Substrat épitaxié InP de 2, 3 et 4 pouces, détecteur de lumière APD pour communications par fibre optique ou LiDAR

Substrat de plaquette épitaxiale InP de 2, 3 et 4 pouces, détecteur de lumière APD pour communications par fibre optique ou LiDAR (Image mise en avant)

Description courte :

Le substrat épitaxié InP est le matériau de base pour la fabrication des photodiodes à avalanche (APD). Il s'agit généralement d'un matériau semi-conducteur déposé sur le substrat par épitaxie. Parmi les matériaux couramment utilisés, on trouve le silicium (Si), l'arséniure de gallium (GaAs) et le nitrure de gallium (GaN), qui présentent d'excellentes propriétés photoélectriques. Le photodétecteur APD est un type particulier de photodétecteur qui exploite l'effet photoélectrique d'avalanche pour amplifier le signal de détection. Lorsqu'un photon frappe l'APD, des paires électron-trou sont générées. L'accélération de ces porteurs sous l'action d'un champ électrique peut entraîner la formation de porteurs supplémentaires, un « effet d'avalanche », qui amplifie considérablement le courant de sortie.
Les plaquettes épitaxiées obtenues par MOCvD sont au cœur des applications des diodes à photodétection à avalanche (APD). La couche absorbante est composée de U-InGaAs avec un dopage de fond inférieur à 5 × 10¹⁴ C/cm³. La couche fonctionnelle peut être constituée d'InP ou d'InAlAs. Le substrat épitaxié en InP est le matériau de base pour la fabrication des APD et détermine les performances du détecteur optique. Les photodétecteurs APD sont des photodétecteurs à haute sensibilité, largement utilisés dans les domaines des communications, de la détection et de l'imagerie.

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Caractéristiques

Les principales caractéristiques de la feuille épitaxiale laser InP comprennent

1. Caractéristiques de la bande interdite : L'InP possède une bande interdite étroite, ce qui convient à la détection de la lumière infrarouge à ondes longues, en particulier dans la gamme de longueurs d'onde de 1,3 μm à 1,5 μm.
2. Performances optiques : Le film épitaxié d’InP présente de bonnes performances optiques, notamment en termes de puissance lumineuse et d’efficacité quantique externe à différentes longueurs d’onde. Par exemple, à 480 nm, la puissance lumineuse et l’efficacité quantique externe sont respectivement de 11,2 % et 98,8 %.
3. Dynamique des porteurs : Les nanoparticules (NP) d’InP présentent un comportement de décroissance bi-exponentielle lors de la croissance épitaxiale. La décroissance rapide est attribuée à l’injection de porteurs dans la couche d’InGaAs, tandis que la décroissance lente est liée à la recombinaison des porteurs dans les NP d’InP.
4. Caractéristiques à haute température : Le matériau à puits quantique AlGaInAs/InP présente d'excellentes performances à haute température, ce qui permet d'empêcher efficacement les fuites de flux et d'améliorer les caractéristiques à haute température du laser.
5. Procédé de fabrication : Les feuilles épitaxiales d'InP sont généralement cultivées sur le substrat par épitaxie par jets moléculaires (MBE) ou par dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) pour obtenir des films de haute qualité.
Ces caractéristiques confèrent aux plaquettes épitaxiales laser InP des applications importantes dans les communications par fibre optique, la distribution de clés quantiques et la détection optique à distance.

Les principales applications des comprimés épitaxiés au laser InP comprennent

1. Photonique : Les lasers et détecteurs InP sont largement utilisés dans les communications optiques, les centres de données, l'imagerie infrarouge, la biométrie, la détection 3D et le LiDAR.

2. Télécommunications : Les matériaux InP ont des applications importantes dans l'intégration à grande échelle des lasers à longue longueur d'onde à base de silicium, notamment dans les communications par fibre optique.

3. Lasers infrarouges : Applications des lasers à puits quantiques à base d'InP dans la bande infrarouge moyenne (telle que 4-38 microns), y compris la détection de gaz, la détection d'explosifs et l'imagerie infrarouge.

4. Photonique sur silicium : grâce à la technologie d'intégration hétérogène, le laser InP est transféré sur un substrat à base de silicium pour former une plateforme d'intégration optoélectronique multifonctionnelle sur silicium.

5. Lasers haute performance : Les matériaux InP sont utilisés pour fabriquer des lasers haute performance, tels que les lasers à transistors InGaAsP-InP avec une longueur d'onde de 1,5 microns.

XKH propose des plaquettes épitaxiales InP personnalisées, aux structures et épaisseurs variées, pour de nombreuses applications telles que les communications optiques, les capteurs et les stations de base 4G/5G. Fabriqués à l'aide d'équipements MOCVD de pointe, les produits XKH garantissent performance et fiabilité. Grâce à son vaste réseau de fournisseurs internationaux, XKH peut gérer efficacement le volume des commandes et propose des services à valeur ajoutée comme l'amincissement et la segmentation. Des processus de livraison optimisés assurent le respect des délais et la satisfaction des exigences clients en matière de qualité et de délais de livraison. Après réception, un support technique complet et un service après-vente dédié garantissent une mise en service optimale du produit.