Qualité de recherche factice conductrice de plaquette SiC 4H-N de 8 pouces 200mm

En raison de ses propriétés physiques et électroniques uniques, le matériau semi-conducteur en tranches SiC de 200 mm est utilisé pour créer des dispositifs électroniques hautes performances, haute température, résistants aux rayonnements et haute fréquence. Le prix du substrat SiC 8 pouces diminue progressivement à mesure que la technologie devient plus avancée et que la demande augmente. Les développements technologiques récents conduisent à la fabrication à grande échelle de tranches de SiC de 200 mm. Les principaux avantages des matériaux semi-conducteurs des plaquettes de SiC par rapport aux plaquettes de Si et GaAs : L'intensité du champ électrique du 4H-SiC lors d'une rupture par avalanche est supérieure d'un ordre de grandeur aux valeurs correspondantes pour Si et GaAs. Cela conduit à une diminution significative de la résistivité à l'état passant Ron. Une faible résistivité à l'état passant, combinée à une densité de courant et une conductivité thermique élevées, permet l'utilisation de très petites puces pour les dispositifs de puissance. La conductivité thermique élevée du SiC réduit la résistance thermique de la puce. Les propriétés électroniques des dispositifs à base de plaquettes SiC sont très stables dans le temps et en température, ce qui garantit une grande fiabilité des produits. Le carbure de silicium est extrêmement résistant aux rayonnements durs, ce qui ne dégrade pas les propriétés électroniques de la puce. La température de fonctionnement limite élevée du cristal (plus de 6 000 °C) vous permet de créer des appareils extrêmement fiables pour des conditions de fonctionnement difficiles et des applications spéciales. À l'heure actuelle, nous pouvons fournir des plaquettes SiC de 200 mm en petits lots de manière constante et continue et disposer d'un stock dans l'entrepôt.