Production de substrat SiC 3 pouces Dia76,2 mm 4H-N

Les principales caractéristiques des plaquettes mosfet en carbure de silicium de 3 pouces sont les suivantes :

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande interdite, caractérisé par une conductivité thermique élevée, une mobilité électronique élevée et une intensité de champ électrique de claquage élevée. Ces propriétés rendent les plaquettes SiC exceptionnelles dans les applications haute puissance, haute fréquence et haute température. En particulier dans le polytype 4H-SiC, sa structure cristalline offre d'excellentes performances électroniques, ce qui en fait le matériau de choix pour les dispositifs électroniques de puissance.

La plaquette de carbure de silicium 4H-N de 3 pouces est une plaquette dopée à l'azote avec une conductivité de type N. Cette méthode de dopage confère à la tranche une concentration électronique plus élevée, améliorant ainsi les performances conductrices du dispositif. La taille de la tranche, de 3 pouces (diamètre de 76,2 mm), est une dimension couramment utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs, adaptée à divers processus de fabrication.

La plaquette de carbure de silicium 4H-N de 3 pouces est produite à l'aide de la méthode de transport physique de vapeur (PVT). Ce procédé consiste à transformer la poudre de SiC en monocristaux à haute température, garantissant ainsi la qualité cristalline et l'uniformité de la plaquette. De plus, l'épaisseur de la tranche est généralement d'environ 0,35 mm et sa surface est soumise à un polissage double face pour atteindre un niveau extrêmement élevé de planéité et de douceur, ce qui est crucial pour les processus ultérieurs de fabrication de semi-conducteurs.

La gamme d'applications de la plaquette de carbure de silicium 4H-N de 3 pouces est étendue et comprend des dispositifs électroniques haute puissance, des capteurs haute température, des dispositifs RF et des dispositifs optoélectroniques. Ses excellentes performances et sa fiabilité permettent à ces dispositifs de fonctionner de manière stable dans des conditions extrêmes, répondant ainsi à la demande de matériaux semi-conducteurs hautes performances dans l'industrie électronique moderne.

Nous pouvons fournir un substrat SiC 4H-N 3 pouces, différentes qualités de plaquettes de substrat. Nous pouvons également organiser une personnalisation selon vos besoins. Enquête bienvenue !