Plaquette de substrat saphir Al2O3 haute pureté 99,999 % de 4 pouces, diamètre 101,6 × 0,65 mm, longueur du plan primaire

Description courte :

Une plaquette de saphir de 4 pouces (environ 101,6 mm) est une plaquette fabriquée en matériau saphir d'un diamètre de 4 pouces.


Caractéristiques

Description

Les spécifications courantes des plaquettes de saphir de 4 pouces sont présentées ci-dessous :

Épaisseur : L’épaisseur des plaquettes de saphir courantes se situe entre 0,2 mm et 2 mm, et l’épaisseur spécifique peut être personnalisée en fonction des exigences du client.

Bord de placement : Il existe généralement une petite section au bord de la plaquette appelée « bord de placement » qui protège la surface et le bord de la plaquette, et qui est généralement amorphe.

Préparation de surface : Les plaquettes de saphir courantes sont meulées mécaniquement et polies chimico-mécaniquement pour lisser la surface.

Propriétés de surface : La surface des plaquettes de saphir possède généralement de bonnes propriétés optiques, telles qu’une faible réflectivité et un faible indice de réfraction, afin d’améliorer les performances du dispositif.

Applications

● Substrat de croissance pour les composés III-V et II-VI

● Électronique et optoélectronique

● Applications infrarouges

● Circuit intégré silicium sur saphir (SOS)

● Circuit intégré à radiofréquence (RFIC)

Spécification

Article

Plaquettes de saphir de 4 pouces, plan C (0001), 650 µm

Matériaux cristallins

Al2O3 monocristallin de haute pureté (99,999 %)

Grade

Prime, Epi-Ready

Orientation de la surface

Plan C (0001)

Angle de décalage du plan C par rapport à l'axe M : 0,2 ± 0,1°

Diamètre

100,0 mm +/- 0,1 mm

Épaisseur

650 μm +/- 25 μm

Orientation à plat primaire

Plan A (11-20) +/- 0,2°

Longueur à plat primaire

30,0 mm +/- 1,0 mm

Poli sur une seule face

Surface avant

Poli par épitaxie, Ra < 0,2 nm (par AFM)

(SSP)

Surface arrière

Broyage fin, Ra = 0,8 μm à 1,2 μm

Poli double face

Surface avant

Poli par épitaxie, Ra < 0,2 nm (par AFM)

(DSP)

Surface arrière

Poli par épitaxie, Ra < 0,2 nm (par AFM)

TTV

< 20 μm

ARC

< 20 μm

CHAÎNE

< 20 μm

Nettoyage / Emballage

Nettoyage en salle blanche de classe 100 et emballage sous vide,

25 pièces par emballage cassette ou emballage individuel.

Nous possédons une longue expérience dans le secteur du traitement du saphir, tant sur le marché chinois que sur le marché international. N'hésitez pas à nous contacter pour toute demande.

Diagramme détaillé

Longueur plate primaire (1)
Longueur plate primaire (2)
Longueur à plat primaire (3)

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