Substrat SiC de 12 pouces de type N, grande taille, applications RF hautes performances

Brève description :

Le substrat SiC 12 pouces représente une avancée majeure dans la technologie des matériaux semi-conducteurs, offrant des avantages transformateurs pour l'électronique de puissance et les applications haute fréquence. Plus grand format de plaquette de carbure de silicium disponible sur le marché, ce substrat SiC 12 pouces permet des économies d'échelle sans précédent tout en conservant les avantages inhérents du matériau, à savoir une large bande interdite et des propriétés thermiques exceptionnelles. Comparée aux plaquettes SiC classiques de 6 pouces ou moins, la plateforme 12 pouces offre une surface utilisable supérieure de plus de 300 % par plaquette, augmentant considérablement le rendement des puces et réduisant les coûts de fabrication des dispositifs de puissance. Cette transition dimensionnelle reflète l'évolution historique des plaquettes de silicium, où chaque augmentation de diamètre entraînait des réductions de coûts et des améliorations de performances significatives. La conductivité thermique supérieure du substrat SiC 12 pouces (près de 3 fois celle du silicium) et son champ de claquage critique élevé le rendent particulièrement précieux pour les systèmes de véhicules électriques 800 V de nouvelle génération, où il permet des modules de puissance plus compacts et plus performants. Dans les infrastructures 5G, la vitesse de saturation électronique élevée du matériau permet aux dispositifs RF de fonctionner à des fréquences plus élevées avec des pertes moindres. La compatibilité du substrat avec les équipements de fabrication de silicium modifiés facilite également son adoption par les usines existantes, bien qu'une manipulation spécifique soit nécessaire en raison de l'extrême dureté du SiC (9,5 Mohs). Avec l'augmentation des volumes de production, le substrat SiC de 12 pouces devrait devenir la norme industrielle pour les applications haute puissance, stimulant l'innovation dans les secteurs de l'automobile, des énergies renouvelables et des systèmes de conversion de puissance industriels.

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Détails du produit

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Paramètres techniques

Spécifications du substrat en carbure de silicium (SiC) de 12 pouces
Grade		Production ZeroMPD Grade (grade Z)	Production standard Note (note P)		Note fictive (Note D)
Diamètre		3 0 0 mm ~ 1305 mm
Épaisseur	4H-N	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
	4H-SI	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
Orientation des plaquettes		Hors axe : 4,0° vers <1120 >±0,5° pour 4H-N, Sur axe : <0001>±0,5° pour 4H-SI
Densité des micropipes	4H-N	≤ 0,4 cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Résistivité	4H-N	0,015~0,024 Ω·cm			0,015~0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Orientation principale à plat		{10-10} ±5,0°
Longueur plate principale	4H-N	N / A
	4H-SI	Entailler
Exclusion des bords		3 mm
LTV/TTV/Arc/Déformation		≤5 μm/≤15 μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5 μm/≤15 μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Rugosité		Polonais Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,2 nm			Ra ≤ 0,5 nm
Fissures sur les bords par lumière de haute intensité Plaques hexagonales par lumière à haute intensité Zones de polytypie par lumière de haute intensité Inclusions visuelles de carbone Rayures de surface en silicium causées par une lumière de haute intensité		Aucun Surface cumulée ≤ 0,05 % Aucun Surface cumulée ≤ 0,05 % Aucun			Longueur cumulée ≤ 20 mm, longueur simple ≤ 2 mm Surface cumulée ≤ 0,1 % Surface cumulée ≤ 3 % Surface cumulée ≤ 3 % Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaquette
Éclats de bord par lumière à haute intensité		Aucune largeur et profondeur ≥ 0,2 mm autorisée			7 autorisés, ≤ 1 mm chacun
(TSD) Luxation de la vis de filetage		≤ 500 cm-2		N / A
(BPD) Dislocation du plan de base		≤1000 cm-2		N / A
Contamination de la surface du silicium par une lumière de haute intensité		Aucun
Conditionnement		Cassette multi-plaquettes ou conteneur à gaufrette unique
Remarques :
1 Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion des bords. 2Les rayures doivent être vérifiées uniquement sur la face Si. 3 Les données de dislocation proviennent uniquement des plaquettes gravées au KOH.

Caractéristiques principales

1. Avantage de grande taille : le substrat SiC de 12 pouces (substrat en carbure de silicium de 12 pouces) offre une plus grande surface de plaquette unique, permettant de produire plus de puces par plaquette, réduisant ainsi les coûts de fabrication et augmentant le rendement.
2. Matériau haute performance : la résistance aux hautes températures et la force de claquage élevée du carbure de silicium rendent le substrat de 12 pouces idéal pour les applications haute tension et haute fréquence, telles que les onduleurs EV et les systèmes de charge rapide.
3. Compatibilité de traitement : malgré la dureté élevée et les défis de traitement du SiC, le substrat SiC de 12 pouces permet d'obtenir des défauts de surface inférieurs grâce à des techniques de coupe et de polissage optimisées, améliorant ainsi le rendement du dispositif.
4. Gestion thermique supérieure : avec une meilleure conductivité thermique que les matériaux à base de silicium, le substrat de 12 pouces traite efficacement la dissipation thermique dans les appareils haute puissance, prolongeant ainsi la durée de vie de l'équipement.

Principales applications

1. Véhicules électriques : Le substrat SiC de 12 pouces (substrat en carbure de silicium de 12 pouces) est un composant essentiel des systèmes d'entraînement électrique de nouvelle génération, permettant des onduleurs à haut rendement qui améliorent l'autonomie et réduisent le temps de charge.

2. Stations de base 5G : les substrats SiC de grande taille prennent en charge les dispositifs RF haute fréquence, répondant aux exigences des stations de base 5G en matière de puissance élevée et de faible perte.

3. Alimentations industrielles : dans les onduleurs solaires et les réseaux intelligents, le substrat de 12 pouces peut supporter des tensions plus élevées tout en minimisant les pertes d'énergie.

4. Électronique grand public : les futurs chargeurs rapides et les alimentations des centres de données pourraient adopter des substrats SiC de 12 pouces pour obtenir une taille compacte et une efficacité supérieure.

Services de XKH

Nous sommes spécialisés dans les services de traitement personnalisés pour les substrats SiC de 12 pouces (substrats en carbure de silicium de 12 pouces), notamment :
1. Découpage et polissage : traitement du substrat à faible endommagement et à haute planéité adapté aux exigences du client, garantissant des performances stables de l'appareil.
2. Support de croissance épitaxiale : services de plaquettes épitaxiales de haute qualité pour accélérer la fabrication de puces.
3. Prototypage en petits lots : prend en charge la validation de la R&D pour les instituts de recherche et les entreprises, raccourcissant ainsi les cycles de développement.
4. Conseil technique : solutions de bout en bout, de la sélection des matériaux à l'optimisation des processus, aidant les clients à surmonter les défis du traitement du SiC.
Qu'il s'agisse d'une production de masse ou d'une personnalisation spécialisée, nos services de substrats SiC de 12 pouces s'alignent sur les besoins de votre projet, permettant des avancées technologiques.