Plaquette SiC semi-isolante de haute pureté de 3 pouces (HPSI), 350um, qualité factice, qualité supérieure

Brève description :

La plaquette SiC HPSI (carbure de silicium de haute pureté), d'un diamètre de 3 pouces et d'une épaisseur de 350 µm ± 25 µm, est conçue pour les applications d'électronique de puissance de pointe. Les plaquettes SiC sont réputées pour leurs propriétés matérielles exceptionnelles, telles qu'une conductivité thermique élevée, une résistance à haute tension et une perte d'énergie minimale, qui en font un choix privilégié pour les dispositifs à semi-conducteurs de puissance. Ces plaquettes sont conçues pour résister à des conditions extrêmes, offrant des performances améliorées dans des environnements à haute fréquence, haute tension et haute température, tout en garantissant une efficacité énergétique et une durabilité accrues.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Application

Les plaquettes HPSI SiC jouent un rôle essentiel dans la création de dispositifs d'alimentation de nouvelle génération, qui sont utilisés dans une variété d'applications hautes performances :
Systèmes de conversion de puissance : les plaquettes SiC servent de matériau de base pour les dispositifs de puissance tels que les MOSFET de puissance, les diodes et les IGBT, qui sont cruciaux pour une conversion de puissance efficace dans les circuits électriques. Ces composants se trouvent dans les alimentations à haut rendement, les entraînements de moteur et les onduleurs industriels.

Véhicules électriques (VE) :La demande croissante de véhicules électriques nécessite l’utilisation d’une électronique de puissance plus efficace, et les plaquettes SiC sont à l’avant-garde de cette transformation. Dans les groupes motopropulseurs de véhicules électriques, ces plaquettes offrent un rendement élevé et des capacités de commutation rapides, qui contribuent à des temps de charge plus rapides, à une autonomie plus longue et à des performances globales améliorées du véhicule.

Énergie renouvelable :Dans les systèmes d'énergie renouvelable tels que l'énergie solaire et éolienne, les plaquettes SiC sont utilisées dans les onduleurs et les convertisseurs qui permettent une capture et une distribution d'énergie plus efficaces. La conductivité thermique élevée et la tension de claquage supérieure du SiC garantissent un fonctionnement fiable de ces systèmes, même dans des conditions environnementales extrêmes.

Automatisation industrielle et robotique :L'électronique de puissance haute performance dans les systèmes d'automatisation industrielle et la robotique nécessitent des dispositifs capables de commuter rapidement, de gérer des charges de puissance importantes et de fonctionner sous des contraintes élevées. Les semi-conducteurs à base de SiC répondent à ces exigences en offrant une efficacité et une robustesse supérieures, même dans des environnements d'exploitation difficiles.

Systèmes de télécommunications :Dans les infrastructures de télécommunications, où une fiabilité élevée et une conversion d'énergie efficace sont essentielles, les plaquettes SiC sont utilisées dans les alimentations électriques et les convertisseurs DC-DC. Les dispositifs SiC contribuent à réduire la consommation d'énergie et à améliorer les performances du système dans les centres de données et les réseaux de communication.

En fournissant une base solide pour les applications haute puissance, la plaquette HPSI SiC permet le développement de dispositifs économes en énergie, aidant ainsi les industries à passer à des solutions plus écologiques et plus durables.

Propriétés

opération	Qualité de production	Niveau de recherche	Qualité factice
Diamètre	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm
Épaisseur	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm
Orientation de la plaquette	Sur axe : <0001> ± 0,5°	Sur l'axe : <0001> ± 2,0°	Sur l'axe : <0001> ± 2,0°
Densité des microtubes pour 95 % des plaquettes (MPD)	≤ 1 cm⁻²	≤ 5 cm⁻²	≤ 15 cm⁻²
Résistivité électrique	≥ 1E7 Ω·cm	≥ 1E6 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Dopant	Non dopé	Non dopé	Non dopé
Orientation plate principale	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°
Longueur à plat primaire	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm
Longueur plate secondaire	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm
Orientation plate secondaire	Si face vers le haut : 90° CW à partir du plat primaire ± 5,0°	Si face vers le haut : 90° CW à partir du plat primaire ± 5,0°	Si face vers le haut : 90° CW à partir du plat primaire ± 5,0°
Exclusion de bord	3 mm	3 mm	3 mm
LTV/TTV/Arc/Warp	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm
Rugosité de la surface	Face C : polie, face Si : CMP	Face C : polie, face Si : CMP	Face C : polie, face Si : CMP
Fissures (inspectées par une lumière de haute intensité)	Aucun	Aucun	Aucun
Plaques hexagonales (inspectées par une lumière de haute intensité)	Aucun	Aucun	Superficie cumulée 10%
Zones polytypes (inspectées par une lumière de haute intensité)	Superficie cumulée 5%	Superficie cumulée 5%	Superficie cumulée 10%
Rayures (inspectées par une lumière de haute intensité)	≤ 5 rayures, longueur cumulée ≤ 150 mm	≤ 10 rayures, longueur cumulée ≤ 200 mm	≤ 10 rayures, longueur cumulée ≤ 200 mm
Écaillage des bords	Aucun autorisé ≥ 0,5 mm de largeur et de profondeur	2 autorisés, ≤ 1 mm de largeur et de profondeur	5 autorisé, ≤ 5 mm de largeur et de profondeur
Contamination de la surface (inspectée par une lumière de haute intensité)	Aucun	Aucun	Aucun

Avantages clés

Performance thermique supérieure : la conductivité thermique élevée du SiC assure une dissipation efficace de la chaleur dans les appareils électriques, leur permettant de fonctionner à des niveaux de puissance et des fréquences plus élevés sans surchauffe. Cela se traduit par des systèmes plus petits et plus efficaces et des durées de vie opérationnelles plus longues.

Tension de claquage élevée : avec une bande interdite plus large que le silicium, les plaquettes SiC prennent en charge les applications haute tension, ce qui les rend idéales pour les composants électroniques de puissance qui doivent résister à des tensions de claquage élevées, comme dans les véhicules électriques, les systèmes électriques de réseau et les systèmes d'énergie renouvelable.

Perte de puissance réduite : la faible résistance à l'état passant et les vitesses de commutation rapides des dispositifs SiC entraînent une réduction des pertes d'énergie pendant le fonctionnement. Cela améliore non seulement l’efficacité, mais améliore également les économies d’énergie globales des systèmes dans lesquels ils sont déployés.
Fiabilité améliorée dans les environnements difficiles : les propriétés robustes du matériau SiC lui permettent de fonctionner dans des conditions extrêmes, telles que des températures élevées (jusqu'à 600 °C), des tensions élevées et des fréquences élevées. Cela rend les plaquettes SiC adaptées aux applications industrielles, automobiles et énergétiques exigeantes.

Efficacité énergétique : les dispositifs SiC offrent une densité de puissance plus élevée que les dispositifs traditionnels à base de silicium, réduisant ainsi la taille et le poids des systèmes électroniques de puissance tout en améliorant leur efficacité globale. Cela entraîne des économies de coûts et une empreinte environnementale réduite dans des applications telles que les énergies renouvelables et les véhicules électriques.

Évolutivité : le diamètre de 3 pouces et les tolérances de fabrication précises de la plaquette HPSI SiC garantissent qu'elle est évolutive pour la production de masse, répondant à la fois aux exigences de la recherche et de la fabrication commerciale.

Conclusion

La plaquette HPSI SiC, avec son diamètre de 3 pouces et son épaisseur de 350 µm ± 25 µm, est le matériau optimal pour la prochaine génération de dispositifs électroniques de puissance hautes performances. Sa combinaison unique de conductivité thermique, de tension de claquage élevée, de faible perte d'énergie et de fiabilité dans des conditions extrêmes en fait un composant essentiel pour diverses applications dans les domaines de la conversion d'énergie, des énergies renouvelables, des véhicules électriques, des systèmes industriels et des télécommunications.

Cette plaquette SiC est particulièrement adaptée aux industries cherchant à obtenir une efficacité plus élevée, de plus grandes économies d'énergie et une fiabilité améliorée du système. Alors que la technologie de l’électronique de puissance continue d’évoluer, la plaquette HPSI SiC constitue la base du développement de solutions de nouvelle génération économes en énergie, favorisant la transition vers un avenir plus durable et à faibles émissions de carbone.