Gabarit AlN 50,8 mm/100 mm sur gabarit AlN NPSS/FSS sur saphir

Modèle AlN 50,8 mm/100 mm sur modèle AlN NPSS/FSS sur saphir Image sélectionnée

Brève description :

AlN-On-Sapphire fait référence à une combinaison de matériaux dans lesquels des films de nitrure d'aluminium sont développés sur des substrats en saphir. Dans cette structure, un film de nitrure d'aluminium de haute qualité peut être développé par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou dépôt chimique organométrique en phase vapeur (MOCVD), ce qui permet au film de nitrure d'aluminium et au substrat saphir d'avoir une bonne combinaison. Les avantages de cette structure sont que le nitrure d'aluminium présente une conductivité thermique élevée, une stabilité chimique élevée et d'excellentes propriétés optiques, tandis que le substrat en saphir présente d'excellentes propriétés mécaniques et thermiques et une excellente transparence.

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Détail du produit

Mots clés du produit

AlN-sur-Saphir

AlN-On-Sapphire peut être utilisé pour fabriquer une variété de dispositifs photoélectriques, tels que :
1. Puces LED : les puces LED sont généralement constituées de films de nitrure d'aluminium et d'autres matériaux. L'efficacité et la stabilité des LED peuvent être améliorées en utilisant des plaquettes AlN-On-Sapphire comme substrat des puces LED.
2. Lasers : les plaquettes AlN-sur-saphir peuvent également être utilisées comme substrats pour les lasers, qui sont couramment utilisés dans les domaines médical, des communications et du traitement des matériaux.
3. Cellules solaires : La fabrication de cellules solaires nécessite l’utilisation de matériaux tels que le nitrure d’aluminium. L'AlN-On-Sapphire en tant que substrat peut améliorer l'efficacité et la durée de vie des cellules solaires.
4. Autres dispositifs optoélectroniques : les plaquettes AlN-On-Sapphire peuvent également être utilisées pour fabriquer des photodétecteurs, des dispositifs optoélectroniques et d'autres dispositifs optoélectroniques.

En conclusion, les plaquettes AlN-sur-Saphir sont largement utilisées dans le domaine optoélectrique en raison de leur conductivité thermique élevée, de leur stabilité chimique élevée, de leurs faibles pertes et de leurs excellentes propriétés optiques.

Gabarit AlN 50,8 mm/100 mm sur NPSS/FSS

Article	Remarques
Description	Modèle AlN-sur-NPSS	Modèle AlN-sur-FSS
Diamètre de la plaquette	50,8 mm, 100 mm
Substrat	NPSS du plan c	Saphir planaire plan C (FSS)
Épaisseur du substrat	50,8 mm, 100 mm Saphir planaire (FSS) 100 mm : 650 um
Épaisseur de l'épi-couche AIN	3~4 um (cible : 3,3 um)
Conductivité	Isolant
Surface	Comme grandi
	RMS<1 nm	RMS<2 nm
Arrière	Broyé
FWHM(002)XRC	< 150 arcsec	< 150 arcsec
FWHM(102)XRC	< 300 arcsec	< 300 arcsec
Exclusion de bord	< 2mm	< 3mm
Orientation principale à plat	un plan+0,1°
Longueur à plat primaire	50,8 mm : 16+/-1 mm 100 mm : 30+/-1 mm
Emballer	Emballé dans une boîte d'expédition ou un conteneur de plaquettes individuelles