Substrat de plaquette de germanium monocristallin 2 pouces 50,8 mm 1SP 2SP

Brève description :

Le germanium de haute pureté est un matériau semi-conducteur utilisé dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Le monocristal de germanium dopé avec des traces d'impuretés spécifiques peut être utilisé pour fabriquer divers transistors, redresseurs et autres dispositifs. Il présente un coefficient de réfraction élevé, est transparent à l'infrarouge, mais pas à la lumière visible et infrarouge, et peut être utilisé comme prisme ou lentille pour la lumière infrarouge. Les composés de germanium entrent dans la fabrication de plaques fluorescentes et de divers verres à haute réfraction. Il est également utilisé dans les détecteurs de rayonnement et les matériaux thermoélectriques.


Détails du produit

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Informations détaillées

Les puces en germanium possèdent des propriétés semi-conductrices. Elles ont joué un rôle important dans le développement de la physique et de l'électronique du solide. Le germanium a une masse volumique de fusion de 5,32 g/cm³. Il peut être classé comme un métal dispersé en fines particules. Sa stabilité chimique le rend insensible à l'air et à la vapeur d'eau à température ambiante. Cependant, à 600-700 °C, il produit rapidement du dioxyde de germanium. L'acide chlorhydrique et l'acide sulfurique dilué ne sont pas compatibles. Le germanium se dissout lentement lorsque l'acide sulfurique concentré est chauffé. Dans l'acide nitrique et l'eau régale, il se dissout facilement. L'effet d'une solution alcaline sur le germanium est très faible, mais un alcali fondu à l'air peut le dissoudre rapidement. Le germanium ne fonctionne pas avec le carbone ; il est donc fondu dans un creuset en graphite et ne sera pas contaminé par celui-ci. Le germanium possède de bonnes propriétés semi-conductrices, telles que la mobilité des électrons et des trous, etc. Le développement du germanium présente encore un fort potentiel.

Spécification

Méthode de croissance CZ
instrument en cristal Système cubique
Constante de réseau a=5,65754 Å
Densité 5,323 g/cm3
Point de fusion 937,4℃
Dopage Dédopage Dopage-Sb Dopage-Ga
Taper /

N

P
résistance >35Ωcm 0,01~35 Ωcm 0,05~35 Ωcm
DEP <4×103∕cm2 <4×103∕cm2 <4×103∕cm2
Diamètre 2 pouces/50,8 mm
Épaisseur 0,5 mm, 1,0 mm
Surface DSP et SSP
Orientation <100>、<110>、<111>、±0,5º
Ra ≤5Å(5µm×5µm)
Emballer Forfait de qualité 100, chambre de qualité 1000

Diagramme détaillé

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