Substrat
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Lingot de carbure de silicium SiC de 6 pouces, type N, épaisseur fictive/de première qualité personnalisable
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Lingot semi-isolant en carbure de silicium 4H-SiC de 6 pouces, qualité factice
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Lingot de SiC type 4H, diamètre 4 ou 6 pouces, épaisseur 5 à 10 mm, qualité recherche/test
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Saphir boule de 6 pouces, monocristal vierge de saphir Al2O3 99,999 %
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Plaquette de carbure de silicium de type 4H-N, substrat Sic, haute dureté, résistance à la corrosion, polissage de première qualité
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Plaquette de carbure de silicium 2 pouces, type 6H-N, qualité supérieure, qualité recherche, qualité factice, épaisseur 330 µm ou 430 µm
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Substrat en carbure de silicium 6H-N de 2 pouces, poli double face, diamètre 50,8 mm, qualité production, qualité recherche
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Substrat SiC de type p 4H/6H-P 3C-N 4 pouces 〈111〉± 0,5° MPD nul
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Substrat SiC de type P 4H/6H-P 3C-N 4 pouces d'une épaisseur de 350 µm Qualité production Qualité témoin
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Plaquette de SiC 4H/6H-P 6 pouces, qualité zéro MPD, qualité de production, qualité factice
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Plaquette de SiC de type P 4H/6H-P 3C-N 6 pouces d'épaisseur 350 μm avec orientation plane primaire
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Procédé TVG sur plaquette de quartz saphir BF33. Perforation de plaquettes de verre.