Substrat SiC 4H-N de 4 pouces, carbure de silicium, qualité recherche (produit factice).
Applications
Les plaquettes de substrat monocristallines en carbure de silicium de 4 pouces jouent un rôle important dans de nombreux domaines. Premièrement, elles sont largement utilisées dans l'industrie des semi-conducteurs pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance tels que les transistors de puissance, les circuits intégrés et les modules de puissance. Leur conductivité thermique élevée et leur résistance aux hautes températures leur permettent de mieux dissiper la chaleur et d'offrir une efficacité et une fiabilité accrues. Deuxièmement, les plaquettes en carbure de silicium sont également utilisées dans la recherche pour étudier de nouveaux matériaux et dispositifs. Enfin, elles sont largement utilisées en optoélectronique, notamment pour la fabrication de LED et de diodes laser.
Spécifications d'une plaquette de SiC de 4 pouces
Substrat monocristallin en carbure de silicium de 4 pouces de diamètre (environ 101,6 mm), finition de surface jusqu'à Ra < 0,5 nm, épaisseur de 600 ± 25 µm. La conductivité du substrat est de type N ou P et peut être personnalisée selon les besoins du client. De plus, la puce présente une excellente stabilité mécanique et résiste à certaines pressions et vibrations.
Le substrat monocristallin en carbure de silicium de 2,54 mm (1/4 pouce) est un matériau haute performance largement utilisé dans les secteurs des semi-conducteurs, de la recherche et de l'optoélectronique. Il présente une excellente conductivité thermique, une grande stabilité mécanique et une résistance aux hautes températures, ce qui le rend idéal pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance et la recherche de nouveaux matériaux. Nous proposons un large choix de spécifications et d'options de personnalisation afin de répondre aux besoins variés de nos clients. Pour en savoir plus sur nos substrats en carbure de silicium, veuillez consulter notre site web dédié.
Principaux produits : plaquettes de carbure de silicium, substrats monocristallins en carbure de silicium, 4 pouces, conductivité thermique, stabilité mécanique, résistance aux hautes températures, transistors de puissance, circuits intégrés, modules de puissance, LED, diodes laser, finition de surface, conductivité, options personnalisées
Diagramme détaillé
