Plaquette de silicium SiC 4H-N de 200 mm (8 pouces) de qualité recherche, conductrice factice
Grâce à ses propriétés physiques et électroniques uniques, le matériau semi-conducteur en plaquettes de SiC de 200 mm est utilisé pour fabriquer des dispositifs électroniques hautes performances, résistants aux hautes températures et aux radiations, et fonctionnant à haute fréquence. Le prix des substrats SiC de 8 pouces diminue progressivement avec les progrès technologiques et la croissance de la demande. Les récents développements technologiques permettent désormais la production à grande échelle de plaquettes de SiC de 200 mm. Principaux avantages des matériaux semi-conducteurs en plaquettes de SiC par rapport aux plaquettes de Si et de GaAs : l’intensité du champ électrique du 4H-SiC lors du claquage par avalanche est plus d’un ordre de grandeur supérieure à celle du Si et du GaAs. Ceci entraîne une diminution significative de la résistivité à l’état passant Ron. Cette faible résistivité, combinée à une densité de courant et une conductivité thermique élevées, permet l’utilisation de puces de très petite taille pour les dispositifs de puissance. La conductivité thermique élevée du SiC réduit la résistance thermique de la puce. Les propriétés électroniques des dispositifs à base de plaquettes de SiC sont très stables dans le temps et en température, ce qui garantit une grande fiabilité des produits. Le carbure de silicium est extrêmement résistant aux rayonnements intenses, ce qui préserve les propriétés électroniques de la puce. Sa température limite de fonctionnement élevée (supérieure à 6 000 °C) permet de créer des dispositifs très fiables pour des environnements d'utilisation difficiles et des applications spécifiques. Nous fournissons actuellement des plaquettes de SiC de 200 mm en petites séries de manière régulière et continue, et disposons d'un stock en entrepôt.
Spécification
| Nombre | Article | Unité | Production | Recherche | Factice |
| 1. Paramètres | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientation de surface | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Paramètre électrique | |||||
| 2.1 | dopant | -- | Azote de type n | Azote de type n | Azote de type n |
| 2.2 | résistivité | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Paramètre mécanique | |||||
| 3.1 | diamètre | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | épaisseur | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientation de l'encoche | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Profondeur de l'encoche | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10 mm*10 mm) | ≤5(10 mm*10 mm) | ≤10 (10 mm * 10 mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arc | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Chaîne | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Structure | |||||
| 4.1 | densité de micropipes | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | teneur en métaux | atomes/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | trouble de la personnalité limite | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Qualité positive | |||||
| 5.1 | devant | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | finition de surface | -- | CMP à face Si | CMP à face Si | CMP à face Si |
| 5.3 | particule | ea/wafer | ≤100 (taille ≥ 0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | gratter | ea/wafer | ≤5, Longueur totale ≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Bord éclats/bosses/fissures/taches/contamination | -- | Aucun | Aucun | NA |
| 5.6 | Zones polytypes | -- | Aucun | Surface ≤10% | Surface ≤30% |
| 5.7 | marquage avant | -- | Aucun | Aucun | Aucun |
| 6. Qualité du dos | |||||
| 6.1 | finition arrière | -- | Député C-face | Député C-face | Député C-face |
| 6.2 | gratter | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Défauts de bord arrière éclats/bosses | -- | Aucun | Aucun | NA |
| 6.4 | Rugosité du dos | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Marquage arrière | -- | Entailler | Entailler | Entailler |
| 7. Bord | |||||
| 7.1 | bord | -- | Chanfreiner | Chanfreiner | Chanfreiner |
| 8. Emballage | |||||
| 8.1 | conditionnement | -- | Epi-ready avec vide conditionnement | Epi-ready avec vide conditionnement | Epi-ready avec vide conditionnement |
| 8.2 | conditionnement | -- | Multi-plaquettes emballage de cassette | Multi-plaquettes emballage de cassette | Multi-plaquettes emballage de cassette |
Diagramme détaillé
