Plaquette SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces

Description courte :

Nous proposons une large gamme de plaquettes de SiC (carbure de silicium) de haute qualité, notamment des plaquettes de type N (4H-N et 6H-N), idéales pour les applications en optoélectronique avancée, les dispositifs de puissance et les environnements à haute température. Ces plaquettes de type N sont reconnues pour leur conductivité thermique exceptionnelle, leur stabilité électrique remarquable et leur durabilité exceptionnelle, ce qui les rend parfaites pour les applications hautes performances telles que l'électronique de puissance, les systèmes de propulsion pour véhicules électriques, les onduleurs pour énergies renouvelables et les alimentations industrielles. Outre notre offre de type N, nous fournissons également des plaquettes de SiC de type P (4H/6H-P et 3C) pour des besoins spécifiques, notamment les dispositifs haute fréquence et RF, ainsi que les applications photoniques. Nos plaquettes sont disponibles dans des tailles allant de 2 à 8 pouces, et nous proposons des solutions sur mesure pour répondre aux exigences spécifiques des différents secteurs industriels. Pour plus d'informations ou pour toute question, n'hésitez pas à nous contacter.

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Caractéristiques

Propriétés

4H-N et 6H-N (plaquettes de SiC de type N)

Application:Principalement utilisé dans l'électronique de puissance, l'optoélectronique et les applications à haute température.

Plage de diamètres :50,8 mm à 200 mm.

Épaisseur:350 μm ± 25 μm, avec des épaisseurs optionnelles de 500 μm ± 25 μm.

Résistivité:Type N 4H/6H-P : ≤ 0,1 Ω·cm (qualité Z), ≤ 0,3 Ω·cm (qualité P) ; Type N 3C-N : ≤ 0,8 mΩ·cm (qualité Z), ≤ 1 mΩ·cm (qualité P).

Rugosité:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densité de micropipes (MPD) :< 1 unité/cm².

TTV : ≤ 10 μm pour tous les diamètres.

Chaîne: ≤ 30 μm (≤ 45 μm pour les plaquettes de 8 pouces).

Exclusion des bords :De 3 mm à 6 mm selon le type de plaquette.

Conditionnement:Cassette multi-plaquettes ou conteneur pour plaquette unique.

Autres tailles disponibles : 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces

Plaquettes de SiC semi-isolantes de haute pureté (HPSI)

Application:Utilisé pour les dispositifs nécessitant une résistance élevée et des performances stables, tels que les dispositifs RF, les applications photoniques et les capteurs.

Plage de diamètres :50,8 mm à 200 mm.

Épaisseur:Épaisseur standard de 350 μm ± 25 μm avec des options pour des plaquettes plus épaisses jusqu'à 500 μm.

Rugosité:Ra ≤ 0,2 nm.

Densité de micropipes (MPD) : ≤ 1 unité/cm².

Résistivité:Haute résistance, généralement utilisée dans les applications semi-isolantes.

Chaîne: ≤ 30 μm (pour les plus petites tailles), ≤ 45 μm pour les plus grands diamètres.

TTV : ≤ 10 μm.

Autres tailles disponibles : 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces

4H-P、6H-P&3C plaquette de SiC(Plaquettes de SiC de type P)

Application:Principalement pour les appareils de puissance et à haute fréquence.

Plage de diamètres :50,8 mm à 200 mm.

Épaisseur:350 μm ± 25 μm ou options personnalisées.

Résistivité:Type P 4H/6H-P : ≤ 0,1 Ω·cm (grade Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grade P).

Rugosité:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densité de micropipes (MPD) :< 1 unité/cm².

TTV : ≤ 10 μm.

Exclusion des bords :3 mm à 6 mm.

Chaîne: ≤ 30 μm pour les plus petites tailles, ≤ 45 μm pour les plus grandes tailles.

Autres tailles disponibles : 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces5×5 10×10

Tableau des paramètres de données partielles

Propriété	2 pouces		3 pouces		4 pouces	6 pouces	8 pouces
Taper	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C ;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C ;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Diamètre	50,8 ± 0,3 mm		76,2 ± 0,3 mm		100 ± 0,3 mm	150 ± 0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Épaisseur	330 ± 25 µm		350 ±25 µm		350 ±25 µm	350 ±25 µm	350 ±25 µm
	350±25 µm ;		500 ± 25 µm		500 ± 25 µm	500 ± 25 µm	500 ± 25 µm
	ou personnalisés		ou personnalisés		ou personnalisés	ou personnalisés	ou personnalisés
Rugosité	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Chaîne	≤ 30 µm		≤ 30 µm		≤ 30 µm	≤ 30 µm	≤45 µm
TTV	≤ 10 µm		≤ 10 µm		≤ 10 µm	≤ 10 µm	≤ 10 µm
Gratter/Creuser	CMP/MP
MPD	<1ea/cm-2	<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2
Forme	Rond, plat 16 mm ; longueur 22 mm ; longueur 30/32,5 mm ; longueur 47,5 mm ; encoche ; encoche ;
Biseau	45°, semi-spécifications ; forme en C
Grade	Qualité production pour MOS et SBD ; Qualité recherche ; Qualité témoin ; Qualité plaquettes de semi-conducteurs
Remarques	Le diamètre, l'épaisseur, l'orientation et les spécifications ci-dessus peuvent être personnalisés sur demande.

Applications

·Électronique de puissance

Les plaquettes de silicium SiC de type N sont essentielles dans les dispositifs d'électronique de puissance en raison de leur capacité à supporter des tensions et des courants élevés. Elles sont couramment utilisées dans les convertisseurs de puissance, les onduleurs et les variateurs de vitesse pour moteurs dans des secteurs tels que les énergies renouvelables, les véhicules électriques et l'automatisation industrielle.

· Optoélectronique
Les matériaux SiC de type N, notamment pour les applications optoélectroniques, sont utilisés dans des dispositifs tels que les diodes électroluminescentes (DEL) et les diodes laser. Leur conductivité thermique élevée et leur large bande interdite les rendent idéaux pour les dispositifs optoélectroniques hautes performances.

·Applications à haute température
Les plaquettes de SiC 4H-N 6H-N sont bien adaptées aux environnements à haute température, comme dans les capteurs et les dispositifs de puissance utilisés dans les applications aérospatiales, automobiles et industrielles où la dissipation de chaleur et la stabilité à des températures élevées sont essentielles.

·Dispositifs RF
Les plaquettes de SiC 4H-N et 6H-N sont utilisées dans les dispositifs radiofréquences (RF) fonctionnant à haute fréquence. Elles trouvent des applications dans les systèmes de communication, la technologie radar et les communications par satellite, où une efficacité énergétique et des performances élevées sont requises.

·Applications photoniques
En photonique, les plaquettes de SiC sont utilisées pour des dispositifs tels que les photodétecteurs et les modulateurs. Les propriétés uniques de ce matériau lui permettent d'être efficace pour la génération, la modulation et la détection de la lumière dans les systèmes de communication optique et les dispositifs d'imagerie.

·Capteurs
Les plaquettes de SiC sont utilisées dans diverses applications de capteurs, notamment dans des environnements difficiles où d'autres matériaux pourraient être défaillants. Parmi ces applications figurent les capteurs de température, de pression et chimiques, essentiels dans des secteurs tels que l'automobile, le pétrole et le gaz, et la surveillance environnementale.

·Systèmes de propulsion pour véhicules électriques
La technologie SiC joue un rôle essentiel dans les véhicules électriques en améliorant l'efficacité et les performances des systèmes de propulsion. Grâce aux semi-conducteurs de puissance SiC, les véhicules électriques bénéficient d'une meilleure autonomie de la batterie, de temps de charge plus courts et d'une efficacité énergétique accrue.

·Capteurs avancés et convertisseurs photoniques
Dans le domaine des technologies de capteurs avancées, les plaquettes de carbure de silicium (SiC) servent à la fabrication de capteurs de haute précision destinés à des applications en robotique, dispositifs médicaux et surveillance environnementale. Dans les convertisseurs photoniques, les propriétés du SiC sont exploitées pour permettre une conversion efficace de l'énergie électrique en signaux optiques, essentielle aux télécommunications et à l'infrastructure internet à haut débit.

Questions et réponses

QQue représente le 4H dans le SiC 4H ?
ADans le SiC 4H, « 4H » fait référence à la structure cristalline du carbure de silicium, plus précisément à une forme hexagonale à quatre couches (H). Le « H » indique le type de polytype hexagonal, le distinguant ainsi des autres polytypes de SiC comme le 6H ou le 3C.

QQuelle est la conductivité thermique du 4H-SiC ?
ALa conductivité thermique du carbure de silicium 4H (4H-SiC) est d'environ 490 à 500 W/m·K à température ambiante. Cette conductivité thermique élevée le rend idéal pour les applications en électronique de puissance et les environnements à haute température, où une dissipation thermique efficace est essentielle.

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