Substrat en carbure de silicium SiC de 2 pouces, type 6H-N, polissage double face de 0,33 mm x 0,43 mm, conductivité thermique élevée, faible consommation d'énergie

Description courte :

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande interdite présentant une excellente conductivité thermique et une grande stabilité chimique.6H-Nindique que sa structure cristalline est hexagonale (6H), et « N » indique qu’il s’agit d’un matériau semi-conducteur de type N, ce qui est généralement obtenu par dopage à l’azote.
Le substrat en carbure de silicium présente d'excellentes caractéristiques de résistance à la haute pression, aux hautes températures et aux hautes fréquences. Comparé aux produits en silicium, un dispositif fabriqué sur substrat en carbure de silicium permet de réduire les pertes de 80 % et sa taille de 90 %. Dans le domaine des véhicules à énergies nouvelles, le carbure de silicium contribue à alléger ces véhicules, à réduire les pertes et à augmenter leur autonomie. Il est utilisé pour la fabrication d'équipements liés à la 5G, pour la production d'énergie photovoltaïque, pour améliorer le rendement de conversion et pour le transport ferroviaire, grâce à sa résistance aux hautes températures et à la haute pression.

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Caractéristiques

Voici les caractéristiques d'une plaquette de carbure de silicium de 2 pouces

1. Dureté : La dureté Mohs est d'environ 9,2.
2. Structure cristalline : structure en réseau hexagonal.
3. Conductivité thermique élevée : la conductivité thermique du SiC est bien supérieure à celle du silicium, ce qui favorise une dissipation thermique efficace.
4. Large bande interdite : la bande interdite du SiC est d'environ 3,3 eV, ce qui convient aux applications à haute température, haute fréquence et haute puissance.
5. Champ électrique de claquage et mobilité des électrons : Champ électrique de claquage et mobilité des électrons élevés, adaptés aux dispositifs électroniques de puissance efficaces tels que les MOSFET et les IGBT.
6. Stabilité chimique et résistance aux radiations : convient aux environnements difficiles tels que l’aérospatiale et la défense nationale. Excellente résistance chimique aux acides, aux bases et à d’autres solvants chimiques.
7. Haute résistance mécanique : Excellente résistance mécanique dans un environnement à haute température et à haute pression.
Il peut être largement utilisé dans les équipements électroniques haute puissance, haute fréquence et haute température, tels que les photodétecteurs ultraviolets, les onduleurs photovoltaïques, les unités de commande de véhicules électriques, etc.

La plaquette de carbure de silicium de 2 pouces a plusieurs applications.

1. Dispositifs électroniques de puissance : utilisés pour fabriquer des MOSFET de puissance à haut rendement, des IGBT et d'autres dispositifs, largement utilisés dans la conversion de puissance et les véhicules électriques.

2. Dispositifs RF : Dans les équipements de communication, le SiC peut être utilisé dans les amplificateurs haute fréquence et les amplificateurs de puissance RF.

3. Dispositifs photoélectriques : tels que les LED à base de SIC, notamment dans les applications bleues et ultraviolettes.

4. Capteurs : Grâce à sa haute résistance à la température et aux produits chimiques, les substrats SiC peuvent être utilisés pour fabriquer des capteurs haute température et d'autres applications de capteurs.

5. Militaire et aérospatial : grâce à sa résistance aux hautes températures et à ses caractéristiques de haute résistance, il convient à une utilisation dans des environnements extrêmes.

Les principaux domaines d'application du substrat 6H-N type 2 "SIC comprennent les véhicules à énergie nouvelle, les stations de transport et de transformation à haute tension, les appareils électroménagers, les trains à grande vitesse, les moteurs, les onduleurs photovoltaïques, les alimentations à impulsions, etc.

L'épaisseur du XKH est personnalisable selon les besoins du client. Différentes rugosités de surface et traitements de polissage sont disponibles. Différents types de dopage (comme le dopage à l'azote) sont possibles. Le délai de livraison standard est de 2 à 4 semaines, en fonction de la personnalisation. L'utilisation de matériaux d'emballage antistatiques et de mousse antisismique garantit la protection du substrat. Plusieurs options de livraison sont proposées, et les clients peuvent suivre leur colis en temps réel grâce au numéro de suivi fourni. Un support technique et des services de conseil sont également disponibles pour accompagner les clients dans la résolution des problèmes rencontrés lors de l'utilisation du produit.