Plaquette de carbure de silicium SiC de 8 pouces, type 4H-N, épaisseur 0,5 mm, qualité production, qualité recherche, substrat poli sur mesure

Description courte :

Le carbure de silicium (SiC), également appelé carbure de silicium, est un semi-conducteur composé de silicium et de carbone, de formule chimique SiC. Il est utilisé dans les dispositifs électroniques semi-conducteurs fonctionnant à haute température et/ou haute pression. Le SiC est également un composant important des LED, un substrat courant pour la croissance de dispositifs GaN et peut aussi servir de dissipateur thermique pour les LED haute puissance.
Le substrat en carbure de silicium de 8 pouces est un composant essentiel des semi-conducteurs de troisième génération. Il se caractérise par une rigidité diélectrique élevée, une conductivité thermique élevée et une vitesse de saturation électronique élevée, ce qui le rend idéal pour la fabrication de dispositifs électroniques haute température, haute tension et haute puissance. Ses principaux domaines d'application comprennent les véhicules électriques, le transport ferroviaire, le transport et la transformation d'énergie à haute tension, le photovoltaïque, les communications 5G, le stockage d'énergie, l'aérospatiale et les centres de données pour le calcul haute performance en intelligence artificielle.

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Caractéristiques

Les principales caractéristiques du substrat en carbure de silicium de type 4H-N de 8 pouces sont les suivantes :

1. Densité de microtubules : ≤ 0,1/cm² ou moins, par exemple, la densité de microtubules est considérablement réduite à moins de 0,05/cm² dans certains produits.
2. Rapport de forme cristalline : le rapport de forme cristalline 4H-SiC atteint 100 %.
3. Résistivité : 0,014~0,028 Ω·cm, ou plus stable entre 0,015 et 0,025 Ω·cm.
4. Rugosité de surface : CMP Si Face Ra≤0,12nm.
5. Épaisseur : Généralement 500,0±25μm ou 350,0±25μm.
6. Angle de chanfreinage : 25±5° ou 30±5° pour A1/A2 selon l'épaisseur.
7. Densité totale de dislocations : ≤3000/cm².
8. Contamination métallique de surface : ≤1E+11 atomes/cm².
9. Courbure et déformation : ≤ 20 μm et ≤ 2 μm, respectivement.
Ces caractéristiques confèrent aux substrats en carbure de silicium de 8 pouces une valeur applicative importante dans la fabrication de dispositifs électroniques haute température, haute fréquence et haute puissance.

La plaquette de carbure de silicium de 8 pouces a plusieurs applications.

1. Dispositifs de puissance : Les plaquettes de SiC sont largement utilisées dans la fabrication de dispositifs électroniques de puissance tels que les MOSFET de puissance (transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur), les diodes Schottky et les modules d’intégration de puissance. Grâce à la conductivité thermique élevée, à la tension de claquage élevée et à la mobilité électronique élevée du SiC, ces dispositifs permettent une conversion de puissance efficace et performante dans des environnements à haute température, haute tension et haute fréquence.

2. Dispositifs optoélectroniques : les plaquettes de SiC jouent un rôle essentiel dans les dispositifs optoélectroniques, utilisées pour fabriquer des photodétecteurs, des diodes laser, des sources ultraviolettes, etc. Les propriétés optiques et électroniques supérieures du carbure de silicium en font le matériau de choix, notamment dans les applications nécessitant des températures élevées, des fréquences élevées et des niveaux de puissance élevés.

3. Dispositifs radiofréquences (RF) : Les puces SiC sont également utilisées pour fabriquer des dispositifs RF tels que des amplificateurs de puissance RF, des commutateurs haute fréquence, des capteurs RF, etc. La grande stabilité thermique, les caractéristiques haute fréquence et les faibles pertes du SiC en font un matériau idéal pour les applications RF telles que les communications sans fil et les systèmes radar.

4. Électronique haute température : En raison de leur grande stabilité thermique et de leur élasticité thermique, les plaquettes de SiC sont utilisées pour produire des produits électroniques conçus pour fonctionner dans des environnements à haute température, notamment l'électronique de puissance haute température, les capteurs et les contrôleurs.

Les principaux domaines d'application du substrat en carbure de silicium de type 4H-N de 8 pouces comprennent la fabrication de dispositifs électroniques haute température, haute fréquence et haute puissance, notamment dans les secteurs de l'électronique automobile, de l'énergie solaire, de l'énergie éolienne, des locomotives électriques, des serveurs, des appareils électroménagers et des véhicules électriques. De plus, des composants tels que les MOSFET en carbure de silicium et les diodes Schottky ont démontré d'excellentes performances en termes de fréquences de commutation, de résistance aux courts-circuits et d'applications d'onduleurs, favorisant ainsi leur utilisation dans l'électronique de puissance.

L'épaisseur du substrat XKH peut être personnalisée selon les besoins du client. Différents traitements de rugosité et de polissage de surface sont disponibles. Différents types de dopage (comme le dopage à l'azote) sont pris en charge. XKH propose un support technique et des services de conseil pour accompagner ses clients dans la résolution des problèmes rencontrés lors de l'utilisation. Le substrat en carbure de silicium de 8 pouces offre des avantages significatifs en termes de réduction des coûts et d'augmentation de la capacité, permettant de réduire le coût unitaire des puces d'environ 50 % par rapport à un substrat de 6 pouces. De plus, l'épaisseur accrue du substrat de 8 pouces contribue à réduire les écarts géométriques et le gauchissement des bords lors de l'usinage, améliorant ainsi le rendement.