Plaquettes de carbure de silicium SiC de 2 pouces (50,8 mm) dopé Si type N, production, recherche et qualité factice

Matériau du substrat : carbure de silicium 4H (4H-SiC)

Structure cristalline : tétrahexaédrique (4H)

Dopage : Non dopé (4H-N)

Taille : 2 pouces

Type de conductivité : type N (dopé n)

Conductivité : Semi-conducteur

Perspectives de marché : Les plaquettes de SiC non dopées 4H-N présentent de nombreux avantages, tels qu'une conductivité thermique élevée, une faible perte de conduction, une excellente résistance aux hautes températures et une stabilité mécanique élevée. Elles offrent ainsi un vaste potentiel de marché pour l'électronique de puissance et les applications RF. Avec le développement des énergies renouvelables, des véhicules électriques et des communications, la demande de dispositifs à haut rendement, fonctionnant à haute température et offrant une grande tolérance à la puissance augmente, ce qui ouvre de nouvelles perspectives de marché pour les plaquettes de SiC non dopées 4H-N.

Utilisations : Les plaquettes de SiC non dopées 4H-N de 2 pouces peuvent être utilisées pour fabriquer une variété de dispositifs électroniques de puissance et RF, y compris, mais sans s'y limiter :

MOSFET 1-4H-SiC : transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur pour applications haute puissance/haute température. Ces dispositifs présentent de faibles pertes de conduction et de commutation, pour une efficacité et une fiabilité accrues.

JFET 2-4H-SiC : FET à jonction pour amplificateurs de puissance RF et applications de commutation. Ces dispositifs offrent des performances haute fréquence et une grande stabilité thermique.

Diodes Schottky 3-4H-SiC : diodes pour applications haute puissance, haute température et haute fréquence. Ces dispositifs offrent un rendement élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

Dispositifs optoélectroniques 4-4H-SiC : dispositifs utilisés dans des domaines tels que les diodes laser haute puissance, les détecteurs UV et les circuits intégrés optoélectroniques. Ces dispositifs présentent des caractéristiques de puissance et de fréquence élevées.

En résumé, les plaquettes de SiC non dopées 4H-N de 2 pouces offrent un potentiel pour un large éventail d'applications, notamment en électronique de puissance et en RF. Leurs performances supérieures et leur stabilité à haute température en font un candidat sérieux pour remplacer les matériaux silicium traditionnels dans les applications hautes performances, hautes températures et haute puissance.