Plaquettes de carbure de silicium (SiC) de 2 pouces (50,8 mm) dopées au silicium de type N, qualité recherche et prototype

Matériau du substrat : carbure de silicium 4H (4H-SiC)

Structure cristalline : tétrahexaédrique (4H)

Dopage : Non dopé (4H-N)

Taille : 2 pouces

Type de conductivité : type N (dopé n)

Conductivité : Semiconducteur

Perspectives du marché : Les plaquettes de SiC non dopées 4H-N présentent de nombreux avantages, tels qu’une conductivité thermique élevée, de faibles pertes par conduction, une excellente résistance aux hautes températures et une grande stabilité mécanique. Elles offrent ainsi de vastes perspectives de marché dans les applications d’électronique de puissance et de radiofréquences. Le développement des énergies renouvelables, des véhicules électriques et des communications engendre une demande croissante en dispositifs à haut rendement, capables de fonctionner à haute température et de supporter une forte puissance, ce qui ouvre de nouvelles perspectives de marché pour les plaquettes de SiC non dopées 4H-N.

Utilisations : Les plaquettes de SiC non dopées 4H-N de 2 pouces peuvent être utilisées pour fabriquer une variété de dispositifs électroniques de puissance et RF, y compris, mais sans s’y limiter :

1-4H-SiC MOSFETs : transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur destinés aux applications haute puissance/haute température. Ces dispositifs présentent de faibles pertes de conduction et de commutation, ce qui leur confère une efficacité et une fiabilité accrues.

JFET 2-4H-SiC : transistors à effet de champ à jonction (JFET) pour amplificateurs de puissance RF et applications de commutation. Ces dispositifs offrent des performances à haute fréquence et une grande stabilité thermique.

Diodes Schottky 3-4H-SiC : diodes destinées aux applications haute puissance, haute température et haute fréquence. Ces composants offrent un rendement élevé et de faibles pertes par conduction et commutation.

Dispositifs optoélectroniques 4-4H-SiC : Ces dispositifs sont utilisés dans des domaines tels que les diodes laser de forte puissance, les détecteurs UV et les circuits intégrés optoélectroniques. Ils présentent des caractéristiques de puissance et de fréquence élevées.

En résumé, les plaquettes de SiC 4H-N non dopées de 2 pouces présentent un fort potentiel pour de nombreuses applications, notamment en électronique de puissance et en radiofréquences. Leurs performances supérieures et leur stabilité à haute température en font une alternative sérieuse aux matériaux en silicium traditionnels pour les applications hautes performances, hautes températures et haute puissance.