Recherche sur plaquettes de SiC 4H-N/6H-N, qualité factice, diamètre 150 mm, substrat en carbure de silicium
Spécification du substrat en carbure de silicium (SiC) de 6 pouces de diamètre
Grade | Zéro MPD | Production | Niveau recherche | Note fictive |
Diamètre | 150,0 mm ± 0,25 mm | |||
Épaisseur | 4H-N | 350 ± 25 µm | ||
4H-SI | 500 ± 25 µm | |||
Orientation des plaquettes | Sur l'axe :<0001>±0,5°pour 4H-SI | |||
Appartement principal | {10-10}±5,0° | |||
Longueur plate principale | 47,5 mm ± 2,5 mm | |||
Exclusion des bords | 3 mm | |||
TTV/Arc/Déformation | ≤15 µm/≤40 µm/≤60 µm | |||
Densité des micropipes | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
Résistivité 4H-N 4H-SI | 0,015~0,028Ω!cm | |||
≥1E5Ω!cm | ||||
Rugosité | Polonais Ra ≤ 1 nm CMP Ra ≤ 0,5 nm | |||
#Fissures dues à une lumière de haute intensité | Aucun | 1 autorisé, ≤ 2 mm | Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤ 2 mm | |
*Plaques hexagonales par lumière de haute intensité | Surface cumulée ≤1% | Surface cumulée ≤ 2% | Surface cumulée ≤ 5% | |
*Polytypage des zones par lumière de haute intensité | Aucun | Surface cumulée ≤ 2% | Surface cumulée ≤ 5% | |
*&Rayures causées par une lumière de haute intensité | 3 rayures sur 1 x longueur cumulée du diamètre de la plaquette | 5 rayures sur 1 x longueur cumulée du diamètre de la plaquette | 5 rayures sur 1 x la longueur cumulée du diamètre de la plaquette | |
Puce de bord | Aucun | 3 autorisés, ≤ 0,5 mm chacun | 5 autorisés, ≤ 1 mm chacun | |
Contamination par une lumière de haute intensité | Aucun
|
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