Substrat de plaquette épitaxiale de haute puissance GaAs, plaquette d'arséniure de gallium, longueur d'onde laser de 905 nm pour le traitement médical au laser
Les principales caractéristiques de la feuille épitaxiale laser GaAs sont les suivantes :
1. Mobilité électronique élevée : L'arséniure de gallium possède une mobilité électronique élevée, ce qui confère aux plaquettes épitaxiales laser GaAs de bonnes applications dans les dispositifs à haute fréquence et les dispositifs électroniques à grande vitesse.
2. Luminescence de transition à bande interdite directe : En tant que matériau à bande interdite directe, l'arséniure de gallium peut convertir efficacement l'énergie électrique en énergie lumineuse dans les dispositifs optoélectroniques, ce qui le rend idéal pour la fabrication de lasers.
3.Longueur d'onde : Les lasers GaAs 905 fonctionnent généralement à 905 nm, ce qui les rend adaptés à de nombreuses applications, y compris la biomédecine.
4. Haute efficacité : grâce à son rendement de conversion photoélectrique élevé, il peut convertir efficacement l'énergie électrique en sortie laser.
5. Puissance de sortie élevée : Elle peut atteindre une puissance de sortie élevée et convient aux scénarios d'application qui nécessitent une source lumineuse puissante.
6. Bonnes performances thermiques : le matériau GaAs possède une bonne conductivité thermique, ce qui contribue à réduire la température de fonctionnement du laser et à améliorer sa stabilité.
7. Large plage de réglage : La puissance de sortie peut être ajustée en modifiant le courant d'entraînement pour s'adapter aux différentes exigences de l'application.
Les principales applications des comprimés épitaxiés au laser GaAs comprennent :
1. Communication par fibre optique : La feuille épitaxiale laser GaAs peut être utilisée pour fabriquer des lasers dans la communication par fibre optique afin de réaliser une transmission de signal optique à haut débit et sur de longues distances.
2. Applications industrielles : Dans le domaine industriel, les feuilles épitaxiales laser GaAs peuvent être utilisées pour la télémétrie laser, le marquage laser et d'autres applications.
3. VCSEL : Le laser à émission de surface à cavité verticale (VCSEL) est un domaine d'application important de la feuille épitaxiale laser GaAs, largement utilisé dans les communications optiques, le stockage optique et la détection optique.
4. Infrarouge et champ ponctuel : La feuille épitaxiale laser GaAs peut également être utilisée pour fabriquer des lasers infrarouges, des générateurs de points et d'autres dispositifs, jouant un rôle important dans la détection infrarouge, l'affichage de la lumière et d'autres domaines.
La fabrication de feuilles épitaxiales de GaAs pour laser repose principalement sur la technique de croissance épitaxiale, notamment le dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD), l'épitaxie par jets moléculaires (MBE) et d'autres méthodes. Ces techniques permettent de contrôler précisément l'épaisseur, la composition et la structure cristalline de la couche épitaxiale afin d'obtenir des feuilles épitaxiales de GaAs de haute qualité pour laser.
XKH propose des feuilles épitaxiales de GaAs personnalisées, disponibles en différentes structures et épaisseurs, pour une large gamme d'applications dans les communications optiques, les VCSEL, l'infrarouge et les projecteurs à points lumineux. Les produits XKH sont fabriqués avec des équipements MOCVD de pointe, garantissant des performances et une fiabilité élevées. Grâce à son vaste réseau de fournisseurs internationaux, XKH peut gérer efficacement le volume des commandes et fournir des services à valeur ajoutée tels que le raffinage et le conditionnement. Des processus de livraison optimisés assurent le respect des délais et la satisfaction des exigences clients en matière de qualité et de délais de livraison. Après réception, les clients bénéficient d'un support technique complet et d'un service après-vente dédié pour une mise en service optimale.
Diagramme détaillé
