Plaquettes épitaxiales GaN sur SiC personnalisées (100 mm, 150 mm) – Plusieurs options de substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
Caractéristiques
●Épaisseur de la couche épitaxiale: Personnalisable à partir de1,0 µmà3,5 µm, optimisé pour des performances élevées en termes de puissance et de fréquence.
● Options de substrat SiCDisponible avec différents substrats SiC, notamment :
- 4H-N: 4H-SiC dopé à l'azote de haute qualité pour les applications haute fréquence et haute puissance.
- HPSISiC semi-isolant de haute pureté pour les applications nécessitant une isolation électrique.
- 4H/6H-P: Mélange de 4H et de 6H-SiC pour un équilibre entre haute efficacité et fiabilité.
●Dimensions des plaquettes: Disponible en100 mmet150 mmdes diamètres offrant une grande polyvalence en matière de mise à l'échelle et d'intégration des dispositifs.
● Tension de claquage élevéeLa technologie GaN sur SiC offre une tension de claquage élevée, permettant des performances robustes dans les applications à haute puissance.
● Conductivité thermique élevée: La conductivité thermique intrinsèque du SiC (environ 490 W/m·K) assure une excellente dissipation de la chaleur pour les applications à forte consommation d'énergie.
Spécifications techniques
| Paramètre | Valeur |
| Diamètre de la plaquette | 100 mm, 150 mm |
| Épaisseur de la couche épitaxiale | 1,0 µm – 3,5 µm (personnalisable) |
| Types de substrats SiC | 4H-N, HPSI, 4H/6H-P |
| Conductivité thermique du SiC | 490 W/m·K |
| Résistivité du SiC | 4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSISemi-isolant,4H/6H-P: Mixte 4H/6H |
| Épaisseur de la couche de GaN | 1,0 µm – 2,0 µm |
| Concentration de porteurs GaN | 10^18 cm^-3 à 10^19 cm^-3 (personnalisable) |
| Qualité de la surface des plaquettes | Rugosité RMS: < 1 nm |
| Densité de dislocations | < 1 x 10^6 cm^-2 |
| Arc à gaufrette | < 50 µm |
| Planéité de la plaquette | < 5 µm |
| Température maximale de fonctionnement | 400 °C (valeur typique pour les dispositifs GaN sur SiC) |
Applications
●Électronique de puissance :Les plaquettes GaN sur SiC offrent un rendement et une dissipation thermique élevés, ce qui les rend idéales pour les amplificateurs de puissance, les dispositifs de conversion de puissance et les circuits d'onduleurs de puissance utilisés dans les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et les machines industrielles.
●Amplificateurs de puissance RF :L'association du GaN et du SiC est idéale pour les applications RF haute fréquence et haute puissance telles que les télécommunications, les communications par satellite et les systèmes radar.
●Aérospatiale et défense :Ces plaquettes conviennent aux technologies aérospatiales et de défense nécessitant des systèmes électroniques de puissance et de communication haute performance capables de fonctionner dans des conditions difficiles.
● Applications automobiles :Idéal pour les systèmes d'alimentation haute performance des véhicules électriques (VE), des véhicules hybrides (VHE) et des stations de recharge, permettant une conversion et un contrôle efficaces de la puissance.
●Systèmes militaires et radar :Les plaquettes GaN sur SiC sont utilisées dans les systèmes radar pour leur rendement élevé, leur capacité de gestion de la puissance et leurs performances thermiques dans des environnements exigeants.
● Applications des micro-ondes et des ondes millimétriques :Pour les systèmes de communication de nouvelle génération, notamment la 5G, le GaN sur SiC offre des performances optimales dans les gammes de micro-ondes et d'ondes millimétriques de haute puissance.
Questions et réponses
Q1 : Quels sont les avantages de l'utilisation du SiC comme substrat pour le GaN ?
A1 :Le carbure de silicium (SiC) offre une conductivité thermique supérieure, une tension de claquage élevée et une résistance mécanique accrue par rapport aux substrats traditionnels comme le silicium. De ce fait, les plaquettes GaN sur SiC sont idéales pour les applications haute puissance, haute fréquence et haute température. Le substrat en SiC contribue à dissiper la chaleur générée par les dispositifs GaN, améliorant ainsi leur fiabilité et leurs performances.
Q2 : L'épaisseur de la couche épitaxiale peut-elle être personnalisée pour des applications spécifiques ?
A2 :Oui, l'épaisseur de la couche épitaxiale peut être personnalisée dans une plage de1,0 µm à 3,5 µmEn fonction des exigences de puissance et de fréquence de votre application, nous pouvons adapter l'épaisseur de la couche de GaN afin d'optimiser les performances de dispositifs spécifiques tels que les amplificateurs de puissance, les systèmes RF ou les circuits haute fréquence.
Q3 : Quelle est la différence entre les substrats SiC 4H-N, HPSI et 4H/6H-P ?
A3 :
- 4H-NLe 4H-SiC dopé à l'azote est couramment utilisé pour les applications à haute fréquence qui nécessitent des performances électroniques élevées.
- HPSILe SiC semi-isolant de haute pureté assure une isolation électrique, idéale pour les applications nécessitant une conductivité électrique minimale.
- 4H/6H-P: Un mélange de 4H et de 6H-SiC qui équilibre les performances, offrant une combinaison de haute efficacité et de robustesse, adaptée à diverses applications d'électronique de puissance.
Q4 : Ces plaquettes GaN sur SiC sont-elles adaptées aux applications haute puissance comme les véhicules électriques et les énergies renouvelables ?
A4 :Oui, les plaquettes GaN sur SiC sont parfaitement adaptées aux applications haute puissance telles que les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les systèmes industriels. Leur tension de claquage élevée, leur conductivité thermique élevée et leur capacité de gestion de la puissance leur permettent de fonctionner efficacement dans les circuits de conversion et de commande de puissance exigeants.
Q5 : Quelle est la densité typique de dislocations pour ces plaquettes ?
A5 :La densité de dislocations de ces plaquettes GaN sur SiC est typiquement< 1 x 10^6 cm^-2, ce qui garantit une croissance épitaxiale de haute qualité, minimisant les défauts et améliorant les performances et la fiabilité du dispositif.
Q6 : Puis-je demander une taille de plaquette spécifique ou un type de substrat SiC ?
A6 :Oui, nous proposons des plaquettes de 100 mm et 150 mm et des substrats SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) sur mesure afin de répondre aux besoins spécifiques de votre application. N'hésitez pas à nous contacter pour découvrir nos autres options de personnalisation et discuter de vos exigences.
Q7 : Comment les plaquettes GaN sur SiC se comportent-elles dans des environnements extrêmes ?
A7 :Les plaquettes GaN sur SiC sont idéales pour les environnements extrêmes grâce à leur grande stabilité thermique, leur capacité à gérer une puissance élevée et leurs excellentes propriétés de dissipation thermique. Ces plaquettes offrent des performances optimales dans les conditions de haute température, de haute puissance et de haute fréquence fréquemment rencontrées dans les secteurs de l'aérospatiale, de la défense et de l'industrie.
Conclusion
Nos plaquettes épitaxiales GaN sur SiC personnalisées combinent les propriétés avancées du GaN et du SiC pour offrir des performances supérieures dans les applications haute puissance et haute fréquence. Grâce à un large choix de substrats SiC et à des couches épitaxiales personnalisables, ces plaquettes sont idéales pour les industries exigeant un rendement élevé, une gestion thermique optimisée et une grande fiabilité. Que ce soit pour l'électronique de puissance, les systèmes RF ou les applications de défense, nos plaquettes GaN sur SiC vous offrent les performances et la flexibilité dont vous avez besoin.
Diagramme détaillé
