Détecteur de lumière APD pour substrat de plaquette épitaxiale InP de 2 pouces, 3 pouces et 4 pouces pour communications par fibre optique ou LiDAR

Brève description :

Le substrat épitaxial InP est le matériau de base pour la fabrication d'APD, généralement un matériau semi-conducteur déposé sur le substrat par croissance épitaxiale. Les matériaux couramment utilisés sont le silicium (Si), l'arséniure de gallium (GaAs) et le nitrure de gallium (GaN), qui présentent d'excellentes propriétés photoélectriques. Le photodétecteur APD est un type particulier de photodétecteur qui utilise l'effet photoélectrique d'avalanche pour améliorer le signal de détection. Lorsque des photons frappent l'APD, des paires électron-trou sont générées. L'accélération de ces porteurs sous l'action d'un champ électrique peut entraîner la formation de porteurs supplémentaires, un « effet avalanche », qui amplifie considérablement le courant de sortie.
Les plaquettes épitaxiales développées par MOCvD sont au cœur des applications des diodes de photodétection à avalanche. La couche d'absorption est préparée à partir d'un matériau U-InGaAs avec un dopage de fond < 5E14. La couche fonctionnelle peut être constituée d'InP ou d'InAlAs. Le substrat épitaxial InP est le matériau de base pour la fabrication des APD, qui détermine les performances du détecteur optique. Le photodétecteur APD est un photodétecteur haute sensibilité, largement utilisé dans les domaines de la communication, de la détection et de l'imagerie.

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Les principales caractéristiques de la feuille épitaxiale laser InP comprennent

1. Caractéristiques de la bande interdite : l'InP a une bande interdite étroite, ce qui convient à la détection de lumière infrarouge à ondes longues, en particulier dans la gamme de longueurs d'onde de 1,3 μm à 1,5 μm.
2. Performances optiques : Le film épitaxial InP présente de bonnes performances optiques, notamment en termes de puissance lumineuse et d'efficacité quantique externe à différentes longueurs d'onde. Par exemple, à 480 nm, la puissance lumineuse et l'efficacité quantique externe sont respectivement de 11,2 % et 98,8 %.
3. Dynamique des porteurs : les nanoparticules d'InP (NP) présentent un comportement de décroissance exponentielle double lors de la croissance épitaxiale. Le temps de décroissance rapide est attribué à l'injection de porteurs dans la couche d'InGaAs, tandis que le temps de décroissance lent est lié à la recombinaison des porteurs dans les NP d'InP.
4. Caractéristiques à haute température : le matériau de puits quantique AlGaInAs/InP présente d'excellentes performances à haute température, ce qui peut empêcher efficacement les fuites de flux et améliorer les caractéristiques à haute température du laser.
5. Processus de fabrication : les feuilles épitaxiales InP sont généralement cultivées sur le substrat par épitaxie par jet moléculaire (MBE) ou par technologie de dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) pour obtenir des films de haute qualité.
Ces caractéristiques font que les plaquettes épitaxiales laser InP ont des applications importantes dans la communication par fibre optique, la distribution de clés quantiques et la détection optique à distance.

Les principales applications des comprimés épitaxiaux laser InP comprennent

1. Photonique : les lasers et détecteurs InP sont largement utilisés dans les communications optiques, les centres de données, l'imagerie infrarouge, la biométrie, la détection 3D et le LiDAR.

2. Télécommunications : les matériaux InP ont des applications importantes dans l'intégration à grande échelle de lasers à longue longueur d'onde à base de silicium, en particulier dans les communications par fibre optique.

3. Lasers infrarouges : Applications des lasers à puits quantiques à base d'InP dans la bande infrarouge moyenne (comme 4 à 38 microns), y compris la détection de gaz, la détection d'explosifs et l'imagerie infrarouge.

4. Photonique sur silicium : grâce à la technologie d'intégration hétérogène, le laser InP est transféré sur un substrat à base de silicium pour former une plate-forme d'intégration optoélectronique en silicium multifonctionnelle.

5. Lasers hautes performances : les matériaux InP sont utilisés pour fabriquer des lasers hautes performances, tels que les lasers à transistors InGaAsP-InP avec une longueur d'onde de 1,5 microns.

XKH propose des plaquettes épitaxiales InP personnalisées, de différentes structures et épaisseurs, pour une variété d'applications telles que les communications optiques, les capteurs, les stations de base 4G/5G, etc. Fabriqués à l'aide d'équipements MOCVD de pointe, les produits XKH garantissent des performances et une fiabilité élevées. Côté logistique, XKH dispose d'un large réseau d'approvisionnement international, peut gérer avec souplesse le volume des commandes et fournir des services à valeur ajoutée tels que l'amincissement, la segmentation, etc. Des processus de livraison efficaces garantissent des livraisons ponctuelles et répondent aux exigences de qualité et de délais de livraison des clients. Après réception, les clients bénéficient d'une assistance technique et d'un service après-vente complets pour garantir une mise en service optimale du produit.