Plaquette de saphir de 156 mm ou 159 mm (6 pouces) pour support C-Plane DSP TTV
Spécification
| Article | Plaquettes de saphir de 6 pouces, plan C (0001) | |
| Matériaux cristallins | Al2O3 monocristallin de haute pureté (99,999 %) | |
| Grade | Prime, Epi-Ready | |
| Orientation de la surface | Plan C (0001) | |
| Angle de décalage du plan C par rapport à l'axe M : 0,2 ± 0,1° | ||
| Diamètre | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Épaisseur | 650 μm +/- 25 μm | |
| Orientation à plat primaire | Plan C (00-01) +/- 0,2° | |
| Poli sur une seule face | Surface avant | Poli par épitaxie, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
| (SSP) | Surface arrière | Broyage fin, Ra = 0,8 μm à 1,2 μm |
| Poli double face | Surface avant | Poli par épitaxie, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
| (DSP) | Surface arrière | Poli par épitaxie, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| ARC | < 20 μm | |
| CHAÎNE | < 20 μm | |
| Nettoyage / Emballage | Nettoyage en salle blanche de classe 100 et emballage sous vide, | |
| 25 pièces par emballage cassette ou emballage individuel. | ||
La méthode Kylopoulos (méthode KY) est actuellement utilisée par de nombreuses entreprises en Chine pour produire des cristaux de saphir destinés aux industries de l'électronique et de l'optique.
Dans ce procédé, de l'oxyde d'aluminium de haute pureté est fondu dans un creuset à des températures supérieures à 2100 degrés Celsius. Ce creuset est généralement en tungstène ou en molybdène. Un germe cristallin précisément orienté est immergé dans l'alumine en fusion. Ce germe est lentement tiré vers le haut, tout en pouvant être mis en rotation. En contrôlant précisément le gradient de température, la vitesse de tirage et la vitesse de refroidissement, on obtient un lingot monocristallin de grande taille et de forme quasi cylindrique à partir de la fusion.
Une fois les lingots de saphir monocristallin cultivés, ils sont percés en barres cylindriques, qui sont ensuite coupées à l'épaisseur de fenêtre souhaitée et enfin polies pour obtenir la finition de surface souhaitée.
Diagramme détaillé
