Épaisseur factice de la catégorie 500um de recherche de carbure de silicium de plaquette de substrat de SiC de 4H-N 8 pouces

Brève description :

Les plaquettes de carbure de silicium sont utilisées dans les dispositifs électroniques tels que les diodes de puissance, les MOSFET, les dispositifs micro-ondes haute puissance et les transistors RF, permettant une conversion d'énergie et une gestion de l'énergie efficaces. Les plaquettes et substrats SiC sont également utilisés dans l'électronique automobile, les systèmes aérospatiaux et les technologies d'énergies renouvelables.


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Mots clés du produit

Comment choisissez-vous les plaquettes de carbure de silicium et les substrats SiC ?

Lors du choix des plaquettes et des substrats en carbure de silicium (SiC), plusieurs facteurs doivent être pris en compte. Voici quelques critères importants :

Type de matériau : déterminez le type de matériau SiC adapté à votre application, tel que 4H-SiC ou 6H-SiC. La structure cristalline la plus couramment utilisée est le 4H-SiC.

Type de dopage : décidez si vous avez besoin d'un substrat SiC dopé ou non. Les types de dopage courants sont le type N (dopé n) ou le type P (dopé p), en fonction de vos besoins spécifiques.

Qualité des cristaux : évaluez la qualité des cristaux des tranches ou des substrats SiC. La qualité souhaitée est déterminée par des paramètres tels que le nombre de défauts, l'orientation cristallographique et la rugosité de la surface.

Diamètre de la plaquette : choisissez la taille de plaquette appropriée en fonction de votre application. Les tailles courantes incluent 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces. Plus le diamètre est grand, plus vous pouvez obtenir de rendement par tranche.

Épaisseur : tenez compte de l'épaisseur souhaitée des tranches ou des substrats SiC. Les options d'épaisseur typiques vont de quelques micromètres à plusieurs centaines de micromètres.

Orientation : déterminez l'orientation cristallographique qui correspond aux exigences de votre application. Les orientations courantes incluent (0001) pour le 4H-SiC et (0001) ou (0001̅) pour le 6H-SiC.

Finition de surface : évaluez la finition de surface des tranches ou des substrats SiC. La surface doit être lisse, polie et exempte de rayures ou de contaminants.

Réputation du fournisseur : choisissez un fournisseur réputé possédant une vaste expérience dans la production de plaquettes et de substrats SiC de haute qualité. Tenez compte de facteurs tels que les capacités de fabrication, le contrôle qualité et les avis des clients.

Coût : Tenez compte des implications financières, y compris le prix par tranche ou substrat et toutes dépenses de personnalisation supplémentaires.

Il est important d'évaluer soigneusement ces facteurs et de consulter des experts ou des fournisseurs du secteur pour garantir que les plaquettes et substrats SiC choisis répondent aux exigences spécifiques de votre application.

Diagramme détaillé

Plaquette de substrat SiC 4H-N 8 pouces, qualité de recherche factice en carbure de silicium, épaisseur 500um (1)
Plaquette de substrat SiC 4H-N 8 pouces, qualité de recherche factice en carbure de silicium, épaisseur 500um (2)
Plaquette de substrat SiC 4H-N 8 pouces, qualité de recherche factice en carbure de silicium, épaisseur 500um (3)
Plaquette de substrat SiC 4H-N 8 pouces, qualité de recherche factice en carbure de silicium, épaisseur 500um (4)

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