Plaquette de silicium SiC 4H-N/6H-N, qualité de production de recherche, substrat en carbure de silicium de diamètre 150 mm
Spécifications du substrat en carbure de silicium (SiC) de 6 pouces de diamètre
| Grade | Zéro MPD | Production | Niveau de recherche | Niveau factice |
| Diamètre | 150,0 mm ± 0,25 mm | |||
| Épaisseur | 4H-N | 350 µm ± 25 µm | ||
| 4H-SI | 500 µm ± 25 µm | |||
| Orientation de la plaquette | Sur l'axe : <0001> ±0,5° pour 4H-SI | |||
| Appartement principal | {10-10}±5,0° | |||
| Longueur à plat primaire | 47,5 mm ± 2,5 mm | |||
| Exclusion de bord | 3 mm | |||
| TTV/Arc/Déformation | ≤15 µm/≤40 µm/≤60 µm | |||
| Densité des micropipes | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
| Résistivité 4H-N 4H-Si | 0,015 à 0,028 Ω·cm | |||
| ≥1E5Ω!cm | ||||
| Rugosité | Ra poli ≤ 1 nm Ra CMP ≤ 0,5 nm | |||
| #Fissures dues à une lumière de haute intensité | Aucun | 1 autorisé, ≤ 2 mm | Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unitaire ≤ 2 mm | |
| *Plaques hexagonales sous lumière haute intensité | Surface cumulée ≤1% | Surface cumulée ≤ 2% | Surface cumulée ≤ 5% | |
| *Zones polymorphes sous lumière de haute intensité | Aucun | Surface cumulée ≤ 2% | Surface cumulée ≤ 5% | |
| Rayures dues à une lumière intense | 3 rayures pour une longueur cumulée égale à 1 x diamètre de la plaquette | 5 rayures pour une longueur cumulée égale à 1 x diamètre de la plaquette | 5 rayures pour une longueur cumulée égale à 1 x diamètre de la plaquette | |
| Puce Edge | Aucun | 3 autorisés, ≤ 0,5 mm chacun | 5 autorisés, ≤ 1 mm chacun | |
| Contamination par une lumière de haute intensité | Aucun
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Diagramme détaillé
