Recherche sur plaquettes de SiC 4H-N/6H-N, qualité factice, diamètre 150 mm, substrat en carbure de silicium

Brève description :

Nous proposons des substrats supraconducteurs haute température, des couches minces magnétiques et ferroélectriques, des cristaux semi-conducteurs, des cristaux optiques et des matériaux pour cristaux laser. Nous proposons également des services d'orientation, de découpe, de meulage, de polissage et autres. Nos substrats SiC proviennent de l'usine Tankeblue en Chine.


Détails du produit

Étiquettes de produit

Spécification du substrat en carbure de silicium (SiC) de 6 pouces de diamètre

Grade

Zéro MPD

Production

Niveau recherche

Note fictive

Diamètre

150,0 mm ± 0,25 mm

Épaisseur

4H-N

350 ± 25 µm

4H-SI

500 ± 25 µm

Orientation des plaquettes

Sur l'axe :<0001>±0,5°pour 4H-SI
Hors axe : 4,0° vers <1120>±0,5° pour 4H-N

Appartement principal

{10-10}±5,0°

Longueur plate principale

47,5 mm ± 2,5 mm

Exclusion des bords

3 mm

TTV/Arc/Déformation

≤15 µm/≤40 µm/≤60 µm

Densité des micropipes

≤1cm-2

≤5cm-2

≤15cm-2

≤50cm-2

Résistivité 4H-N 4H-SI

0,015~0,028Ω!cm

≥1E5Ω!cm

Rugosité

Polonais Ra ≤ 1 nm CMP Ra ≤ 0,5 nm

#Fissures dues à une lumière de haute intensité

Aucun

1 autorisé, ≤ 2 mm

Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤ 2 mm

*Plaques hexagonales par lumière de haute intensité

Surface cumulée ≤1%

Surface cumulée ≤ 2%

Surface cumulée ≤ 5%

*Polytypage des zones par lumière de haute intensité

Aucun

Surface cumulée ≤ 2%

Surface cumulée ≤ 5%

*&Rayures causées par une lumière de haute intensité

3 rayures sur 1 x longueur cumulée du diamètre de la plaquette

5 rayures sur 1 x longueur cumulée du diamètre de la plaquette

5 rayures sur 1 x la longueur cumulée du diamètre de la plaquette

Puce de bord

Aucun

3 autorisés, ≤ 0,5 mm chacun

5 autorisés, ≤ 1 mm chacun

Contamination par une lumière de haute intensité

Aucun

Ventes et service client

Achat de matériaux

Le service des achats de matières premières est chargé de rassembler toutes les matières premières nécessaires à la fabrication de votre produit. Une traçabilité complète de tous les produits et matériaux, y compris les analyses chimiques et physiques, est toujours disponible.

Qualité

Pendant et après la fabrication ou l'usinage de vos produits, le service de contrôle qualité s'assure que tous les matériaux et tolérances respectent ou dépassent vos spécifications.

Service

Nous sommes fiers de compter parmi nos ingénieurs commerciaux plus de 5 ans d'expérience dans le secteur des semi-conducteurs. Ils sont formés pour répondre à vos questions techniques et vous fournir des devis rapides adaptés à vos besoins.

nous sommes à vos côtés à tout moment lorsque vous avez un problème et le résolvons en 10 heures.

Diagramme détaillé

Substrat en carbure de silicium (1)
Substrat en carbure de silicium (2)

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