Gabarit AlN 50,8 mm/100 mm sur NPSS/FSS Gabarit AlN sur saphir

Description courte :

L'expression « AlN sur saphir » désigne une structure où des films de nitrure d'aluminium sont déposés sur des substrats de saphir. Dans cette structure, des films de nitrure d'aluminium de haute qualité peuvent être obtenus par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou par dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD), assurant ainsi une excellente adhésion entre le film et le substrat. Cette structure présente l'avantage d'offrir le nitrure d'aluminium, qui possède une conductivité thermique élevée, une grande stabilité chimique et d'excellentes propriétés optiques, tandis que le substrat de saphir offre d'excellentes propriétés mécaniques et thermiques, ainsi qu'une grande transparence.

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Caractéristiques

AlN sur saphir

Le substrat AlN sur saphir peut être utilisé pour fabriquer divers dispositifs photoélectriques, tels que :
1. Puces LED : Les puces LED sont généralement composées de films de nitrure d’aluminium et d’autres matériaux. L’efficacité et la stabilité des LED peuvent être améliorées en utilisant des plaquettes d’AlN sur saphir comme substrat.
2. Lasers : Les plaquettes AlN sur saphir peuvent également être utilisées comme substrats pour les lasers, qui sont couramment utilisés dans les domaines médical, des communications et du traitement des matériaux.
3. Cellules solaires : La fabrication des cellules solaires nécessite l’utilisation de matériaux tels que le nitrure d’aluminium. L’utilisation d’AlN sur saphir comme substrat permet d’améliorer l’efficacité et la durée de vie des cellules solaires.
4. Autres dispositifs optoélectroniques : les plaquettes AlN sur saphir peuvent également être utilisées pour fabriquer des photodétecteurs, des dispositifs optoélectroniques et d'autres dispositifs optoélectroniques.

En conclusion, les plaquettes AlN sur saphir sont largement utilisées dans le domaine optoélectronique en raison de leur conductivité thermique élevée, de leur grande stabilité chimique, de leurs faibles pertes et de leurs excellentes propriétés optiques.

Gabarit AlN 50,8 mm/100 mm sur NPSS/FSS

Article	Remarques
Description	Modèle AlN sur NPSS	Modèle AlN sur FSS
Diamètre de la plaquette	50,8 mm, 100 mm
Substrat	NPSS du plan c	Saphir planaire de plan c (FSS)
Épaisseur du substrat	Cristal saphir planaire (FSS) de 50,8 mm, plan c de 100 mm : 650 µm
Épaisseur de la couche épitaxiale d'AIN	3~4 µm (cible : 3,3 µm)
Conductivité	Isolant
Surface	En grandissant
	RMS < 1 nm	RMS < 2 nm
Arrière	Broyé
FWHM(002)XRC	< 150 secondes d'arc	< 150 secondes d'arc
FWHM(102)XRC	< 300 secondes d'arc	< 300 secondes d'arc
Exclusion des bords	< 2 mm	< 3 mm
Orientation plane principale	plan a + 0,1°
longueur à plat primaire	50,8 mm : 16 ± 1 mm 100 mm : 30 ± 1 mm
Emballer	Conditionné en boîte d'expédition ou en emballage individuel pour plaquettes.