Plaquettes de carbure de silicium (SiC) de 6 pouces (150 mm), type 4H-N, pour la production de transistors MOS ou SBD, qualité recherche et prototype.

Plaquettes de carbure de silicium (SiC) de 6 pouces (150 mm) de type 4H-N pour la production de transistors MOS ou SBD (qualité recherche et prototype) - Image mise en avant

Description courte :

Le substrat monocristallin en carbure de silicium de 6 pouces est un matériau haute performance aux excellentes propriétés physico-chimiques. Fabriqué à partir de carbure de silicium monocristallin de haute pureté, il présente une conductivité thermique, une stabilité mécanique et une résistance aux hautes températures supérieures. Ce substrat, réalisé avec précision à partir de matériaux de haute qualité, est devenu le matériau de prédilection pour la fabrication de dispositifs électroniques à haut rendement dans divers domaines.

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Caractéristiques

Domaines d'application

Le substrat monocristallin en carbure de silicium de 6 pouces joue un rôle crucial dans de nombreux secteurs industriels. Premièrement, il est largement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance tels que les transistors de puissance, les circuits intégrés et les modules de puissance. Sa conductivité thermique élevée et sa résistance aux hautes températures permettent une meilleure dissipation de la chaleur, ce qui améliore l'efficacité et la fiabilité. Deuxièmement, les plaquettes de carbure de silicium sont essentielles dans la recherche pour le développement de nouveaux matériaux et dispositifs. De plus, elles trouvent de nombreuses applications dans le domaine de l'optoélectronique, notamment pour la fabrication de LED et de diodes laser.

Spécifications du produit

Le substrat monocristallin en carbure de silicium de 6 pouces (environ 152,4 mm) présente une rugosité de surface Ra < 0,5 nm et une épaisseur de 600 ± 25 μm. Ce substrat peut être personnalisé avec une conductivité de type N ou P, selon les besoins du client. De plus, il offre une stabilité mécanique exceptionnelle, lui permettant de résister à la pression et aux vibrations.

Diamètre		150±2,0 mm (6 pouces)
Épaisseur		350 μm ± 25 μm
Orientation		Sur l'axe : <0001>±0,5°		Hors axe : 4,0° vers 1120±0,5°
Polytype		4H
Résistivité (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Orientation plane principale		{10-10}±5,0°
Longueur du plat primaire (mm)		47,5 mm ± 2,5 mm
Bord		Chanfreiner
TTV/Arc / Warp (euh)		≤15 /≤40 /≤60
Face avant AFM (Si-face)		Ra polonais ≤ 1 nm
		CMP Ra ≤ 0,5 nm
LTV		≤3μm (10 mm * 10 mm)	≤5μm (10 mm * 10 mm)		≤10μm (10 mm * 10 mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Peau d'orange/noyaux/fissures/contamination/taches/stries		Aucun	Aucun		Aucun
retraits		Aucun	Aucun		Aucun

Le substrat monocristallin en carbure de silicium de 6 pouces est un matériau haute performance largement utilisé dans les industries des semi-conducteurs, de la recherche et de l'optoélectronique. Il offre une excellente conductivité thermique, une grande stabilité mécanique et une résistance aux hautes températures, ce qui le rend idéal pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance et la recherche sur de nouveaux matériaux. Nous proposons différentes spécifications et options de personnalisation afin de répondre aux besoins variés de nos clients.Contactez-nous pour plus de détails sur les plaquettes en carbure de silicium !