Support de substrat en saphir de 150 mm (6 pouces) et de 0,7 mm (0,5 mm) d'épaisseur, plan C, SSP/DSP

Support de substrat en saphir de 150 mm (6 pouces) et de 0,7 mm (0,5 mm) de profondeur, plan C, SSP/DSP (image mise en avant)

Description courte :

Tout ce qui précède décrit correctement les cristaux de saphir. Leurs excellentes performances expliquent leur utilisation répandue dans les domaines techniques de pointe. Avec le développement rapide de l'industrie des LED, la demande en cristaux de saphir est également en hausse.

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Caractéristiques

Applications

Les applications des plaquettes de saphir de 6 pouces comprennent :

1. Fabrication de LED : la plaquette de saphir peut être utilisée comme substrat des puces LED, et sa dureté et sa conductivité thermique peuvent améliorer la stabilité et la durée de vie des puces LED.

2. Fabrication de lasers : La plaquette de saphir peut également être utilisée comme substrat du laser, afin d’améliorer les performances du laser et de prolonger sa durée de vie.

3. Fabrication de semi-conducteurs : Les plaquettes de saphir sont largement utilisées dans la fabrication de dispositifs électroniques et optoélectroniques, notamment la synthèse optique, les cellules solaires, les dispositifs électroniques à haute fréquence, etc.

4. Autres applications : Les plaquettes de saphir peuvent également être utilisées pour fabriquer des écrans tactiles, des dispositifs optiques, des cellules solaires à couches minces et d'autres produits de haute technologie.

Spécification

Matériel	Plaquette de saphir monocristalline de haute pureté Al2O3.
Dimension	150 mm +/- 0,05 mm, 6 pouces
Épaisseur	1300 ± 25 µm
Orientation	Plan C (0001) décalé de 0,2 ± 0,05 degré par rapport au plan M (1-100).
Orientation plane principale	Un plan +/- 1 degré
longueur à plat primaire	47,5 mm +/- 1 mm
Variation totale d'épaisseur (TTV)	<20 µm
Arc	<25 µm
Chaîne	<25 µm
Coefficient de dilatation thermique	6,66 x 10⁻⁶ / °C parallèle à l'axe C, 5 x 10⁻⁶ / °C perpendiculaire à l'axe C
Force diélectrique	4,8 x 10⁵ V/cm
Constante diélectrique	11,5 (1 MHz) le long de l'axe C, 9,3 (1 MHz) perpendiculairement à l'axe C
Tangente de perte diélectrique (ou facteur de dissipation)	moins de 1 x 10⁻⁴
Conductivité thermique	40 W/(mK) à 20 °C
Polissage	Les plaquettes polies sur une seule face (SSP) ou sur les deux faces (DSP) présentaient une rugosité Ra < 0,5 nm (mesurée par AFM). La face arrière des plaquettes SSP était finement meulée pour obtenir une rugosité Ra de 0,8 à 1,2 µm.
Transmission	88 % ± 1 % à 460 nm