Substrat de plaquette de germanium monocristallin de 50,8 mm (2 pouces) 1SP 2SP

Description courte :

Le germanium de haute pureté est un matériau semi-conducteur utilisé dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Un monocristal de germanium dopé avec des traces d'impuretés spécifiques peut servir à la fabrication de divers transistors, redresseurs et autres composants. Ce monocristal de haute pureté possède un coefficient de réfraction élevé ; transparent à l'infrarouge, il est opaque à la lumière visible et infrarouge et peut être utilisé comme prisme ou lentille pour la lumière infrarouge. Les composés de germanium entrent dans la composition de plaques fluorescentes et de divers verres à indice de réfraction élevé. On l'utilise également dans les détecteurs de rayonnement et les matériaux thermoélectriques.


Caractéristiques

Informations détaillées

Les puces au germanium possèdent des propriétés semi-conductrices. Elles ont joué un rôle important dans le développement de la physique et de l'électronique du solide. Le germanium a une densité de fusion de 5,32 g/cm³. Il peut être classé comme un métal dispersé en couches minces. Chimiquement stable, il ne réagit pas avec l'air ni la vapeur d'eau à température ambiante, mais entre 600 et 700 °C, du dioxyde de germanium se forme rapidement. Il est inerte face à l'acide chlorhydrique et à l'acide sulfurique dilué. Chauffé dans de l'acide sulfurique concentré, il se dissout lentement. Il se dissout facilement dans l'acide nitrique et l'eau régale. L'effet des solutions alcalines sur le germanium est très faible, mais les alcalis fondus à l'air libre peuvent le dissoudre rapidement. Le germanium est inerte face au carbone ; il est donc fondu dans un creuset en graphite sans risque de contamination carbonée. Le germanium possède d'excellentes propriétés semi-conductrices, telles que la mobilité des électrons et des trous. Son développement présente encore un fort potentiel.

Spécification

Méthode de croissance CZ
Institut de cristal Système cubique
Constante de réseau a=5,65754 Å
Densité 5,323 g/cm3
Point de fusion 937,4℃
dopage Dédopage Dopage-Sb Dopage-Ga
Taper /

N

P
résistance >35Ωcm 0,01 à 35 Ωcm 0,05 à 35 Ωcm
EPD <4×103∕cm2 <4×103∕cm2 <4×103∕cm2
Diamètre 2 pouces/50,8 mm
Épaisseur 0,5 mm, 1,0 mm
Surface DSP et SSP
Orientation <100>、<110>、<111>、±0,5º
Ra ≤5Å (5 µm × 5 µm)
Emballer Pack de 100 niveaux, salle de 1000 niveaux

Diagramme détaillé

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