Couches épitaxiales de nitrure de gallium (GaN) sur plaquettes de saphir de 4 ou 6 pouces pour MEMS
Propriétés du GaN sur plaquettes de saphir
● Haute efficacité :Les dispositifs à base de GaN fournissent cinq fois plus de puissance que les dispositifs à base de silicium, améliorant ainsi les performances dans diverses applications électroniques, notamment l'amplification RF et l'optoélectronique.
●Large bande interdite :La large bande interdite du GaN permet un rendement élevé à des températures élevées, ce qui le rend idéal pour les applications à haute puissance et à haute fréquence.
●Durabilité :La capacité du GaN à supporter des conditions extrêmes (températures élevées et radiations) garantit des performances durables dans des environnements difficiles.
●Petite taille :Le GaN permet la production de dispositifs plus compacts et plus légers que les matériaux semi-conducteurs traditionnels, facilitant ainsi la fabrication de dispositifs électroniques plus petits et plus puissants.
Abstrait
Le nitrure de gallium (GaN) s'impose comme le semi-conducteur de choix pour les applications avancées exigeant une puissance et un rendement élevés, telles que les modules frontaux RF, les systèmes de communication à haut débit et l'éclairage LED. Les plaquettes épitaxiales de GaN, lorsqu'elles sont cultivées sur des substrats de saphir, offrent une combinaison de conductivité thermique élevée, de tension de claquage élevée et de large bande passante, des caractéristiques essentielles pour des performances optimales dans les dispositifs de communication sans fil, les radars et les brouilleurs. Ces plaquettes sont disponibles en diamètres de 4 et 6 pouces, avec différentes épaisseurs de GaN afin de répondre à divers besoins techniques. Les propriétés uniques du GaN en font un candidat de premier plan pour l'avenir de l'électronique de puissance.
Paramètres du produit
| Caractéristiques du produit | Spécification |
| Diamètre de la plaquette | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Substrat | Saphir |
| Épaisseur de la couche de GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Type/Dopage de GaN | Type N (type P disponible sur demande) |
| Orientation cristalline du GaN | <0001> |
| Type de polissage | Poli sur une seule face (SSP), poli sur les deux faces (DSP) |
| Épaisseur de l'Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Variation d'épaisseur totale) | ≤ 10 μm |
| Arc | ≤ 10 μm |
| Chaîne | ≤ 10 μm |
| Surface | Surface utilisable > 90 % |
Questions et réponses
Q1 : Quels sont les principaux avantages de l'utilisation du GaN par rapport aux semi-conducteurs traditionnels à base de silicium ?
A1Le GaN présente plusieurs avantages significatifs par rapport au silicium, notamment une bande interdite plus large, ce qui lui permet de supporter des tensions de claquage plus élevées et de fonctionner efficacement à des températures plus élevées. De ce fait, le GaN est idéal pour les applications haute puissance et haute fréquence telles que les modules RF, les amplificateurs de puissance et les LED. Sa capacité à gérer des densités de puissance plus élevées permet également de concevoir des dispositifs plus petits et plus efficaces que les alternatives à base de silicium.
Q2 : Le GaN sur plaquettes de saphir peut-il être utilisé dans les applications MEMS (systèmes micro-électro-mécaniques) ?
A2Oui, le GaN sur substrat saphir convient aux applications MEMS, notamment lorsqu'une puissance élevée, une grande stabilité thermique et un faible bruit sont requis. La durabilité et l'efficacité de ce matériau dans les environnements à haute fréquence en font un matériau idéal pour les dispositifs MEMS utilisés dans les systèmes de communication sans fil, de détection et radar.
Q3 : Quelles sont les applications potentielles du GaN dans les communications sans fil ?
A3Le GaN est largement utilisé dans les modules frontaux RF pour les communications sans fil, notamment les infrastructures 5G, les systèmes radar et les brouilleurs. Sa densité de puissance élevée et sa conductivité thermique en font un matériau idéal pour les dispositifs haute puissance et haute fréquence, permettant d'obtenir de meilleures performances et des formats plus compacts que les solutions à base de silicium.
Q4 : Quels sont les délais de livraison et les quantités minimales de commande pour les plaquettes de GaN sur saphir ?
A4Les délais de livraison et les quantités minimales de commande varient en fonction de la taille de la plaquette, de l'épaisseur du GaN et des exigences spécifiques du client. Veuillez nous contacter directement pour obtenir un devis détaillé et connaître la disponibilité en fonction de vos spécifications.
Q5 : Puis-je obtenir une épaisseur de couche GaN ou des niveaux de dopage personnalisés ?
A5Oui, nous proposons la personnalisation de l'épaisseur et du dopage du GaN afin de répondre à des besoins spécifiques. Veuillez nous indiquer vos spécifications et nous vous fournirons une solution sur mesure.
Diagramme détaillé
