Détecteur de lumière APD de substrat de plaquette épitaxiale InP de 2 pouces 3 pouces 4 pouces pour les communications par fibre optique ou LiDAR

Détecteur de lumière APD à substrat de plaquette épitaxiale InP de 2 pouces, 3 pouces et 4 pouces pour les communications par fibre optique ou LiDAR

Brève description :

Le substrat épitaxial InP est le matériau de base pour la fabrication de l'APD, généralement un matériau semi-conducteur déposé sur le substrat par technologie de croissance épitaxiale. Les matériaux couramment utilisés comprennent le silicium (Si), l'arséniure de gallium (GaAs), le nitrure de gallium (GaN), etc., dotés d'excellentes propriétés photoélectriques. Le photodétecteur APD est un type spécial de photodétecteur qui utilise l'effet photoélectrique d'avalanche pour améliorer le signal de détection. Lorsque des photons arrivent sur l'APD, des paires électron-trou sont générées. L'accélération de ces porteurs sous l'action d'un champ électrique peut conduire à la formation d'un plus grand nombre de porteurs, un « effet d'avalanche », qui amplifie considérablement le courant de sortie.
Les tranches épitaxiales cultivées par MOCvD sont au centre des applications de diodes de photodétection à avalanche. La couche d'absorption a été préparée avec un matériau U-InGaAs avec un dopage de fond <5E14. La couche fonctionnelle peut utiliser InP ou InAlAslayer. Le substrat épitaxial InP est le matériau de base pour la fabrication de l'APD, qui détermine les performances du détecteur optique. Le photodétecteur APD est une sorte de photodétecteur à haute sensibilité, largement utilisé dans les domaines de la communication, de la détection et de l'imagerie.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Les principales caractéristiques de la feuille épitaxiale laser InP comprennent

1. Caractéristiques de la bande interdite : InP a une bande interdite étroite, qui convient à la détection de la lumière infrarouge à ondes longues, en particulier dans la plage de longueurs d'onde de 1,3 μm à 1,5 μm.
2. Performances optiques : le film épitaxial InP a de bonnes performances optiques, telles que la puissance lumineuse et l'efficacité quantique externe à différentes longueurs d'onde. Par exemple, à 480 nm, la puissance lumineuse et l’efficacité quantique externe sont respectivement de 11,2 % et 98,8 %.
3. Dynamique des porteurs : les nanoparticules InP (NP) présentent un comportement de désintégration double exponentielle lors de la croissance épitaxiale. Le temps de désintégration rapide est attribué à l’injection de porteurs dans la couche InGaAs, tandis que le temps de désintégration lent est lié à la recombinaison des porteurs dans les NP InP.
4. Caractéristiques à haute température : le matériau de puits quantique AlGaInAs/InP a d'excellentes performances à haute température, ce qui peut efficacement empêcher les fuites de flux et améliorer les caractéristiques à haute température du laser.
5. Processus de fabrication : les feuilles épitaxiales InP sont généralement cultivées sur le substrat par épitaxie par jet moléculaire (MBE) ou par technologie de dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) pour obtenir des films de haute qualité.
Ces caractéristiques font que les plaquettes épitaxiales laser InP ont des applications importantes dans la communication par fibre optique, la distribution de clés quantiques et la détection optique à distance.

Les principales applications des comprimés épitaxiaux laser InP comprennent

1. Photonique : les lasers et détecteurs InP sont largement utilisés dans les communications optiques, les centres de données, l'imagerie infrarouge, la biométrie, la détection 3D et le LiDAR.

2. Télécommunications : les matériaux InP ont des applications importantes dans l'intégration à grande échelle de lasers à longue longueur d'onde à base de silicium, en particulier dans les communications par fibre optique.

3. Lasers infrarouges : Applications des lasers à puits quantiques basés sur InP dans la bande infrarouge moyenne (telle que 4 à 38 microns), y compris la détection de gaz, la détection d'explosifs et l'imagerie infrarouge.

4. Photonique sur silicium : grâce à une technologie d'intégration hétérogène, le laser InP est transféré sur un substrat à base de silicium pour former une plate-forme d'intégration optoélectronique multifonctionnelle sur silicium.

5. Lasers haute performance : les matériaux InP sont utilisés pour fabriquer des lasers haute performance, tels que les lasers à transistors InGaAsP-InP d'une longueur d'onde de 1,5 microns.

XKH propose des tranches épitaxiales InP personnalisées avec différentes structures et épaisseurs, couvrant une variété d'applications telles que les communications optiques, les capteurs, les stations de base 4G/5G, etc. Les produits XKH sont fabriqués à l'aide d'équipements MOCVD avancés pour garantir des performances et une fiabilité élevées. En termes de logistique, XKH dispose d'un large éventail de canaux d'approvisionnement internationaux, peut gérer de manière flexible le nombre de commandes et fournir des services à valeur ajoutée tels que l'éclaircissage, la segmentation, etc. Des processus de livraison efficaces garantissent une livraison à temps et répondent aux exigences des clients en matière de qualité et délais de livraison. Après leur arrivée, les clients peuvent bénéficier d’une assistance technique complète et d’un service après-vente pour garantir une mise en service fluide du produit.