Substrat SiC 4H-N 6 pouces de 150 mm de diamètre, qualité production et test

Description courte :

Le carbure de silicium (SiC) est un composé binaire du groupe IV, le seul composé solide stable de ce groupe du tableau périodique, et un matériau semi-conducteur important. Doté d'excellentes propriétés thermiques, mécaniques, chimiques et électriques, il est non seulement un matériau de haute qualité pour la fabrication de dispositifs électroniques haute température, haute fréquence et haute puissance, mais il peut également servir de substrat pour les diodes électroluminescentes bleues à base de GaN. Actuellement, le carbure de silicium utilisé comme substrat est de type 4H ; il existe deux types conducteurs : semi-isolant (non dopé, dopé) et de type N.


Caractéristiques

Les principales caractéristiques des plaquettes MOSFET en carbure de silicium de 6 pouces sont les suivantes ;

Résistance aux hautes tensions : Le carbure de silicium possède un champ électrique de claquage élevé, ce qui confère aux plaquettes MOSFET en carbure de silicium de 6 pouces une capacité de résistance aux hautes tensions, les rendant adaptées aux applications haute tension.

Densité de courant élevée : le carbure de silicium possède une grande mobilité électronique, ce qui confère aux plaquettes MOSFET en carbure de silicium de 6 pouces une densité de courant plus élevée leur permettant de supporter un courant plus important.

Fréquence de fonctionnement élevée : le carbure de silicium possède une faible mobilité des porteurs, ce qui confère aux plaquettes MOSFET en carbure de silicium de 6 pouces une fréquence de fonctionnement élevée, adaptée aux applications à haute fréquence.

Bonne stabilité thermique : le carbure de silicium possède une conductivité thermique élevée, ce qui permet aux plaquettes MOSFET en carbure de silicium de 6 pouces de conserver de bonnes performances dans des environnements à haute température.

Les plaquettes MOSFET en carbure de silicium de 6 pouces sont largement utilisées dans les domaines suivants : électronique de puissance, y compris les transformateurs, les redresseurs, les onduleurs, les amplificateurs de puissance, etc., tels que les onduleurs solaires, la recharge des véhicules à énergies nouvelles, le transport ferroviaire, les compresseurs d'air à grande vitesse dans les piles à combustible, les convertisseurs CC-CC (DCDC), les entraînements de moteurs de véhicules électriques et les tendances de numérisation dans le domaine des centres de données et d'autres domaines avec un large éventail d'applications.

Nous proposons des substrats SiC 4H-N de 6 pouces, ainsi que des plaquettes de substrat de différentes qualités. Nous pouvons également réaliser des solutions sur mesure selon vos besoins. N'hésitez pas à nous contacter !

Diagramme détaillé

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