Substrat SiC de type P 4H/6H-P 3C-N 4 pouces d'une épaisseur de 350 µm Qualité production Qualité témoin
Tableau des paramètres du substrat SiC de type P 4H/6H-P 3C-N
4 Silicone de 1 pouce de diamètreSubstrat en carbure (SiC) Spécification
| Grade | Production MPD nulle Niveau (Z) Grade) | Production standard Note (P) Grade) | Niveau factice (D Grade) | ||
| Diamètre | 99,5 mm ~ 100,0 mm | ||||
| Épaisseur | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientation de la plaquette | Hors axe : 2,0°-4,0° vers [1120] ± 0,5° pour 4H/6H-P, Oaxe n :〈111〉± 0,5° pour 3C-N | ||||
| Densité des micropipes | 0 cm-2 | ||||
| Résistivité | p-type 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ω·cm | ||
| 3C-N de type n | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientation à plat primaire | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Longueur à plat primaire | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Longueur secondaire à plat | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientation secondaire à plat | Face en silicium vers le haut : 90° dans le sens horaire par rapport à la surface plane Prime±5,0° | ||||
| Exclusion des bords | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Arc/Déformation | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rugosité | Ra polonais ≤ 1 nm | ||||
| CMP Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| Fissures sur les bords causées par une lumière de haute intensité | Aucun | Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unitaire ≤ 2 mm | |||
| Plaques hexagonales éclairées par une lumière de haute intensité | Surface cumulée ≤0,05% | Surface cumulée ≤0,1% | |||
| Zones polytypes éclairées par une lumière de haute intensité | Aucun | Surface cumulée ≤ 3 % | |||
| Inclusions de carbone visuelles | Surface cumulée ≤0,05% | Surface cumulée ≤3% | |||
| Rayures sur la surface du silicone causées par une lumière de haute intensité | Aucun | Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaquette | |||
| Puces de bord à haute intensité lumineuse | Aucune dimension ≥ 0,2 mm de largeur et de profondeur n'est autorisée. | 5 autorisés, ≤1 mm chacun | |||
| Contamination de la surface du silicium par haute intensité | Aucun | ||||
| Conditionnement | Cassette multi-plaquettes ou conteneur à plaquette unique | ||||
Remarques :
※Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion périphérique. # Les rayures doivent être vérifiées uniquement sur la face Si.
Le substrat SiC 4H/6H-P 3C-N de type P, de 4 pouces et d'une épaisseur de 350 µm, est largement utilisé dans la fabrication de dispositifs électroniques et de puissance de pointe. Grâce à son excellente conductivité thermique, sa tension de claquage élevée et sa grande résistance aux environnements extrêmes, ce substrat est idéal pour l'électronique de puissance haute performance, notamment pour les commutateurs haute tension, les onduleurs et les dispositifs RF. Les substrats de qualité production sont utilisés en grande série, garantissant des performances fiables et de haute précision, essentielles pour l'électronique de puissance et les applications haute fréquence. Les substrats de qualité témoin, quant à eux, sont principalement utilisés pour l'étalonnage des procédés, les tests d'équipements et le développement de prototypes, contribuant ainsi au contrôle qualité et à la constance des procédés de fabrication des semi-conducteurs.
Spécifications : Les avantages des substrats composites SiC de type N comprennent
- Conductivité thermique élevéeLa dissipation thermique efficace rend le substrat idéal pour les applications à haute température et à haute puissance.
- Tension de claquage élevée: Prend en charge le fonctionnement à haute tension, assurant la fiabilité des dispositifs électroniques de puissance et RF.
- Résistance aux environnements difficilesRésistant aux conditions extrêmes telles que les hautes températures et les environnements corrosifs, assurant ainsi des performances durables.
- Précision de niveau production: Garantit des performances fiables et de haute qualité dans la fabrication à grande échelle, adaptées aux applications avancées de puissance et de radiofréquences.
- Note fictive pour les testsPermet un étalonnage précis des processus, des tests d'équipement et un prototypage sans compromettre les plaquettes de qualité production.
Globalement, le substrat SiC 4H/6H-P 3C-N de type P et de 4 pouces d'une épaisseur de 350 µm offre des avantages considérables pour les applications électroniques hautes performances. Sa conductivité thermique et sa tension de claquage élevées le rendent idéal pour les environnements haute puissance et haute température, tandis que sa résistance aux conditions extrêmes garantit durabilité et fiabilité. Le substrat de qualité production assure des performances précises et constantes lors de la fabrication à grande échelle de dispositifs électroniques de puissance et RF. Parallèlement, le substrat de qualité prototype est essentiel pour l'étalonnage des procédés, les tests d'équipements et le prototypage, contribuant ainsi au contrôle qualité et à la constance de la production de semi-conducteurs. Ces caractéristiques confèrent aux substrats SiC une grande polyvalence pour les applications de pointe.
Diagramme détaillé
