Plaquette de production SiC de 8 pouces, substrat SiC 4H-N
Le tableau suivant présente les spécifications de nos plaquettes SiC de 8 pouces :
| Spécifications du processeur DSP SiC de type N de 8 pouces | |||||
| Nombre | Article | Unité | Production | Recherche | Factice |
| 1:paramètres | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientation de surface | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2 : Paramètre électrique | |||||
| 2.1 | dopant | -- | Azote de type n | Azote de type n | Azote de type n |
| 2.2 | résistivité | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3 : Paramètre mécanique | |||||
| 3.1 | diamètre | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | épaisseur | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientation de l'encoche | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Profondeur de l'encoche | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10 mm*10 mm) | ≤5(10 mm*10 mm) | ≤10 (10 mm * 10 mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arc | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Chaîne | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4 : Structure | |||||
| 4.1 | densité de micropipes | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | teneur en métaux | atomes/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | trouble de la personnalité limite | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Qualité avant | |||||
| 5.1 | devant | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | finition de surface | -- | CMP à face Si | CMP à face Si | CMP à face Si |
| 5.3 | particule | ea/wafer | ≤100 (taille ≥ 0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | gratter | ea/wafer | ≤5, Longueur totale ≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Bord éclats/bosses/fissures/taches/contamination | -- | Aucun | Aucun | NA |
| 5.6 | Zones polytypes | -- | Aucun | Surface ≤10% | Surface ≤30% |
| 5.7 | marquage avant | -- | Aucun | Aucun | Aucun |
| 6 : Qualité du dos | |||||
| 6.1 | finition arrière | -- | Député C-face | Député C-face | Député C-face |
| 6.2 | gratter | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Défauts de bord arrière éclats/bosses | -- | Aucun | Aucun | NA |
| 6.4 | Rugosité du dos | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Marquage arrière | -- | Entailler | Entailler | Entailler |
| 7:bord | |||||
| 7.1 | bord | -- | Chanfreiner | Chanfreiner | Chanfreiner |
| 8 : Emballage | |||||
| 8.1 | conditionnement | -- | Epi-ready avec vide conditionnement | Epi-ready avec vide conditionnement | Epi-ready avec vide conditionnement |
| 8.2 | conditionnement | -- | Multi-plaquettes emballage de cassette | Multi-plaquettes emballage de cassette | Multi-plaquettes emballage de cassette |
Diagramme détaillé
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