Les réseaux de photodétecteurs PD sur substrat de plaquette épitaxiale InGaAs peuvent être utilisés pour le LiDAR.

Description courte :

Les couches épitaxiales d'InGaAs sont des couches minces monocristallines d'arsenic d'indium-gallium (InGaAs) obtenues par croissance épitaxiale sur un substrat spécifique. Les substrats épitaxiaux d'InGaAs les plus courants sont le phosphure d'indium (InP) et l'arséniure de gallium (GaAs). Ces matériaux présentent une bonne qualité cristalline et une stabilité thermique élevée, ce qui en fait d'excellents supports pour la croissance de couches épitaxiales d'InGaAs.
Le réseau de photodétecteurs (PD Array) est un ensemble de plusieurs photodétecteurs capables de détecter simultanément plusieurs signaux optiques. La couche épitaxiale, obtenue par MOCVD, est principalement utilisée dans les diodes de photodétection. La couche absorbante est composée d'U-InGaAs, le dopage de fond est inférieur à 5 × 10¹⁴ C/cm², et la diffusion de zinc peut être réalisée par le client ou Epihouse. Les pastilles épitaxiales ont été caractérisées par photoluminescence (PL), diffraction des rayons X (DRX) et voltampérométrie cyclique (ECV).

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Caractéristiques

Les principales caractéristiques de la feuille épitaxiale laser InGaAs comprennent

1. Adaptation du réseau cristallin : Une bonne adaptation du réseau cristallin peut être obtenue entre la couche épitaxiale InGaAs et le substrat InP ou GaAs, réduisant ainsi la densité de défauts de la couche épitaxiale et améliorant les performances du dispositif.
2. Bande interdite ajustable : La bande interdite du matériau InGaAs peut être obtenue en ajustant la proportion des composants In et Ga, ce qui confère à la feuille épitaxiale InGaAs un large éventail de perspectives d’application dans les dispositifs optoélectroniques.
3. Haute photosensibilité : le film épitaxié InGaAs possède une haute sensibilité à la lumière, ce qui lui confère des avantages uniques dans le domaine de la détection photoélectrique, des communications optiques et autres.
4. Stabilité à haute température : La structure épitaxiale InGaAs/InP présente une excellente stabilité à haute température et peut maintenir des performances stables du dispositif à des températures élevées.

Les principales applications des comprimés épitaxiés au laser InGaAs comprennent :

1. Dispositifs optoélectroniques : Les plaquettes épitaxiales InGaAs peuvent être utilisées pour fabriquer des photodiodes, des photodétecteurs et d'autres dispositifs optoélectroniques, qui ont un large éventail d'applications dans les communications optiques, la vision nocturne et d'autres domaines.

2. Lasers : Les feuilles épitaxiales d'InGaAs peuvent également être utilisées pour fabriquer des lasers, en particulier des lasers à grande longueur d'onde, qui jouent un rôle important dans les communications par fibre optique, le traitement industriel et d'autres domaines.

3. Cellules solaires : Le matériau InGaAs possède une large plage d'ajustement de la bande interdite, qui peut répondre aux exigences de bande interdite requises par les cellules photovoltaïques thermiques ; la feuille épitaxiale InGaAs présente donc également un certain potentiel d'application dans le domaine des cellules solaires.

4. Imagerie médicale : Dans les équipements d'imagerie médicale (tels que les scanners, les IRM, etc.), pour la détection et l'imagerie.

5. Réseau de capteurs : dans la surveillance environnementale et la détection des gaz, plusieurs paramètres peuvent être surveillés simultanément.

6. Automatisation industrielle : utilisée dans les systèmes de vision industrielle pour surveiller l'état et la qualité des objets sur la chaîne de production.

À l'avenir, les propriétés des substrats épitaxiaux InGaAs continueront de s'améliorer, notamment en termes d'efficacité de conversion photoélectrique et de réduction du bruit. De ce fait, les substrats épitaxiaux InGaAs seront plus largement utilisés dans les dispositifs optoélectroniques, et leurs performances seront encore meilleures. Parallèlement, le procédé de fabrication sera optimisé en continu afin de réduire les coûts et d'améliorer l'efficacité, et ainsi répondre aux besoins d'un marché plus vaste.

De manière générale, le substrat épitaxié InGaAs occupe une place importante dans le domaine des matériaux semi-conducteurs grâce à ses caractéristiques uniques et à ses vastes perspectives d'application.

XKH propose des feuilles épitaxiales InGaAs personnalisées, avec différentes structures et épaisseurs, couvrant un large éventail d'applications pour les dispositifs optoélectroniques, les lasers et les cellules solaires. Les produits XKH sont fabriqués avec des équipements MOCVD de pointe, garantissant des performances et une fiabilité élevées. Sur le plan logistique, XKH dispose d'un vaste réseau de fournisseurs internationaux, capable de gérer avec flexibilité le volume des commandes et de fournir des services à valeur ajoutée tels que le tri et le conditionnement. Des processus de livraison efficaces assurent le respect des délais et la satisfaction des exigences des clients en matière de qualité et de délais de livraison.