Gabarit AlN 50,8 mm/100 mm sur gabarit AlN NPSS/FSS sur saphir

Gabarit AlN 50,8 mm/100 mm sur NPSS/FSS Gabarit AlN sur saphir Image en vedette

Brève description :

L'AlN sur saphir désigne une combinaison de matériaux dans laquelle des films de nitrure d'aluminium sont formés sur des substrats de saphir. Dans cette structure, des films de nitrure d'aluminium de haute qualité peuvent être formés par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou par dépôt chimique en phase vapeur organométrique (MOCVD), ce qui assure une excellente adéquation entre le film de nitrure d'aluminium et le substrat de saphir. Cette structure présente les avantages suivants : le nitrure d'aluminium présente une conductivité thermique élevée, une grande stabilité chimique et d'excellentes propriétés optiques, tandis que le substrat de saphir présente d'excellentes propriétés mécaniques et thermiques, ainsi qu'une excellente transparence.

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Caractéristiques

AlN sur saphir

L'AlN sur saphir peut être utilisé pour fabriquer une variété de dispositifs photoélectriques, tels que :
1. Puces LED : Les puces LED sont généralement constituées de films de nitrure d'aluminium et d'autres matériaux. L'efficacité et la stabilité des LED peuvent être améliorées grâce à l'utilisation de plaquettes d'AlN sur saphir comme substrat.
2. Lasers : les plaquettes AlN sur saphir peuvent également être utilisées comme substrats pour les lasers, qui sont couramment utilisés dans les domaines médical, des communications et du traitement des matériaux.
3. Cellules solaires : La fabrication de cellules solaires nécessite l'utilisation de matériaux tels que le nitrure d'aluminium. L'AlN sur saphir utilisé comme substrat peut améliorer l'efficacité et la durée de vie des cellules solaires.
4. Autres dispositifs optoélectroniques : les plaquettes AlN sur saphir peuvent également être utilisées pour fabriquer des photodétecteurs, des dispositifs optoélectroniques et d'autres dispositifs optoélectroniques.

En conclusion, les plaquettes AlN sur saphir sont largement utilisées dans le domaine optoélectrique en raison de leur conductivité thermique élevée, de leur stabilité chimique élevée, de leurs faibles pertes et de leurs excellentes propriétés optiques.

Gabarit AlN 50,8 mm/100 mm sur NPSS/FSS

Article	Remarques
Description	Modèle AlN-sur-NPSS	Modèle AlN-on-FSS
Diamètre de la plaquette	50,8 mm, 100 mm
Substrat	NPSS du plan C	Saphir planaire c-plane (FSS)
Épaisseur du substrat	Saphir planaire (FSS) 50,8 mm, 100 mm, 100 mm : 650 µm
Épaisseur de la couche épitaxiale d'AIN	3~4 um (cible : 3,3 um)
Conductivité	Isolant
Surface	Comme grandi
	RMS < 1 nm	RMS < 2 nm
Arrière	Broyé
FWHM(002)XRC	< 150 secondes d'arc	< 150 secondes d'arc
FWHM(102)XRC	< 300 secondes d'arc	< 300 secondes d'arc
Exclusion des bords	< 2 mm	< 3 mm
Orientation principale à plat	plan a+0,1°
Longueur plate primaire	50,8 mm : 16+/-1 mm 100 mm : 30+/-1 mm
Emballer	Emballé dans une boîte d'expédition ou un contenant individuel de gaufrettes