Substrat SiC de 3 pouces, diamètre de production 76,2 mm, 4H-N

Les principales caractéristiques des plaquettes MOSFET en carbure de silicium de 3 pouces sont les suivantes ;

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande interdite, caractérisé par une conductivité thermique élevée, une mobilité électronique importante et une rigidité diélectrique élevée. Ces propriétés confèrent aux plaquettes de SiC des performances exceptionnelles pour les applications haute puissance, haute fréquence et haute température. Plus particulièrement, le polytype 4H-SiC, grâce à sa structure cristalline, offre d'excellentes performances électroniques, ce qui en fait le matériau de choix pour les dispositifs d'électronique de puissance.

La plaquette de carbure de silicium 4H-N de 3 pouces est dopée à l'azote et présente une conductivité de type N. Ce dopage confère à la plaquette une concentration électronique plus élevée, améliorant ainsi les performances conductrices du dispositif. Son diamètre de 3 pouces (76,2 mm) est une dimension courante dans l'industrie des semi-conducteurs et convient à divers procédés de fabrication.

La plaquette de carbure de silicium 4H-N de 3 pouces est produite par le procédé de transport physique en phase vapeur (PVT). Ce procédé consiste à transformer la poudre de SiC en monocristaux à haute température, garantissant ainsi la qualité cristalline et l'uniformité de la plaquette. De plus, son épaisseur est généralement d'environ 0,35 mm et sa surface est polie sur les deux faces afin d'obtenir une planéité et une régularité exceptionnelles, essentielles pour les étapes de fabrication ultérieures des semi-conducteurs.

Le champ d'application des plaquettes de carbure de silicium 4H-N de 3 pouces est vaste et comprend des dispositifs électroniques de puissance, des capteurs haute température, des dispositifs RF et des dispositifs optoélectroniques. Leurs excellentes performances et leur fiabilité permettent à ces dispositifs de fonctionner de manière stable dans des conditions extrêmes, répondant ainsi aux exigences de l'industrie électronique moderne en matière de matériaux semi-conducteurs haute performance.

Nous proposons des substrats SiC 4H-N de 3 pouces, ainsi que des plaquettes de substrat de différentes qualités. Nous pouvons également réaliser des solutions sur mesure selon vos besoins. N'hésitez pas à nous contacter !