Substrat SiC de 200 mm, qualité factice 4H-N, plaquette SiC de 8 pouces

Brève description :

Substrat en carbure de silicium d'un diamètre de 8 pouces (environ 200 mm). Le substrat en carbure de silicium (SiC) est un matériau important pour la fabrication de dispositifs électriques et de dispositifs optoélectroniques. Les substrats SiC de 8 pouces sont couramment utilisés pour fabriquer des dispositifs électroniques haute puissance tels que des MOSFET de puissance, des diodes de puissance et d'autres dispositifs de puissance hautes performances. Ce substrat de grande taille peut améliorer l’efficacité de la production, réduire les coûts de fabrication et permettre la fabrication de dispositifs plus puissants. Le matériau en carbure de silicium présente une excellente conductivité thermique, une résistance aux températures élevées et une résistance aux radiations, ce qui en fait un choix idéal pour la fabrication de dispositifs électriques hautes performances.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Les difficultés techniques de la production de substrats SiC de 8 pouces comprennent :

1. Croissance des cristaux : obtenir une croissance monocristalline de haute qualité de carbure de silicium dans de grands diamètres peut être difficile en raison du contrôle des défauts et des impuretés.

2. Traitement des plaquettes : la plus grande taille des plaquettes de 8 pouces présente des défis en termes d'uniformité et de contrôle des défauts lors du traitement des plaquettes, tels que le polissage, la gravure et le dopage.

3. Homogénéité des matériaux : garantir des propriétés et une homogénéité constantes des matériaux sur l'ensemble du substrat SiC de 8 pouces est techniquement exigeant et nécessite un contrôle précis pendant le processus de fabrication.

4. Coût : La mise à l'échelle de substrats SiC jusqu'à 8 pouces tout en maintenant une qualité de matériau et un rendement élevés peut s'avérer économiquement difficile en raison de la complexité et du coût des processus de production.

5. La résolution de ces difficultés techniques est cruciale pour l’adoption généralisée des substrats SiC de 8 pouces dans les dispositifs de puissance et optoélectroniques hautes performances.

Nous fournissons des substrats en saphir provenant des usines SiC les plus exportatrices de Chine, notamment Tankeblue. Plus de 10 ans d'agence nous ont permis d'entretenir une relation étroite avec l'usine. Nous pouvons vous fournir les substrats SiC 6 pouces et 8 pouces dont vous avez besoin pour un approvisionnement stable et à long terme tout en offrant le meilleur prix.

Tankeblue est une entreprise de haute technologie spécialisée dans le développement, la production et la vente de puces semi-conductrices en carbure de silicium (SiC) de troisième génération. L'entreprise est l'un des principaux producteurs mondiaux de plaquettes SiC.