Plaquette SiC de qualité production de 8 pouces, substrat SiC 4H-N

Brève description :

Les substrats SiC de 8 pouces sont utilisés dans les dispositifs électroniques de haute puissance, tels que les MOSFET de puissance (transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde métallique), les diodes Schottky et d'autres dispositifs à semi-conducteurs de puissance.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Le tableau suivant présente les spécifications de nos plaquettes SiC de 8 pouces :

Spécifications DSP SiC de type N de 8 pouces
Nombre	Article	Unité	Production	Recherche	Factice
1:paramètres
1.1	polytype	--	4H	4H	4H
1.2	orientation de la surface	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2 : paramètre électrique
2.1	dopant	--	Azote de type n	Azote de type n	Azote de type n
2.2	résistivité	ohm · cm	0,015~0,025	0,01 ~ 0,03	NA
3 :paramètre mécanique
3.1	diamètre	mm	200 ± 0,2	200 ± 0,2	200 ± 0,2
3.2	épaisseur	µm	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25
3.3	Orientation de l'encoche	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Profondeur d'encoche	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	µm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	µm	≤10	≤10	≤15
3.7	Arc	µm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Chaîne	µm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4 : Structure
4.1	densité des microtuyaux	pièce/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	teneur en métal	atomes/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	pièce/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	TPB	pièce/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	pièce/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Qualité avant
5.1	devant	--	Si	Si	Si
5.2	état de surface	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	particule	un/gaufrette	≤100 (taille≥0,3 μm)	NA	NA
5.4	gratter	un/gaufrette	≤5, longueur totale≤200 mm	NA	NA
5.5	Bord éclats/empreintes/fissures/taches/contamination	--	Aucun	Aucun	NA
5.6	Zones polytypes	--	Aucun	Superficie ≤10%	Superficie ≤30%
5.7	marquage frontal	--	Aucun	Aucun	Aucun
6 : qualité du dos
6.1	finition arrière	--	MP face C	MP face C	MP face C
6.2	gratter	mm	NA	NA	NA
6.3	Bord des défauts arrière chips/retraits	--	Aucun	Aucun	NA
6.4	Rugosité du dos	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Marquage au dos	--	Entailler	Entailler	Entailler
7 : bord
7.1	bord	--	Chanfreiner	Chanfreiner	Chanfreiner
8 : Paquet
8.1	conditionnement	--	Epi-ready avec vide conditionnement	Epi-ready avec vide conditionnement	Epi-ready avec vide conditionnement
8.2	conditionnement	--	Multi-plaquette emballage de cassettes	Multi-plaquette emballage de cassettes	Multi-plaquette emballage de cassettes