Substrat en carbure de silicium 6H-N, 2 pouces, plaquette Sic, Double qualité conductrice polie, qualité Mos

Le substrat monocristallin en carbure de silicium (SiC) de type n 6H est un matériau semi-conducteur essentiel largement utilisé dans les applications électroniques haute puissance, haute fréquence et haute température. Réputé pour sa structure cristalline hexagonale, le SiC 6H-N offre une large bande interdite et une conductivité thermique élevée, ce qui le rend idéal pour les environnements exigeants.
Le champ électrique de claquage élevé et la mobilité électronique de ce matériau permettent le développement de dispositifs électroniques de puissance efficaces, tels que les MOSFET et les IGBT, capables de fonctionner à des tensions et des températures plus élevées que celles fabriquées à partir de silicium traditionnel. Son excellente conductivité thermique garantit une dissipation thermique efficace, essentielle au maintien des performances et de la fiabilité dans les applications haute puissance.
Dans les applications radiofréquences (RF), les propriétés du SiC 6H-N permettent la création de dispositifs capables de fonctionner à des fréquences plus élevées avec une efficacité améliorée. Sa stabilité chimique et sa résistance aux radiations le rendent également adapté à une utilisation dans des environnements difficiles, notamment dans les secteurs de l'aérospatiale et de la défense.
De plus, les substrats SiC 6H-N font partie intégrante des dispositifs optoélectroniques, tels que les photodétecteurs ultraviolets, où leur large bande interdite permet une détection efficace de la lumière UV. La combinaison de ces propriétés fait du SiC 6H de type n un matériau polyvalent et indispensable pour faire progresser les technologies électroniques et optoélectroniques modernes.