Plaquette SiC 4H/6H-P 6 pouces, qualité MPD zéro, qualité de production, qualité factice
Tableau des paramètres communs des substrats composites SiC de type 4H/6H-P
6 Substrat en carbure de silicium (SiC) de 1 pouce de diamètre Spécification
| Grade | Production MPD nulleNote (Z Grade) | Production standardNote (P Grade) | Note fictive (D Grade) | ||
| Diamètre | 145,5 mm ~ 150,0 mm | ||||
| Épaisseur | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientation des plaquettes | -Offaxe : 2,0°-4,0° vers [1120] ± 0,5° pour 4H/6H-P, Sur l'axe : 〈111〉± 0,5° pour 3C-N | ||||
| Densité des micropipes | 0 cm-2 | ||||
| Résistivité | type p 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω⁻⁻cm | ≤ 0,3 Ω cm | ||
| 3C-N de type n | ≤0,8 mΩ⁻⁻cm | ≤1 m Ω⁻⁻cm | |||
| Orientation principale à plat | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Longueur plate principale | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Longueur plate secondaire | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientation secondaire à plat | Face silicone vers le haut : 90° CW. à partir du plat Prime ± 5,0° | ||||
| Exclusion des bords | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Arc/Déformation | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rugosité | Polonais Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| Fissures sur les bords par lumière de haute intensité | Aucun | Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur simple ≤ 2 mm | |||
| Plaques hexagonales par lumière à haute intensité | Surface cumulée ≤ 0,05 % | Surface cumulée ≤ 0,1 % | |||
| Zones de polytypie par lumière de haute intensité | Aucun | Surface cumulée ≤ 3 % | |||
| Inclusions visuelles de carbone | Surface cumulée ≤ 0,05 % | Surface cumulée ≤ 3 % | |||
| Rayures de surface en silicium causées par une lumière de haute intensité | Aucun | Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaquette | |||
| Éclats de bord élevés grâce à la lumière d'intensité | Aucune largeur et profondeur ≥ 0,2 mm autorisée | 5 autorisés, ≤ 1 mm chacun | |||
| Contamination de surface du silicium par haute intensité | Aucun | ||||
| Conditionnement | Cassette multi-wafers ou conteneur à wafer unique | ||||
Remarques :
※ Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion des bords. # Les rayures doivent être vérifiées sur la face Si o
La plaquette SiC 6 pouces de type 4H/6H-P, de grade Zero MPD et de grade de production ou factice, est largement utilisée dans les applications électroniques avancées. Son excellente conductivité thermique, sa tension de claquage élevée et sa résistance aux environnements difficiles en font la solution idéale pour l'électronique de puissance, comme les commutateurs et onduleurs haute tension. Le grade Zero MPD garantit un minimum de défauts, essentiel pour des dispositifs hautement fiables. Les plaquettes de qualité production sont utilisées dans la fabrication à grande échelle de composants de puissance et d'applications RF, où performances et précision sont essentielles. Les plaquettes factices, quant à elles, sont utilisées pour l'étalonnage des procédés, les tests d'équipements et le prototypage, permettant un contrôle qualité constant dans les environnements de production de semi-conducteurs.
Les avantages des substrats composites SiC de type N incluent
- conductivité thermique élevée:La plaquette SiC 4H/6H-P dissipe efficacement la chaleur, ce qui la rend adaptée aux applications électroniques à haute température et haute puissance.
- Tension de claquage élevée:Sa capacité à gérer des tensions élevées sans défaillance le rend idéal pour l'électronique de puissance et les applications de commutation haute tension.
- Grade zéro MPD (micro-défaut de canalisation):La densité minimale des défauts garantit une fiabilité et des performances supérieures, essentielles pour les appareils électroniques exigeants.
- Qualité de production pour la fabrication de masse:Convient à la production à grande échelle de dispositifs semi-conducteurs hautes performances avec des normes de qualité strictes.
- Mannequin de qualité pour les tests et l'étalonnage:Permet l'optimisation des processus, les tests d'équipement et le prototypage sans utiliser de plaquettes de production coûteuses.
Globalement, les plaquettes SiC 4H/6H-P de 6 pouces, de grade Zero MPD, de grade production et de grade factice, offrent des avantages significatifs pour le développement de dispositifs électroniques hautes performances. Ces plaquettes sont particulièrement avantageuses pour les applications exigeant un fonctionnement à haute température, une densité de puissance élevée et une conversion de puissance efficace. Le grade Zero MPD garantit un minimum de défauts pour des performances fiables et stables des dispositifs, tandis que les plaquettes de grade production permettent une fabrication à grande échelle avec des contrôles qualité stricts. Les plaquettes de grade factice constituent une solution économique pour l'optimisation des processus et l'étalonnage des équipements, ce qui les rend indispensables pour la fabrication de semi-conducteurs de haute précision.
Diagramme détaillé
