Plaquette de SiC 4H/6H-P 6 pouces, qualité zéro MPD, qualité de production, qualité factice
Tableau des paramètres communs des substrats composites SiC de type 4H/6H-P
6 Substrat en carbure de silicium (SiC) de 1 pouce de diamètre Spécification
| Grade | Production MPD nulleNiveau (Z) Grade) | Production standardNote (P) Grade) | Niveau factice (D Grade) | ||
| Diamètre | 145,5 mm ~ 150,0 mm | ||||
| Épaisseur | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientation de la plaquette | -Offaxe : 2,0°-4,0° vers [1120] ± 0,5° pour 4H/6H-P, sur l'axe : 〈111〉 ± 0,5° pour 3C-N | ||||
| Densité des micropipes | 0 cm-2 | ||||
| Résistivité | p-type 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ω·cm | ||
| 3C-N de type n | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientation à plat primaire | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Longueur à plat primaire | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Longueur secondaire à plat | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientation secondaire à plat | Face en silicium vers le haut : 90° dans le sens horaire par rapport au plan Prime ± 5,0° | ||||
| Exclusion des bords | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Arc/Déformation | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rugosité | Ra polonais ≤ 1 nm | ||||
| CMP Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| Fissures sur les bords causées par une lumière de haute intensité | Aucun | Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unitaire ≤ 2 mm | |||
| Plaques hexagonales éclairées par une lumière de haute intensité | Surface cumulée ≤0,05% | Surface cumulée ≤0,1% | |||
| Zones polytypes éclairées par une lumière de haute intensité | Aucun | Surface cumulée ≤ 3 % | |||
| Inclusions de carbone visuelles | Surface cumulée ≤0,05% | Surface cumulée ≤3% | |||
| Rayures sur la surface du silicone causées par une lumière de haute intensité | Aucun | Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaquette | |||
| Puces de bord à haute intensité lumineuse | Aucune dimension ≥ 0,2 mm de largeur et de profondeur n'est autorisée. | 5 autorisés, ≤1 mm chacun | |||
| Contamination de la surface du silicium par haute intensité | Aucun | ||||
| Conditionnement | Cassette multi-plaquettes ou conteneur à plaquette unique | ||||
Remarques :
※ Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion périphérique. # Les rayures doivent être vérifiées sur la face Si.
La plaquette de silicium SiC de 6 pouces de type 4H/6H-P, de qualité « Zéro MPD » et disponible en qualité production ou témoin, est largement utilisée dans les applications électroniques de pointe. Son excellente conductivité thermique, sa tension de claquage élevée et sa résistance aux environnements difficiles la rendent idéale pour l'électronique de puissance, notamment pour les commutateurs et onduleurs haute tension. La qualité « Zéro MPD » garantit un minimum de défauts, un critère essentiel pour les dispositifs à haute fiabilité. Les plaquettes de qualité production sont utilisées pour la fabrication à grande échelle de dispositifs de puissance et d'applications RF, où la performance et la précision sont primordiales. Les plaquettes de qualité témoin, quant à elles, servent à l'étalonnage des procédés, aux tests d'équipements et au prototypage, permettant un contrôle qualité constant dans les environnements de production de semi-conducteurs.
Les avantages des substrats composites SiC de type N comprennent
- Conductivité thermique élevéeLa plaquette SiC 4H/6H-P dissipe efficacement la chaleur, ce qui la rend adaptée aux applications électroniques à haute température et à haute puissance.
- Tension de claquage élevéeSa capacité à supporter des tensions élevées sans défaillance en fait un matériau idéal pour l'électronique de puissance et les applications de commutation haute tension.
- Grade zéro MPD (défaut de micro-tuyauterie)Une densité de défauts minimale garantit une fiabilité et des performances supérieures, essentielles pour les appareils électroniques exigeants.
- Qualité production pour la fabrication en série: Convient à la production à grande échelle de dispositifs semi-conducteurs haute performance répondant à des normes de qualité rigoureuses.
- Modèle factice pour les essais et l'étalonnagePermet l'optimisation des processus, les tests d'équipements et le prototypage sans utiliser de plaquettes de production coûteuses.
Globalement, les plaquettes de SiC 4H/6H-P de 6 pouces, disponibles en qualité Zero MPD, qualité production et qualité témoin, offrent des avantages considérables pour le développement de dispositifs électroniques hautes performances. Ces plaquettes sont particulièrement adaptées aux applications exigeant un fonctionnement à haute température, une forte densité de puissance et une conversion de puissance efficace. La qualité Zero MPD garantit un minimum de défauts pour des performances fiables et stables, tandis que les plaquettes de qualité production permettent une fabrication à grande échelle avec des contrôles qualité rigoureux. Les plaquettes témoins constituent une solution économique pour l'optimisation des procédés et l'étalonnage des équipements, ce qui les rend indispensables à la fabrication de semi-conducteurs de haute précision.
Diagramme détaillé
