Substrat SiC 4H-N de qualité production de 8 pouces
Le tableau suivant présente les spécifications de nos plaquettes SiC de 8 pouces :
Spécifications du DSP SiC de type N de 8 pouces | |||||
Nombre | Article | Unité | Production | Recherche | Factice |
1 : paramètres | |||||
1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
1.2 | orientation de surface | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
2 : Paramètre électrique | |||||
2.1 | dopant | -- | azote de type n | azote de type n | azote de type n |
2.2 | résistivité | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
3 : Paramètre mécanique | |||||
3.1 | diamètre | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
3.2 | épaisseur | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
3.3 | Orientation de l'encoche | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
3.4 | Profondeur de l'encoche | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
3,5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
3.7 | Arc | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
3.8 | Chaîne | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
3.9 | AFM | nm | Ra ≤ 0,2 | Ra ≤ 0,2 | Ra ≤ 0,2 |
4 : Structure | |||||
4.1 | densité des microtuyaux | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
4.2 | teneur en métal | atomes/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
4.4 | trouble de la personnalité limite | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
4,5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
5. Qualité avant | |||||
5.1 | devant | -- | Si | Si | Si |
5.2 | finition de surface | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
5.3 | particule | ea/gaufrette | ≤100(taille≥0,3μm) | NA | NA |
5.4 | gratter | ea/gaufrette | ≤5, longueur totale ≤200 mm | NA | NA |
5.5 | Bord éclats/empreintes/fissures/taches/contamination | -- | Aucun | Aucun | NA |
5.6 | Zones de polytype | -- | Aucun | Surface ≤ 10 % | Superficie ≤ 30 % |
5.7 | marquage avant | -- | Aucun | Aucun | Aucun |
6 : Qualité du dos | |||||
6.1 | finition arrière | -- | MP à face C | MP à face C | MP à face C |
6.2 | gratter | mm | NA | NA | NA |
6.3 | Bordure des défauts du dos éclats/empreintes | -- | Aucun | Aucun | NA |
6.4 | Rugosité du dos | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
6,5 | Marquage au dos | -- | Entailler | Entailler | Entailler |
7:bord | |||||
7.1 | bord | -- | Chanfreiner | Chanfreiner | Chanfreiner |
8 : Paquet | |||||
8.1 | conditionnement | -- | Epi-ready avec vide conditionnement | Epi-ready avec vide conditionnement | Epi-ready avec vide conditionnement |
8.2 | conditionnement | -- | Multi-plaquettes emballage de cassette | Multi-plaquettes emballage de cassette | Multi-plaquettes emballage de cassette |
Diagramme détaillé



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