Substrat en carbure de silicium de qualité factice Dia150mm, production de recherche de plaquettes SiC 4H-N/6H-N
Spécification du substrat en carbure de silicium (SiC) de 6 pouces de diamètre
Grade | Zéro MPD | Production | Niveau de recherche | Qualité factice |
Diamètre | 150,0 mm ± 0,25 mm | |||
Épaisseur | 4H-N | 350 um ± 25 um | ||
4H-SI | 500 um ± 25 um | |||
Orientation de la plaquette | Sur axe :<0001>±0.5°pour 4H-SI | |||
Appartement principal | {10-10}±5,0° | |||
Longueur à plat primaire | 47,5 mm ± 2,5 mm | |||
Exclusion de bord | 3mm | |||
TTV/Arc/Warp | ≤15um/≤40um/≤60um | |||
Densité des microtuyaux | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
Résistivité 4H-N 4H-SI | 0,015~0,028Ω!cm | |||
≥1E5Ω!cm | ||||
Rugosité | Ra polonais ≤ 1 nm CMP Ra ≤ 0,5 nm | |||
#Fissures par lumière de haute intensité | Aucun | 1 autorisé, ≤2mm | Longueur cumulée ≤10 mm, longueur unique≤2 mm | |
*Plaques hexagonales par lumière haute intensité | Superficie cumulée ≤1% | Superficie cumulée ≤ 2% | Superficie cumulée ≤ 5% | |
*Zones polytypes par lumière de haute intensité | Aucun | Superficie cumulée ≤ 2% | Superficie cumulée ≤ 5% | |
*&Rayures dues à la lumière de haute intensité | 3 rayures sur 1 x longueur cumulée du diamètre de la plaquette | 5 rayures sur 1 x longueur cumulée du diamètre de la plaquette | 5 rayures sur 1 x longueur cumulée du diamètre de la plaquette | |
Puce de bord | Aucun | 3 autorisés, ≤0,5 mm chacun | 5 autorisés, ≤1 mm chacun | |
Contamination par une lumière de haute intensité | Aucun
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Ventes et service client
Achats de matériaux
Le service des achats de matières est chargé de rassembler toutes les matières premières nécessaires à la fabrication de votre produit. Une traçabilité complète de tous les produits et matériaux, y compris les analyses chimiques et physiques, est toujours disponible.
Qualité
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Service
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Diagramme détaillé

