Plaquette SiC 4H/6H-P 6 pouces, qualité zéro MPD, qualité de production, qualité factice

Brève description :

La plaquette SiC de 6 pouces de type 4H/6H-P est un matériau semi-conducteur utilisé dans la fabrication d'appareils électroniques, connu pour son excellente conductivité thermique, sa tension de claquage élevée et sa résistance aux températures élevées et à la corrosion. La qualité de production et la qualité Zero MPD (Micro Pipe Defect) garantissent sa fiabilité et sa stabilité dans l'électronique de puissance haute performance. Les tranches de qualité production sont utilisées pour la fabrication d'appareils à grande échelle avec un contrôle de qualité rigoureux, tandis que les tranches de qualité factice sont principalement utilisées pour le débogage des processus et les tests d'équipement. Les propriétés exceptionnelles du SiC le rendent largement utilisé dans les appareils électroniques à haute température, haute tension et haute fréquence, tels que les appareils électriques et les appareils RF.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Tableau des paramètres communs des substrats composites SiC de type 4H/6H-P

6 pouce de diamètre Substrat en carbure de silicium (SiC) Spécification

Grade			Production zéro MPDCatégorie (Z Grade)	Production standardNote (P Grade)	Qualité factice (D Grade)
Diamètre			145,5 mm ~ 150,0 mm
Épaisseur			350 μm ± 25 μm
Orientation de la plaquette			-Offaxe : 2,0°-4,0°vers [1120] ± 0,5° pour 4H/6H-P, sur l'axe :〈111〉± 0,5° pour 3C-N
Densité des microtuyaux			0 cm-2
Résistivité	type p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	type n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 mΩꞏcm
Orientation plate principale		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0 °
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Longueur à plat primaire			32,5 mm ± 2,0 mm
Longueur plate secondaire			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientation plate secondaire			Silicium face vers le haut : 90° CW. à partir du premier plat ± 5,0°
Exclusion de bord			3 mm		6 millimètres
LTV/TTV/Arc/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosité			Polonais Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Fissures des bords causées par une lumière à haute intensité			Aucun		Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤2 mm
Plaques hexagonales par lumière de haute intensité			Superficie cumulée ≤0,05%		Superficie cumulée ≤0,1%
Zones polytypiques par lumière de haute intensité			Aucun		Superficie cumulée≤3 %
Inclusions visuelles de carbone			Superficie cumulée ≤0,05%		Superficie cumulée ≤3%
La surface du silicium est rayée par une lumière de haute intensité			Aucun		Longueur cumulée≤1×diamètre de la plaquette
Puces de bord élevées par intensité lumineuse			Aucun autorisé ≥0,2 mm de largeur et de profondeur		5 autorisés, ≤1 mm chacun
Contamination de la surface du silicium par haute intensité			Aucun
Conditionnement			Cassette multi-gaufrettes ou conteneur de plaquettes simples

Remarques :

※ Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion des bords. # Les rayures doivent être vérifiées sur la face Si o

La plaquette SiC de 6 pouces de type 4H/6H-P avec une qualité Zero MPD et une qualité de production ou factice est largement utilisée dans les applications électroniques avancées. Son excellente conductivité thermique, sa tension de claquage élevée et sa résistance aux environnements difficiles le rendent idéal pour l'électronique de puissance, telle que les commutateurs et les onduleurs haute tension. La qualité Zero MPD garantit un minimum de défauts, essentiels pour les appareils de haute fiabilité. Les plaquettes de qualité production sont utilisées dans la fabrication à grande échelle de dispositifs de puissance et d'applications RF, où les performances et la précision sont cruciales. Les plaquettes de qualité factice, quant à elles, sont utilisées pour l'étalonnage des processus, les tests d'équipement et le prototypage, permettant un contrôle qualité cohérent dans les environnements de production de semi-conducteurs.

Les avantages des substrats composites SiC de type N comprennent

Conductivité thermique élevée: La plaquette SiC 4H/6H-P dissipe efficacement la chaleur, ce qui la rend adaptée aux applications électroniques à haute température et haute puissance.
Tension de claquage élevée: Sa capacité à gérer des tensions élevées sans défaillance le rend idéal pour les applications d'électronique de puissance et de commutation haute tension.
Niveau zéro MPD (micro-défaut de tuyau): Une densité minimale de défauts garantit une fiabilité et des performances supérieures, essentielles pour les appareils électroniques exigeants.
Qualité production pour la fabrication de masse: Convient à la production à grande échelle de dispositifs semi-conducteurs hautes performances avec des normes de qualité strictes.
Qualité factice pour les tests et l'étalonnage: Permet l'optimisation des processus, les tests d'équipement et le prototypage sans utiliser de tranches de production coûteuses.

Dans l'ensemble, les plaquettes SiC 4H/6H-P de 6 pouces avec qualité Zero MPD, qualité de production et qualité factice offrent des avantages significatifs pour le développement de dispositifs électroniques hautes performances. Ces plaquettes sont particulièrement utiles dans les applications nécessitant un fonctionnement à haute température, une densité de puissance élevée et une conversion de puissance efficace. La qualité Zero MPD garantit un minimum de défauts pour des performances fiables et stables de l'appareil, tandis que les tranches de qualité production prennent en charge une fabrication à grande échelle avec des contrôles de qualité stricts. Les tranches de qualité factice constituent une solution rentable pour l'optimisation des processus et l'étalonnage des équipements, ce qui les rend indispensables pour la fabrication de semi-conducteurs de haute précision.