une lumière de haute intensité		Aucun Surface cumulée ≤0,05% Aucun Surface cumulée ≤0,05% Aucun			Longueur cumulée ≤ 20 mm, longueur unitaire ≤ 2 mm Surface cumulée ≤0,1% Surface cumulée ≤ 3 % Surface cumulée ≤3% Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaquette
Éclats de bord par lumière de haute intensité		Aucune dimension ≥ 0,2 mm de largeur et de profondeur n'est autorisée.			7 autorisés, ≤1 mm chacun
(TSD) Déboîtement de la vis de filetage		≤500 cm-2		N / A
(BPD) Luxation du plan de base		≤1000 cm-2		N / A
Contamination de la surface du silicium par la lumière de haute intensité		Aucun
Conditionnement		Cassette multi-plaquettes ou conteneur à plaquette unique
Remarques :
1 Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion du bord. 2Les rayures doivent être vérifiées uniquement sur la face en silicium. 3 Les données sur les dislocations proviennent uniquement de plaquettes gravées au KOH.

Caractéristiques principales

1. Avantage de la grande taille : Le substrat SiC de 12 pouces (substrat en carbure de silicium de 12 pouces) offre une surface de plaquette unique plus grande, permettant de produire plus de puces par plaquette, réduisant ainsi les coûts de fabrication et augmentant le rendement.
2. Matériau haute performance : La résistance aux hautes températures et la rigidité diélectrique élevée du carbure de silicium font du substrat de 12 pouces un matériau idéal pour les applications haute tension et haute fréquence, telles que les onduleurs de véhicules électriques et les systèmes de charge rapide.
3. Compatibilité de traitement : Malgré la dureté élevée et les difficultés de traitement du SiC, le substrat SiC de 12 pouces permet d'obtenir moins de défauts de surface grâce à des techniques de découpe et de polissage optimisées, améliorant ainsi le rendement des dispositifs.
4. Gestion thermique supérieure : Grâce à une meilleure conductivité thermique que les matériaux à base de silicium, le substrat de 12 pouces assure une dissipation thermique efficace dans les dispositifs haute puissance, prolongeant ainsi la durée de vie des équipements.

Principales applications

1. Véhicules électriques : Le substrat SiC de 12 pouces (substrat en carbure de silicium de 12 pouces) est un composant essentiel des systèmes de propulsion électrique de nouvelle génération, permettant des onduleurs à haut rendement qui améliorent l'autonomie et réduisent le temps de charge.

2. Stations de base 5G : Les substrats SiC de grande taille prennent en charge les dispositifs RF haute fréquence, répondant aux exigences des stations de base 5G en matière de puissance élevée et de faibles pertes.

3. Alimentations industrielles : Dans les onduleurs solaires et les réseaux intelligents, le substrat de 12 pouces peut supporter des tensions plus élevées tout en minimisant les pertes d'énergie.

4. Électronique grand public : Les futurs chargeurs rapides et alimentations pour centres de données pourraient adopter des substrats SiC de 12 pouces pour obtenir une taille compacte et une efficacité accrue.

Services de XKH

Nous sommes spécialisés dans les services de traitement personnalisés pour les substrats SiC de 12 pouces (substrats en carbure de silicium de 12 pouces), notamment :
1. Découpe et polissage : Traitement de substrat à faible dommage et à haute planéité adapté aux exigences du client, garantissant des performances stables du dispositif.
2. Support à la croissance épitaxiale : Services de plaquettes épitaxiales de haute qualité pour accélérer la fabrication de puces.
3. Prototypage en petits lots : Soutient la validation R&D pour les institutions de recherche et les entreprises, raccourcissant les cycles de développement.
4. Conseil technique : Solutions complètes, de la sélection des matériaux à l'optimisation des processus, aidant les clients à surmonter les défis liés au traitement du SiC.
Que ce soit pour la production en série ou la personnalisation spécialisée, nos services de substrats SiC de 12 pouces s'adaptent aux besoins de votre projet, favorisant les avancées technologiques.