SiC
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Substrat SIC 12 pouces en carbure de silicium de première qualité, diamètre 300 mm, grande taille, 4H-N. Convient à la dissipation thermique des dispositifs haute puissance.
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Plaquette de carbure de silicium SiC de 8 pouces, type 4H-N, épaisseur 0,5 mm, qualité production, qualité recherche, substrat poli sur mesure
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Plaquette HPSI SiC, diamètre : 3 pouces, épaisseur : 350 µm ± 25 µm pour l’électronique de puissance
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Plaquette de SiC semi-isolante de haute pureté (HPSI) de 3 pouces, 350 µm, qualité factice, qualité supérieure
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Substrat SiC de type P, plaquette SiC de 2 pouces de diamètre, nouveau produit
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Plaquettes de carbure de silicium (SiC) de 8 pouces (200 mm), type 4H-N, qualité production, épaisseur 500 µm
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Substrat en carbure de silicium 6H-N de 2 pouces, plaquette de SiC doublement polie, conductrice, de qualité supérieure, qualité MOSFET
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Plaquette de SiC HPSI ≥90 % de transmittance, qualité optique pour lunettes IA/RA
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Substrat en carbure de silicium (SiC) semi-isolant de haute pureté pour verres à argon
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Plaquettes épitaxiales 4H-SiC pour MOSFETs ultra-haute tension (100–500 μm, 6 pouces)
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Plaquettes SICOI (Carbure de silicium sur isolant) Film de SiC sur silicium
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Substrat monocristallin en carbure de silicium (SiC) – Plaquette de 10 × 10 mm