Substrat SiC de type P, plaquette SiC de 2 pouces de diamètre, nouveau produit

Les substrats en carbure de silicium de type P sont couramment utilisés pour fabriquer des dispositifs de puissance, tels que les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT).

L'IGBT (transistor bipolaire à jonction) est un interrupteur marche/arrêt. Le MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur, ou transistor à effet de champ à grille isolée) est un transistor à effet de champ à jonction métal-oxyde-semiconducteur. Le terme « bipolaire » signifie que deux types de porteurs de charge, électrons et trous, participent à la conduction. Généralement, une jonction PN est impliquée dans la conduction.

La plaquette de carbure de silicium (SiC) de type p de 2 pouces est de polytype 4H ou 6H. Elle possède des propriétés similaires aux plaquettes de carbure de silicium (SiC) de type n, telles qu'une résistance élevée aux hautes températures, une conductivité thermique élevée et une conductivité électrique élevée. Les substrats en SiC de type p sont couramment utilisés dans la fabrication de dispositifs de puissance, notamment pour la fabrication de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT). La conception des IGBT fait généralement intervenir des jonctions PN, pour lesquelles le SiC de type p est avantageux afin de contrôler le comportement du dispositif.