Plaquette de saphir de 156 mm, 159 mm, 6 pouces, pour support C-Plane DSP TTV
Spécification
| Article | Plaquettes de saphir C-plane (0001) de 6 pouces | |
| Matériaux cristallins | Al2O3 monocristallin de haute pureté à 99,999 % | |
| Grade | Prime, Epi-Ready | |
| Orientation de la surface | Plan C (0001) | |
| Angle hors plan C par rapport à l'axe M 0,2 +/- 0,1° | ||
| Diamètre | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Épaisseur | 650 μm +/- 25 μm | |
| Orientation principale à plat | Plan C (00-01) +/- 0,2° | |
| Poli sur une seule face | Surface avant | Épipoli, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
| (SSP) | Surface arrière | Broyage fin, Ra = 0,8 μm à 1,2 μm |
| Double face polie | Surface avant | Épipoli, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
| (DSP) | Surface arrière | Épipoli, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| ARC | < 20 μm | |
| CHAÎNE | < 20 μm | |
| Nettoyage / Emballage | Nettoyage en salle blanche classe 100 et conditionnement sous vide, | |
| 25 pièces dans un emballage de cassette ou un emballage individuel. | ||
La méthode Kylopoulos (méthode KY) est actuellement utilisée par de nombreuses entreprises en Chine pour produire des cristaux de saphir destinés aux industries de l'électronique et de l'optique.
Dans ce procédé, de l'oxyde d'aluminium de haute pureté est fondu dans un creuset à des températures supérieures à 2 100 °C. Le creuset est généralement en tungstène ou en molybdène. Un germe cristallin, précisément orienté, est immergé dans l'alumine en fusion. Ce germe cristallin est lentement tiré vers le haut et peut être mis en rotation simultanément. Un contrôle précis du gradient de température, de la vitesse de tirage et de la vitesse de refroidissement permet d'obtenir un lingot monocristallin de grande taille, presque cylindrique, à partir de la masse fondue.
Une fois les lingots de saphir monocristallin cultivés, ils sont percés en tiges cylindriques, qui sont ensuite coupées à l'épaisseur de fenêtre souhaitée et enfin polies à la finition de surface souhaitée.
Diagramme détaillé
