Plaquettes de carbure de silicium de 2 pouces, substrats SiC de type N ou semi-isolants, 6H ou 4H
Produits recommandés
Plaquette de SiC 4H de type N
Diamètre : 2 pouces (50,8 mm) | 4 pouces (100 mm) | 6 pouces (150 mm)
Orientation : hors axe 4,0˚ vers <1120> ± 0,5˚
Résistivité : < 0,1 ohm.cm
Rugosité : face Si CMP Ra < 0,5 nm, face C polissage optique Ra < 1 nm
Plaquette de SiC 4H semi-isolante
Diamètre : 2 pouces (50,8 mm) | 4 pouces (100 mm) | 6 pouces (150 mm)
Orientation : sur l'axe {0001} ± 0,25˚
Résistivité : >10⁵ ohm.cm
Rugosité : face Si CMP Ra < 0,5 nm, face C polissage optique Ra < 1 nm
1. Infrastructure 5G – alimentation électrique pour la communication.
L'alimentation électrique de communication constitue la base énergétique des communications entre serveurs et stations de base. Elle fournit l'énergie électrique nécessaire aux différents équipements de transmission afin d'assurer le bon fonctionnement du système de communication.
2. Borne de recharge pour véhicules à énergies nouvelles -- module d'alimentation de la borne de recharge.
L'utilisation de carbure de silicium dans le module d'alimentation de la borne de recharge permet d'obtenir un rendement et une puissance élevés, améliorant ainsi la vitesse de charge et réduisant son coût.
3. Centre de données à grande échelle, Internet industriel – alimentation électrique des serveurs.
L'alimentation du serveur constitue sa principale source d'énergie. Elle fournit l'énergie nécessaire au bon fonctionnement du système. L'utilisation de composants de puissance en carbure de silicium dans l'alimentation du serveur permet d'améliorer la densité de puissance et l'efficacité de cette alimentation, de réduire le volume global du centre de données, de diminuer son coût de construction et d'obtenir une meilleure efficacité environnementale.
4. UHT - Application des disjoncteurs CC à transmission flexible.
5. Trains à grande vitesse interurbains et transport ferroviaire interurbain -- convertisseurs de traction, transformateurs d'électronique de puissance, convertisseurs auxiliaires, alimentations auxiliaires.
Paramètre
| Propriétés | unité | Silicium | SiC | GaN |
| Largeur de la bande interdite | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
| Champ de rupture | MV/cm | 0,23 | 2.2 | 3.3 |
| Mobilité électronique | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
| Vitesse de dérive | 10^7 cm/s | 1 | 2.7 | 2.5 |
| conductivité thermique | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |

