Plaquettes SiC en carbure de silicium de 2 pouces, 50.8mm, dopées, recherche sur la production de type Si N et qualité factice

Matériau du substrat : carbure de silicium 4H (4H-SiC)

Structure cristalline : tétrahexaédrique (4H)

Dopage : Non dopé (4H-N)

Taille: 2 pouces

Type de conductivité : type N (dopé n)

Conductivité : Semi-conducteur

Perspectives du marché : les plaquettes SiC non dopées 4H-N présentent de nombreux avantages, tels qu'une conductivité thermique élevée, une faible perte de conduction, une excellente résistance aux températures élevées et une stabilité mécanique élevée, et offrent ainsi de larges perspectives de marché dans le domaine de l'électronique de puissance et des applications RF. Avec le développement des énergies renouvelables, des véhicules électriques et des communications, il existe une demande croissante de dispositifs à haut rendement, fonctionnant à haute température et à haute tolérance de puissance, ce qui offre une opportunité de marché plus large pour les tranches de SiC non dopées 4H-N.

Utilisations : les plaquettes SiC non dopées 4H-N de 2 pouces peuvent être utilisées pour fabriquer une variété d'électronique de puissance et de dispositifs RF, y compris, mais sans s'y limiter :

MOSFET 1--4H-SiC : transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde métallique pour les applications haute puissance/haute température. Ces dispositifs ont de faibles pertes de conduction et de commutation pour offrir une efficacité et une fiabilité supérieures.

JFET 2--4H-SiC : FET de jonction pour amplificateurs de puissance RF et applications de commutation. Ces appareils offrent des performances haute fréquence et une stabilité thermique élevée.

Diodes Schottky 3--4H-SiC : diodes pour applications haute puissance, haute température et haute fréquence. Ces dispositifs offrent un rendement élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

Dispositifs optoélectroniques 4--4H-SiC : dispositifs utilisés dans des domaines tels que les diodes laser haute puissance, les détecteurs UV et les circuits intégrés optoélectroniques. Ces appareils ont des caractéristiques de puissance et de fréquence élevées.

En résumé, les plaquettes SiC non dopées 4H-N de 2 pouces ont le potentiel pour une large gamme d'applications, notamment dans l'électronique de puissance et la RF. Leurs performances supérieures et leur stabilité à haute température en font un concurrent sérieux pour remplacer les matériaux silicium traditionnels pour les applications hautes performances, hautes températures et haute puissance.