Four de croissance de cristaux de SiC, lingots de SiC de 4, 6 et 8 pouces, méthode de croissance PTV Lely TSSG LPE
Principales méthodes de croissance cristalline et leurs caractéristiques
(1) Méthode de transfert physique en phase vapeur (PTV)
Principe : À haute température, la matière première SiC se sublime en phase gazeuse, qui est ensuite recristallisée sur le germe cristallin.
Caractéristiques principales :
Température de croissance élevée (2000-2500°C).
Il est possible de cultiver des cristaux de 4H-SiC et de 6H-SiC de haute qualité et de grande taille.
La vitesse de croissance est lente, mais la qualité des cristaux est élevée.
Application : Principalement utilisé dans les semi-conducteurs de puissance, les dispositifs RF et d'autres domaines de pointe.
(2) Méthode Lely
Principe : Les cristaux se forment par sublimation spontanée et recristallisation de poudres de SiC à haute température.
Caractéristiques principales :
Le processus de croissance ne nécessite pas de germes et la taille des cristaux est petite.
La qualité des cristaux est élevée, mais l'efficacité de la croissance est faible.
Convient à la recherche en laboratoire et à la production en petites séries.
Application : Principalement utilisé dans la recherche scientifique et la préparation de cristaux de SiC de petite taille.
(3) Méthode de croissance de la solution Top Seed (TSSG)
Principe : Dans une solution à haute température, la matière première SiC se dissout et cristallise sur le germe cristallin.
Caractéristiques principales :
La température de croissance est basse (1500-1800°C).
Il est possible de cultiver des cristaux de SiC de haute qualité et à faible défaut.
La vitesse de croissance est lente, mais l'uniformité des cristaux est bonne.
Application : Convient à la préparation de cristaux de SiC de haute qualité, tels que les dispositifs optoélectroniques.
(4) Épitaxie en phase liquide (LPE)
Principe : Croissance épitaxiale de la matière première SiC sur le substrat dans une solution de métal liquide.
Caractéristiques principales :
La température de croissance est basse (1000-1500°C).
Croissance rapide, adaptée à la croissance de films.
La qualité des cristaux est élevée, mais leur épaisseur est limitée.
Application : Principalement utilisé pour la croissance épitaxiale de films de SiC, tels que les capteurs et les dispositifs optoélectroniques.
Principales applications du four à cristaux de carbure de silicium
Le four à cristaux de SiC est l'équipement principal pour la préparation des cristaux de SiC, et ses principales applications sont les suivantes :
Fabrication de dispositifs semi-conducteurs de puissance : Utilisé pour faire croître des cristaux 4H-SiC et 6H-SiC de haute qualité comme matériaux de substrat pour les dispositifs de puissance (tels que les MOSFET, les diodes).
Applications : véhicules électriques, onduleurs photovoltaïques, alimentations électriques industrielles, etc.
Fabrication de dispositifs RF : Utilisée pour faire croître des cristaux de SiC à faible défaut comme substrats pour les dispositifs RF afin de répondre aux besoins haute fréquence des communications 5G, des radars et des communications par satellite.
Fabrication de dispositifs optoélectroniques : Utilisé pour la croissance de cristaux de SiC de haute qualité servant de matériaux de substrat pour les LED, les détecteurs ultraviolets et les lasers.
Recherche scientifique et production en petites séries : pour la recherche en laboratoire et le développement de nouveaux matériaux afin de soutenir l'innovation et l'optimisation de la technologie de croissance des cristaux de SiC.
Fabrication de dispositifs haute température : Utilisée pour la croissance de cristaux de SiC résistants aux hautes températures, servant de matériau de base pour les capteurs aérospatiaux et haute température.
L'entreprise propose des équipements et des services pour fours SiC.
XKH se concentre sur le développement et la fabrication d'équipements pour fours à cristaux SIC, et propose les services suivants :
Équipements personnalisés : XKH fournit des fours de croissance personnalisés avec différentes méthodes de croissance telles que PTV et TSSG selon les exigences du client.
Assistance technique : XKH fournit à ses clients une assistance technique pour l'ensemble du processus, depuis l'optimisation du processus de croissance cristalline jusqu'à la maintenance des équipements.
Services de formation : XKH propose des formations opérationnelles et un accompagnement technique à ses clients afin de garantir le bon fonctionnement des équipements.
Service après-vente : XKH assure un service après-vente réactif et des mises à niveau d’équipements afin de garantir la continuité de la production de ses clients.
Les technologies de croissance de cristaux de carbure de silicium (telles que PTV, Lely, TSSG et LPE) trouvent d'importantes applications dans les domaines de l'électronique de puissance, des dispositifs RF et de l'optoélectronique. XKH fournit des équipements de pointe pour la production de cristaux de SiC et une gamme complète de services afin d'accompagner ses clients dans la production à grande échelle de cristaux de SiC de haute qualité et de contribuer au développement de l'industrie des semi-conducteurs.
Diagramme détaillé
