Substrat SiC de 12 pouces de diamètre 300 mm d'épaisseur 750 μm Le type 4H-N peut être personnalisé

Brève description :

À un tournant décisif de la transition de l'industrie des semi-conducteurs vers des solutions plus performantes et compactes, l'émergence du substrat SiC de 12 pouces (substrat en carbure de silicium) a fondamentalement transformé le paysage. Comparé aux spécifications traditionnelles de 6 et 8 pouces, l'avantage de la taille importante du substrat de 12 pouces permet de multiplier par plus de quatre le nombre de puces produites par plaquette. De plus, le coût unitaire du substrat SiC de 12 pouces est réduit de 35 à 40 % par rapport aux substrats conventionnels de 8 pouces, ce qui est crucial pour une adoption généralisée des produits finis.
Grâce à notre technologie exclusive de croissance par transport de vapeur, nous avons obtenu un contrôle de pointe de la densité de dislocations dans des cristaux de 30 cm, offrant ainsi une base matérielle exceptionnelle pour la fabrication ultérieure de dispositifs. Cette avancée est particulièrement significative dans le contexte actuel de pénurie mondiale de puces.

Les dispositifs d'alimentation essentiels aux applications quotidiennes, comme les bornes de recharge rapide pour véhicules électriques et les stations de base 5G, adoptent de plus en plus ce substrat de grande taille. Particulièrement dans les environnements à haute température et haute tension, et autres environnements difficiles, le substrat SiC de 12 pouces présente une stabilité bien supérieure à celle des matériaux à base de silicium.

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Détails du produit

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Paramètres techniques

Spécifications du substrat en carbure de silicium (SiC) de 12 pouces
Grade		Production ZeroMPD Grade (grade Z)	Production standard Note (note P)		Note fictive (Note D)
Diamètre		3 0 0 mm ~ 1305 mm
Épaisseur	4H-N	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
	4H-SI	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
Orientation des plaquettes		Hors axe : 4,0° vers <1120 >±0,5° pour 4H-N, Sur axe : <0001>±0,5° pour 4H-SI
Densité des micropipes	4H-N	≤ 0,4 cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Résistivité	4H-N	0,015~0,024 Ω·cm			0,015~0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Orientation principale à plat		{10-10} ±5,0°
Longueur plate principale	4H-N	N / A
	4H-SI	Entailler
Exclusion des bords		3 mm
LTV/TTV/Arc/Déformation		≤5 μm/≤15 μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5 μm/≤15 μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Rugosité		Polonais Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,2 nm			Ra ≤ 0,5 nm
Fissures sur les bords par lumière de haute intensité Plaques hexagonales par lumière à haute intensité Zones de polytypie par lumière de haute intensité Inclusions visuelles de carbone Rayures de surface en silicium causées par une lumière de haute intensité		Aucun Surface cumulée ≤ 0,05 % Aucun Surface cumulée ≤ 0,05 % Aucun			Longueur cumulée ≤ 20 mm, longueur simple ≤ 2 mm Surface cumulée ≤ 0,1 % Surface cumulée ≤ 3 % Surface cumulée ≤ 3 % Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaquette
Éclats de bord par lumière à haute intensité		Aucune largeur et profondeur ≥ 0,2 mm autorisée			7 autorisés, ≤ 1 mm chacun
(TSD) Luxation de la vis de filetage		≤ 500 cm-2		N / A
(BPD) Dislocation du plan de base		≤1000 cm-2		N / A
Contamination de la surface du silicium par une lumière de haute intensité		Aucun
Conditionnement		Cassette multi-plaquettes ou conteneur à gaufrette unique
Remarques :
1 Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion des bords. 2Les rayures doivent être vérifiées uniquement sur la face Si. 3 Les données de dislocation proviennent uniquement des plaquettes gravées au KOH.

Caractéristiques principales

1. Capacité de production et avantages en termes de coûts : La production en série de substrats SiC de 12 pouces (substrats en carbure de silicium de 12 pouces) marque une nouvelle ère dans la fabrication de semi-conducteurs. Le nombre de puces pouvant être obtenues à partir d'une seule plaquette est 2,25 fois supérieur à celui des substrats de 8 pouces, ce qui entraîne une amélioration significative de l'efficacité de la production. Les retours clients indiquent que l'adoption de substrats de 12 pouces a permis de réduire de 28 % les coûts de production de leurs modules de puissance, créant ainsi un avantage concurrentiel décisif sur un marché très concurrentiel.
2. Propriétés physiques exceptionnelles : Le substrat SiC de 12 pouces bénéficie de tous les avantages du carbure de silicium : sa conductivité thermique est trois fois supérieure à celle du silicium, tandis que son champ de claquage est dix fois supérieur. Ces caractéristiques permettent aux dispositifs basés sur des substrats de 12 pouces de fonctionner de manière stable dans des environnements à haute température dépassant 200 °C, ce qui les rend particulièrement adaptés aux applications exigeantes telles que les véhicules électriques.
3. Technologie de traitement de surface : Nous avons développé un nouveau procédé de polissage mécano-chimique (CMP) spécifiquement conçu pour les substrats SiC de 12 pouces, permettant d'obtenir une planéité de surface à l'échelle atomique (Ra < 0,15 nm). Cette avancée résout le défi mondial du traitement de surface des plaquettes de carbure de silicium de grand diamètre, éliminant ainsi les obstacles à une croissance épitaxiale de haute qualité.
4. Performances de gestion thermique : Dans les applications pratiques, les substrats SiC de 12 pouces présentent des capacités de dissipation thermique remarquables. Les données de test montrent qu'à densité de puissance égale, les dispositifs utilisant des substrats de 12 pouces fonctionnent à des températures inférieures de 40 à 50 °C à celles des dispositifs à base de silicium, ce qui prolonge considérablement leur durée de vie.

Principales applications

1. Écosystème des véhicules à énergie nouvelle : Le substrat SiC 12 pouces (substrat en carbure de silicium 12 pouces) révolutionne l'architecture des groupes motopropulseurs des véhicules électriques. Des chargeurs embarqués (OBC) aux onduleurs de transmission principale et aux systèmes de gestion de batterie, les gains d'efficacité apportés par les substrats 12 pouces augmentent l'autonomie des véhicules de 5 à 8 %. Les rapports d'un grand constructeur automobile indiquent que l'adoption de nos substrats 12 pouces a permis de réduire les pertes d'énergie de son système de charge rapide de 62 %.
2. Secteur des énergies renouvelables : Dans les centrales photovoltaïques, les onduleurs basés sur des substrats SiC de 12 pouces présentent non seulement des dimensions plus compactes, mais atteignent également un rendement de conversion supérieur à 99 %. En particulier dans les scénarios de production décentralisée, ce rendement élevé se traduit par des économies annuelles de plusieurs centaines de milliers de yuans en pertes d'électricité pour les exploitants.
3. Automatisation industrielle : Les convertisseurs de fréquence utilisant des substrats de 12 pouces affichent d’excellentes performances dans les robots industriels, les machines-outils à commande numérique et autres équipements. Leurs caractéristiques de commutation haute fréquence améliorent la vitesse de réponse du moteur de 30 % tout en réduisant les interférences électromagnétiques d’un tiers par rapport aux solutions conventionnelles.
4. Innovation dans l'électronique grand public : Les technologies de charge rapide des smartphones de nouvelle génération commencent à adopter des substrats SiC de 12 pouces. On prévoit que les produits de charge rapide de plus de 65 W passeront entièrement aux solutions en carbure de silicium, les substrats de 12 pouces s'imposant comme le meilleur rapport qualité-prix.

Services personnalisés XKH pour substrat SiC de 12 pouces

Pour répondre aux exigences spécifiques des substrats SiC de 12 pouces (substrats en carbure de silicium de 12 pouces), XKH propose un service d'assistance complet :
1. Personnalisation de l'épaisseur :
Nous fournissons des substrats de 12 pouces dans diverses spécifications d'épaisseur, y compris 725 μm, pour répondre aux différents besoins d'application.
2. Concentration de dopage :
Notre fabrication prend en charge plusieurs types de conductivité, notamment les substrats de type n et de type p, avec un contrôle précis de la résistivité dans la plage de 0,01 à 0,02 Ω·cm.
3. Services de test :
Avec un équipement de test complet au niveau des plaquettes, nous fournissons des rapports d'inspection complets.
XKH comprend que chaque client a des exigences spécifiques en matière de substrats SiC de 12 pouces. C'est pourquoi nous proposons des modèles de coopération flexibles pour fournir les solutions les plus compétitives, que ce soit pour :
· Échantillons de R&D
· Achats de production en volume
Nos services personnalisés nous permettent de répondre à vos besoins techniques et de production spécifiques pour les substrats SiC de 12 pouces.