Plaquette de substrat SiC semi-isolante en carbure de silicium 4H de 3 pouces 76,2 mm

Les plaquettes de substrat SiC (carbure de silicium) semi-isolées 4H de 3 pouces sont un matériau semi-conducteur couramment utilisé. 4H indique une structure cristalline tétrahexaédrique. La semi-isolation signifie que le substrat présente des caractéristiques de résistance élevées et peut être isolé du flux de courant.

Ces plaquettes de substrat présentent les caractéristiques suivantes : conductivité thermique élevée, faibles pertes de conduction, excellente résistance aux hautes températures et excellente stabilité mécanique et chimique. Grâce à sa large bande interdite et à sa capacité à supporter des températures et des champs électriques élevés, le carbure de silicium est largement utilisé dans l'électronique de puissance et les dispositifs radiofréquences (RF).

Les principales applications des plaquettes semi-isolées 4H-SiC comprennent :

1--Électronique de puissance : les plaquettes de 4H-SiC peuvent être utilisées pour fabriquer des dispositifs de commutation de puissance tels que les MOSFET (transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur), les IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) et les diodes Schottky. Ces dispositifs présentent des pertes de conduction et de commutation plus faibles dans les environnements haute tension et haute température, et offrent un rendement et une fiabilité supérieurs.

2--Dispositifs radiofréquence (RF) : Les plaquettes semi-isolées en 4H-SiC peuvent être utilisées pour fabriquer des amplificateurs de puissance RF haute puissance et haute fréquence, des résistances, des filtres et d'autres dispositifs. Le carbure de silicium offre de meilleures performances à haute fréquence et une meilleure stabilité thermique grâce à son taux de dérive de saturation électronique plus élevé et à sa conductivité thermique plus élevée.

3--Dispositifs optoélectroniques : les plaquettes semi-isolées 4H-SiC peuvent être utilisées pour fabriquer des diodes laser haute puissance, des détecteurs de lumière UV et des circuits intégrés optoélectroniques.

En termes d'orientation du marché, la demande de plaquettes semi-isolées en 4H-SiC augmente avec l'essor des secteurs de l'électronique de puissance, de la RF et de l'optoélectronique. Cela s'explique par le large éventail d'applications du carbure de silicium, notamment l'efficacité énergétique, les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les communications. À l'avenir, le marché des plaquettes semi-isolées en 4H-SiC reste très prometteur et devrait remplacer les matériaux en silicium conventionnels dans diverses applications.