Substrat de saphir à motifs de 2 pouces de 4 pouces 6 pouces (PSS) sur lequel le matériau GaN est cultivé peut utiliser pour l'éclairage LED
Caractéristiques principales
1. Caractéristiques structurelles:
La surface du PSS a un cône ordonné ou un motif conique triangulaire dont la forme, la taille et la distribution peuvent être contrôlées en ajustant les paramètres du processus de gravure.
Ces structures graphiques aident à modifier le chemin de propagation de la lumière et à réduire la réflexion totale de la lumière, améliorant ainsi l'efficacité de l'extraction de la lumière.
2. Caractéristiques du matériau:
Le PSS utilise un saphir de haute qualité comme matériau de substrat, qui a les caractéristiques d'une dureté élevée, d'une conductivité thermique élevée, d'une bonne stabilité chimique et d'une transparence optique.
Ces caractéristiques permettent aux PS de résister aux environnements durs tels que des températures et des pressions élevées tout en conservant d'excellentes performances optiques.
3. Performance optique:
En modifiant la diffusion multiple à l'interface entre le substrat Gan et Sapphire, PSS fait que les photons qui sont complètement reflétés à l'intérieur de la couche Gan ont une chance d'échapper au substrat de saphir.
Cette caractéristique améliore considérablement l'efficacité d'extraction de la lumière de la LED et améliore l'intensité lumineuse de la LED.
4. Caractéristiques du processus:
Le processus de fabrication du PSS est relativement complexe, impliquant plusieurs étapes telles que la lithographie et la gravure, et nécessite des équipements de haute précision et un contrôle des processus.
Cependant, avec l'avancement continu de la technologie et la réduction des coûts, le processus de fabrication du PSS est progressivement optimisé et amélioré.
Avantage de base
1. Improve Efficacité d'extraction de la lumière: le PSS améliore considérablement l'efficacité d'extraction de la lumière de la LED en modifiant le chemin de propagation de la lumière et en réduisant la réflexion totale.
2. Life de LED par la présceinte: le PSS peut réduire la densité de dislocation des matériaux épitaxiaux GaN, réduisant ainsi la recombinaison non radiative et le courant de fuite inverse dans la région active, prolongeant la durée de vie de la LED.
3. Improve la luminosité LED: En raison de l'amélioration de l'efficacité d'extraction de la lumière et de l'extension de la durée de vie LED, l'intensité lumineuse LED sur le PSS est considérablement améliorée.
4. Réduire les coûts de production: bien que le processus de fabrication des PS soit relativement complexe, il peut considérablement améliorer l'efficacité lumineuse et la vie de la LED, réduisant ainsi les coûts de production dans une certaine mesure et améliorant la compétitivité du produit.
Zones d'application principales
1. Éclairage LED: PSS en tant que matériau de substrat pour les puces LED, peut améliorer considérablement l'efficacité lumineuse et la durée de vie de la LED.
Dans le domaine de l'éclairage LED, le PSS est largement utilisé dans divers produits d'éclairage, tels que les réverbères, les lampes de table, les feux de voiture, etc.
2. Dispositifs sémicondants: En plus de l'éclairage LED, les PS peuvent également être utilisés pour fabriquer d'autres dispositifs de semi-conducteurs, tels que les détecteurs de lumière, les lasers, etc.
3. Intégration optoélectronique: Les propriétés optiques et la stabilité des PS en font l'un des matériaux idéaux dans le domaine de l'intégration optoélectronique. Dans l'intégration optoélectronique, les PS peuvent être utilisés pour faire des guides d'ondes optiques, des commutateurs optiques et d'autres composants pour réaliser la transmission et le traitement des signaux optiques.
Paramètres techniques
Article | Substrat saphir à motifs (2 ~ 6 pouces) | ||
Diamètre | 50,8 ± 0,1 mm | 100,0 ± 0,2 mm | 150,0 ± 0,3 mm |
Épaisseur | 430 ± 25μm | 650 ± 25μm | 1000 ± 25μm |
Orientation de surface | Plan C (0001) en angle vers l'angle M (10-10) 0,2 ± 0,1 ° | ||
Plan C (0001) en angle vers l'angle A (11-20) 0 ± 0,1 ° | |||
Orientation plate primaire | Plan A (11-20) ± 1,0 ° | ||
Longueur plate primaire | 16,0 ± 1,0 mm | 30,0 ± 1,0 mm | 47,5 ± 2,0 mm |
R-plan | 9-o'clock | ||
Finition de surface avant | À motifs | ||
Finition de surface arrière | SSP: fin fin, RA = 0,8-1,2UM; DSP: Poli, RA <0,3 nm | ||
Marque laser | Arrière | ||
TTV | ≤8μm | ≤ 10 μm | ≤20 μm |
ARC | ≤ 10 μm | ≤15μm | ≤25 μm |
CHAÎNE | ≤12μm | ≤20 μm | ≤ 30 μm |
Exclusion de bord | ≤2 mm | ||
Spécification du modèle | Structure de forme | Dôme, cône, pyramide | |
Hauteur du motif | 1,6 ~ 1,8 μm | ||
Diamètre du motif | 2,75 ~ 2,85 μm | ||
Espace motif | 0,1 ~ 0,3 μm |
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Diagramme détaillé


