Substrat composite LN sur Si de 6 à 8 pouces d'épaisseur 0,3 à 50 μm Si/SiC/saphir de matériaux

Le substrat composite LN-on-Si de 6 à 8 pouces se distingue par ses propriétés matérielles uniques et ses paramètres réglables, permettant une large applicabilité dans les industries des semi-conducteurs et de l'optoélectronique :

1. Compatibilité des grandes plaquettes : la taille des plaquettes de 6 à 8 pouces garantit une intégration transparente avec les lignes de fabrication de semi-conducteurs existantes (par exemple, les processus CMOS), réduisant les coûts de production et permettant la production de masse.

2. Qualité cristalline élevée : les techniques d'épitaxie ou de liaison optimisées garantissent une faible densité de défauts dans le film mince LN, ce qui le rend idéal pour les modulateurs optiques hautes performances, les filtres à ondes acoustiques de surface (SAW) et d'autres dispositifs de précision.

3. Épaisseur réglable (0,3 à 50 μm) : les couches LN ultrafines (< 1 μm) conviennent aux puces photoniques intégrées, tandis que les couches plus épaisses (10 à 50 μm) prennent en charge les dispositifs RF haute puissance ou les capteurs piézoélectriques.

4. Options de substrat multiples : en plus du Si, le SiC (conductivité thermique élevée) ou le saphir (isolation élevée) peuvent être sélectionnés comme matériaux de base pour répondre aux exigences des applications haute fréquence, haute température ou haute puissance.

5. Stabilité thermique et mécanique : le substrat en silicium offre un support mécanique robuste, minimisant la déformation ou la fissuration pendant le traitement et améliorant le rendement de l'appareil.

Ces attributs positionnent le substrat composite LN sur Si de 6 à 8 pouces comme un matériau privilégié pour les technologies de pointe telles que les communications 5G, le LiDAR et l'optique quantique.