Plaquette SiC de qualité production de 8 pouces, substrat SiC 4H-N

Brève description:

Les substrats SiC de 8 pouces sont utilisés dans les dispositifs électroniques de haute puissance, tels que les MOSFET de puissance (transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde métallique), les diodes Schottky et d'autres dispositifs à semi-conducteurs de puissance.


Détail du produit

Mots clés du produit

Le tableau suivant présente les spécifications de nos plaquettes SiC de 8 pouces :

Spécifications DSP SiC de type N de 8 pouces

Nombre Article Unité Production Recherche Factice
1:paramètres
1.1 polytype -- 4H 4H 4H
1.2 orientation de la surface ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2 : paramètre électrique
2.1 dopant -- Azote de type n Azote de type n Azote de type n
2.2 résistivité ohm · cm 0,015~0,025 0,01 ~ 0,03 NA
3 :paramètre mécanique
3.1 diamètre mm 200 ± 0,2 200 ± 0,2 200 ± 0,2
3.2 épaisseur µm 500 ± 25 500 ± 25 500 ± 25
3.3 Orientation de l'encoche ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Profondeur d'encoche mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3.5 LTV µm ≤5(10mm*10mm) ≤5(10mm*10mm) ≤10(10mm*10mm)
3.6 TTV µm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Arc µm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Chaîne µm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4 : Structure
4.1 densité des microtuyaux pièce/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 teneur en métal atomes/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD pièce/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 TPB pièce/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED pièce/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Qualité avant
5.1 devant -- Si Si Si
5.2 finition de surface -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 particule un/gaufrette ≤100 (taille≥0,3 μm) NA NA
5.4 gratter un/gaufrette ≤5, longueur totale≤200 mm NA NA
5.5 Bord
éclats/empreintes/fissures/taches/contamination
-- Aucun Aucun NA
5.6 Zones polytypes -- Aucun Superficie ≤10% Superficie ≤30%
5.7 marquage frontal -- Aucun Aucun Aucun
6 : qualité du dos
6.1 finition arrière -- MP face C MP face C MP face C
6.2 gratter mm NA NA NA
6.3 Bord des défauts arrière
chips/retraits
-- Aucun Aucun NA
6.4 Rugosité du dos nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Marquage au dos -- Entailler Entailler Entailler
7 : bord
7.1 bord -- Chanfreiner Chanfreiner Chanfreiner
8 : Paquet
8.1 emballage -- Epi-ready avec vide
emballage
Epi-ready avec vide
emballage
Epi-ready avec vide
emballage
8.2 emballage -- Multi-plaquette
emballage de cassettes
Multi-plaquette
emballage de cassettes
Multi-plaquette
emballage de cassettes

Diagramme détaillé

asd (1)
asd (2)
asd (3)

  • Précédent:
  • Suivant:

  • Écrivez votre message ici et envoyez-le-nous