Mandrin en céramique de carbure de silicium pour plaquettes SiC saphir Si GAA

Mandrin en céramique de carbure de silicium pour plaquettes de saphir SiC GAAs (image présentée)

Description courte :

Le mandrin en céramique de carbure de silicium est une plateforme haute performance conçue pour l'inspection des semi-conducteurs, la fabrication de plaquettes et les applications de collage. Fabriqué à partir de matériaux céramiques de pointe — notamment le SiC fritté (SSiC), le SiC à liaison réactionnelle (RSiC), le nitrure de silicium et le nitrure d'aluminium — il offre une rigidité élevée, une faible dilatation thermique, une excellente résistance à l'usure et une longue durée de vie.

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Caractéristiques

Diagramme détaillé

Présentation des mandrins en céramique de carbure de silicium (SiC)

LeMandrin en céramique de carbure de siliciumest une plateforme haute performance conçue pour l'inspection des semi-conducteurs, la fabrication de plaquettes et les applications de collage. Elle est construite avec des matériaux céramiques avancés, notammentSiC fritté (SSiC), SiC lié par réaction (RSiC), nitrure de silicium, etnitrure d'aluminium—il offrerigidité élevée, faible dilatation thermique, excellente résistance à l'usure et longue durée de vie.

Grâce à une ingénierie de précision et un polissage de pointe, le mandrin offreplanéité submicronique, surfaces de qualité miroir et stabilité dimensionnelle à long terme, ce qui en fait la solution idéale pour les procédés critiques de fabrication de semi-conducteurs.

Principaux avantages

Haute précision
Planéité contrôlée à l'intérieur0,3–0,5 μm, garantissant la stabilité des plaquettes et une précision constante du processus.
Polissage miroir
RéaliseRa 0,02 μmRugosité de surface minimisant les rayures et la contamination des plaquettes – idéal pour les environnements ultra-propres.
Ultra-léger
Plus résistant et plus léger que les substrats en quartz ou en métal, améliorant le contrôle du mouvement, la réactivité et la précision du positionnement.
Haute rigidité
Son module de Young exceptionnel garantit une stabilité dimensionnelle sous fortes charges et en fonctionnement à grande vitesse.
Faible dilatation thermique
Le coefficient de dilatation thermique (CTE) correspond étroitement à celui des plaquettes de silicium, réduisant ainsi les contraintes thermiques et améliorant la fiabilité du processus.
Résistance à l'usure exceptionnelle
Sa dureté extrême préserve la planéité et la précision même en cas d'utilisation prolongée et à haute fréquence.

Processus de fabrication

Préparation des matières premières
Poudres de SiC de haute pureté avec une granulométrie contrôlée et une teneur en impuretés ultra-faible.
Formage et frittage
Des techniques telles quefrittage sans pression (SSiC) or liaison par réaction (RSiC)produire des substrats céramiques denses et uniformes.
Usinage de précision
Le meulage CNC, le découpage laser et l'usinage ultra-précis permettent d'atteindre une tolérance de ±0,01 mm et un parallélisme ≤3 μm.
Traitement de surface
Rectification et polissage en plusieurs étapes jusqu'à Ra 0,02 μm ; revêtements optionnels disponibles pour la résistance à la corrosion ou des propriétés de friction personnalisées.
Inspection et contrôle de la qualité
Les interféromètres et les testeurs de rugosité vérifient la conformité aux spécifications de qualité des semi-conducteurs.

Spécifications techniques

Paramètre	Valeur	Unité
Platitude	≤0,5	μm
Tailles des plaquettes	6'', 8'', 12'' (personnalisable)	—
Type de surface	Type de broche / Type d'anneau	—
Hauteur de la broche	0,05–0,2	mm
diamètre minimal de la broche	ϕ0,2	mm
Espacement minimal des broches	3	mm
largeur minimale du joint d'étanchéité	0,7	mm
rugosité de surface	Ra 0,02	μm
Tolérance d'épaisseur	±0,01	mm
Tolérance de diamètre	±0,01	mm
tolérance au parallélisme	≤3	μm

Principales applications

Équipement d'inspection des plaquettes de semi-conducteurs
Systèmes de fabrication et de transfert de plaquettes
Outils de collage et d'encapsulation de plaquettes
fabrication de dispositifs optoélectroniques avancés
Instruments de précision nécessitant des surfaces ultra-planes et ultra-propres

Questions et réponses – Mandrin en céramique de carbure de silicium

Q1 : Comment les mandrins en céramique SiC se comparent-ils aux mandrins en quartz ou en métal ?
A1 : Les mandrins en SiC sont plus légers, plus rigides et possèdent un coefficient de dilatation thermique proche de celui des plaquettes de silicium, ce qui minimise la déformation thermique. Ils offrent également une résistance à l’usure supérieure et une durée de vie plus longue.

Q2 : Quel degré de planéité peut-on atteindre ?
A2 : Contrôlé à l'intérieur0,3–0,5 μm, répondant aux exigences rigoureuses de la production de semi-conducteurs.

Q3 : La surface risque-t-elle de rayer les plaquettes ?
A3 : Non – poli miroir àRa 0,02 μm, garantissant une manipulation sans rayures et une réduction de la production de particules.

Q4 : Quelles sont les tailles de plaquettes prises en charge ?
A4 : Formats standard de6'', 8'' et 12'', avec possibilité de personnalisation.

Q5 : Quelle est la résistance thermique ?
A5 : Les céramiques SiC offrent d'excellentes performances à haute température avec une déformation minimale sous cyclage thermique.

À propos de nous

XKH est spécialisée dans le développement, la production et la vente de verres optiques spéciaux et de nouveaux matériaux cristallins de haute technologie. Nos produits sont destinés à l'électronique optique, à l'électronique grand public et au secteur militaire. Nous proposons des composants optiques en saphir, des films de protection pour objectifs de téléphones portables, de la céramique, du LT, du carbure de silicium (SiC), du quartz et des plaquettes de cristal semi-conducteur. Grâce à notre expertise et à nos équipements de pointe, nous excellons dans la transformation de produits non standard, avec pour ambition de devenir une entreprise leader dans le domaine des matériaux optoélectroniques.