Plaquette conductrice factice en SiC 4H-N de 8 pouces, 200 mm, qualité recherche

Grâce à ses propriétés physiques et électroniques uniques, le matériau semi-conducteur des plaquettes de SiC de 200 mm est utilisé pour créer des dispositifs électroniques hautes performances, résistants aux températures élevées, aux radiations et aux hautes fréquences. Le prix des substrats SiC de 8 pouces diminue progressivement à mesure que la technologie progresse et que la demande augmente. Les récentes avancées technologiques permettent la production à grande échelle de plaquettes de SiC de 200 mm. Les principaux avantages des matériaux semi-conducteurs des plaquettes de SiC par rapport aux plaquettes de Si et de GaAs sont les suivants : l'intensité du champ électrique du 4H-SiC lors du claquage par avalanche est supérieure de plus d'un ordre de grandeur à celle du Si et du GaAs. Cela entraîne une diminution significative de la résistivité à l'état passant (Ron). Cette faible résistivité à l'état passant, combinée à une densité de courant et une conductivité thermique élevées, permet l'utilisation de puces de très petite taille pour les dispositifs de puissance. La conductivité thermique élevée du SiC réduit la résistance thermique de la puce. Les propriétés électroniques des dispositifs à base de plaquettes de SiC sont très stables dans le temps et à température, ce qui garantit une grande fiabilité des produits. Le carbure de silicium est extrêmement résistant aux radiations fortes, ce qui ne dégrade pas les propriétés électroniques de la puce. La température limite de fonctionnement élevée du cristal (plus de 6 000 °C) permet de créer des dispositifs hautement fiables pour des conditions d'utilisation difficiles et des applications spécifiques. Nous pouvons actuellement fournir régulièrement des plaquettes de SiC de 200 mm en petites séries et disposons d'un stock en entrepôt.