Substrat d'ensemencement SiC de type N sur mesure, diamètre 153/155 mm, pour l'électronique de puissance

Les substrats d'amorçage en carbure de silicium (SiC) constituent le matériau de base des semi-conducteurs de troisième génération. Ils se distinguent par leur conductivité thermique exceptionnellement élevée, leur rigidité diélectrique supérieure et leur mobilité électronique élevée. Ces propriétés les rendent indispensables pour l'électronique de puissance, les dispositifs RF, les véhicules électriques et les applications liées aux énergies renouvelables. XKH est spécialisée dans la R&D et la production de substrats d'amorçage en SiC de haute qualité. L'entreprise utilise des techniques de croissance cristalline avancées, telles que le transport physique en phase vapeur (PVT) et le dépôt chimique en phase vapeur à haute température (HTCVD), afin de garantir une qualité cristalline de pointe.

XKH propose des substrats de germination SiC de 4, 6 et 8 pouces avec dopage N/P personnalisable, atteignant des niveaux de résistivité de 0,01 à 0,1 Ω·cm et des densités de dislocations inférieures à 500 cm⁻², ce qui les rend idéaux pour la fabrication de MOSFET, de diodes Schottky (SBD) et d'IGBT. Notre processus de production intégré verticalement couvre la croissance cristalline, le découpage, le polissage et le contrôle des plaquettes, avec une capacité de production mensuelle supérieure à 5 000 plaquettes afin de répondre aux divers besoins des instituts de recherche, des fabricants de semi-conducteurs et des entreprises d'énergies renouvelables.

De plus, nous proposons des solutions personnalisées, notamment :

Personnalisation de l'orientation cristalline (4H-SiC, 6H-SiC)

Dopage spécialisé (aluminium, azote, bore, etc.)

Polissage ultra-lisse (Ra < 0,5 nm)

XKH propose des services de traitement d'échantillons, de consultation technique et de prototypage en petites séries pour fournir des solutions optimisées de substrats SiC.