Substrat SiC de 3 pouces, diamètre de production 76,2 mm 4H-N

Les principales caractéristiques des plaquettes MOSFET en carbure de silicium de 3 pouces sont les suivantes ;

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande interdite, caractérisé par une conductivité thermique élevée, une grande mobilité électronique et un champ électrique de claquage élevé. Ces propriétés confèrent aux plaquettes de SiC un excellent potentiel pour les applications à haute puissance, haute fréquence et haute température. Sa structure cristalline, notamment dans le polytype 4H-SiC, offre d'excellentes performances électroniques, ce qui en fait un matériau de choix pour les dispositifs électroniques de puissance.

La plaquette de carbure de silicium 4H-N de 3 pouces est une plaquette dopée à l'azote avec une conductivité de type N. Ce dopage confère à la plaquette une concentration électronique plus élevée, améliorant ainsi les performances conductrices du dispositif. Sa taille de 3 pouces (76,2 mm de diamètre) est une dimension couramment utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs et convient à divers procédés de fabrication.

La plaquette de carbure de silicium 4H-N de 3 pouces est produite selon la méthode de transport physique de vapeur (PVT). Ce procédé consiste à transformer la poudre de SiC en monocristaux à haute température, garantissant ainsi la qualité cristalline et l'uniformité de la plaquette. De plus, l'épaisseur de la plaquette est généralement d'environ 0,35 mm et sa surface est polie double face pour obtenir une planéité et un lissé exceptionnels, essentiels pour les processus ultérieurs de fabrication des semi-conducteurs.

Le champ d'application de la plaquette de carbure de silicium 4H-N de 3 pouces est vaste, incluant les composants électroniques de haute puissance, les capteurs haute température, les dispositifs RF et les dispositifs optoélectroniques. Ses excellentes performances et sa fiabilité permettent à ces composants de fonctionner de manière stable dans des conditions extrêmes, répondant ainsi à la demande de matériaux semi-conducteurs hautes performances de l'industrie électronique moderne.

Nous proposons des substrats SiC 4H-N de 3 pouces, ainsi que différentes qualités de plaquettes de substrat. Nous pouvons également personnaliser vos produits selon vos besoins. N'hésitez pas à nous contacter !