Substrat SiC 4H-N de qualité production de 8 pouces

Brève description :

Les substrats SiC de 8 pouces sont utilisés dans les dispositifs électroniques de haute puissance, tels que les MOSFET de puissance (transistors à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique), les diodes Schottky et d'autres dispositifs à semi-conducteurs de puissance.


Détails du produit

Étiquettes de produit

Le tableau suivant présente les spécifications de nos plaquettes SiC de 8 pouces :

Spécifications du DSP SiC de type N de 8 pouces

Nombre Article Unité Production Recherche Factice
1 : paramètres
1.1 polytype -- 4H 4H 4H
1.2 orientation de surface ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2 : Paramètre électrique
2.1 dopant -- azote de type n azote de type n azote de type n
2.2 résistivité ohm ·cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3 : Paramètre mécanique
3.1 diamètre mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 épaisseur μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Orientation de l'encoche ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Profondeur de l'encoche mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3,5 LTV μm ≤5(10mm*10mm) ≤5(10mm*10mm) ≤10(10mm*10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Arc μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Chaîne μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra ≤ 0,2 Ra ≤ 0,2 Ra ≤ 0,2
4 : Structure
4.1 densité des microtuyaux ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 teneur en métal atomes/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 trouble de la personnalité limite ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4,5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Qualité avant
5.1 devant -- Si Si Si
5.2 finition de surface -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 particule ea/gaufrette ≤100(taille≥0,3μm) NA NA
5.4 gratter ea/gaufrette ≤5, longueur totale ≤200 mm NA NA
5.5 Bord
éclats/empreintes/fissures/taches/contamination
-- Aucun Aucun NA
5.6 Zones de polytype -- Aucun Surface ≤ 10 % Superficie ≤ 30 %
5.7 marquage avant -- Aucun Aucun Aucun
6 : Qualité du dos
6.1 finition arrière -- MP à face C MP à face C MP à face C
6.2 gratter mm NA NA NA
6.3 Bordure des défauts du dos
éclats/empreintes
-- Aucun Aucun NA
6.4 Rugosité du dos nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6,5 Marquage au dos -- Entailler Entailler Entailler
7:bord
7.1 bord -- Chanfreiner Chanfreiner Chanfreiner
8 : Paquet
8.1 conditionnement -- Epi-ready avec vide
conditionnement
Epi-ready avec vide
conditionnement
Epi-ready avec vide
conditionnement
8.2 conditionnement -- Multi-plaquettes
emballage de cassette
Multi-plaquettes
emballage de cassette
Multi-plaquettes
emballage de cassette

Diagramme détaillé

TSA (1)
TSA (2)
TSA (3)

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