Plaquettes épitaxiales 4H-SiC pour MOSFETs ultra-haute tension (100–500 μm, 6 pouces)

Description courte :

La croissance rapide des véhicules électriques, des réseaux intelligents, des systèmes d'énergies renouvelables et des équipements industriels de forte puissance a engendré un besoin urgent de dispositifs semi-conducteurs capables de supporter des tensions et des densités de puissance plus élevées, ainsi qu'une efficacité accrue. Parmi les semi-conducteurs à large bande interdite,carbure de silicium (SiC)Elle se distingue par sa large bande interdite, sa conductivité thermique élevée et son champ électrique critique supérieur.

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Caractéristiques

Diagramme détaillé

Présentation du produit

Notreplaquettes épitaxiales 4H-SiCsont conçus spécifiquement pourapplications MOSFET à très haute tension. Avec des couches épitaxiales allant de100 μm à 500 μm on substrats de 6 pouces (150 mm)Ces plaquettes offrent les zones de dérive étendues requises pour les dispositifs de classe kV, tout en conservant une qualité cristalline et une évolutivité exceptionnelles. Les épaisseurs standard sont de 100 µm, 200 µm et 300 µm, avec possibilité de personnalisation.

Épaisseur de la couche épitaxiale

La couche épitaxiale joue un rôle déterminant dans les performances des MOSFET, notamment en ce qui concerne l'équilibre entretension de claquageetrésistance à l'allumage.

100–200 μmOptimisé pour les MOSFET de moyenne à haute tension, offrant un excellent équilibre entre efficacité de conduction et force de blocage.
200–500 μm: Convient aux dispositifs à très haute tension (10 kV+), permettant de longues zones de dérive pour des caractéristiques de claquage robustes.

Sur toute la gamme,L'uniformité de l'épaisseur est contrôlée à ±2% près.Cette flexibilité garantit la constance d'une plaquette à l'autre et d'un lot à l'autre. Elle permet aux concepteurs d'optimiser les performances des dispositifs pour leurs classes de tension cibles tout en préservant la reproductibilité en production de masse.

Processus de fabrication

Nos plaquettes sont fabriquées à partir deépitaxie CVD (dépôt chimique en phase vapeur) de pointe, ce qui permet un contrôle précis de l'épaisseur, du dopage et de la qualité cristalline, même pour des couches très épaisses.

Épitaxie CVD– Des gaz de haute pureté et des conditions optimisées garantissent des surfaces lisses et de faibles densités de défauts.
Croissance de la couche épaisse– Des procédés de fabrication exclusifs permettent d'atteindre une épaisseur épitaxiale allant jusqu'à500 μmavec une excellente uniformité.
Contrôle du dopage– Concentration réglable entre1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ cm⁻³, avec une uniformité supérieure à ±5%.
Préparation de surface– Les plaquettes subissentPolissage CMPet un contrôle rigoureux, garantissant la compatibilité avec des procédés avancés tels que l'oxydation de la grille, la photolithographie et la métallisation.

Principaux avantages

Capacité à ultra-haute tension– Des couches épitaxiales épaisses (100–500 μm) prennent en charge les conceptions de MOSFET de classe kV.
Qualité cristalline exceptionnelle– De faibles densités de dislocations et de défauts de plan basal garantissent la fiabilité et minimisent les fuites.
Substrats de grande taille (6 pouces)– Prise en charge de la production en grande série, réduction du coût par appareil et compatibilité avec les usines de fabrication.
Propriétés thermiques supérieures– Une conductivité thermique élevée et une large bande interdite permettent un fonctionnement efficace à haute puissance et à haute température.
Paramètres personnalisables– L’épaisseur, le dopage, l’orientation et la finition de surface peuvent être adaptés aux exigences spécifiques.

Spécifications typiques

Paramètre	Spécification
Type de conductivité	Type N (dopé à l'azote)
Résistivité	N'importe lequel
Angle hors axe	4° ± 0,5° (vers [11-20])
Orientation cristalline	(0001) Face Si
Épaisseur	200–300 μm (personnalisable 100–500 μm)
Finition de surface	Face avant : polie CMP (prête pour l'épitaxie) Face arrière : rodée ou polie
TTV	≤ 10 μm
Arc/Distorsion	≤ 20 μm

Domaines d'application

Les plaquettes épitaxiales 4H-SiC sont parfaitement adaptées pourMOSFET dans les systèmes à ultra-haute tension, y compris:

Onduleurs de traction pour véhicules électriques et modules de charge haute tension
Équipements de transmission et de distribution pour réseaux intelligents
Onduleurs d'énergie renouvelable (solaire, éolienne, stockage)
Systèmes d'alimentation et de commutation industriels haute puissance

FAQ

Q1 : Quel est le type de conductivité ?
A1 : Type N, dopé à l’azote — la norme industrielle pour les MOSFET et autres dispositifs de puissance.

Q2 : Quelles épaisseurs épitaxiales sont disponibles ?
A2 : 100–500 µm, avec des options standard à 100 µm, 200 µm et 300 µm. Épaisseurs personnalisées disponibles sur demande.

Q3 : Quelle est l'orientation de la plaquette et l'angle hors axe ?
A3 : (0001) Face Si, avec 4° ± 0,5° hors axe vers la direction [11-20].

À propos de nous

XKH est spécialisée dans le développement, la production et la vente de verres optiques spéciaux et de nouveaux matériaux cristallins de haute technologie. Nos produits sont destinés à l'électronique optique, à l'électronique grand public et au secteur militaire. Nous proposons des composants optiques en saphir, des films de protection pour objectifs de téléphones portables, de la céramique, du LT, du carbure de silicium (SiC), du quartz et des plaquettes de cristal semi-conducteur. Grâce à notre expertise et à nos équipements de pointe, nous excellons dans la transformation de produits non standard, avec pour ambition de devenir une entreprise leader dans le domaine des matériaux optoélectroniques.