Plaquettes épitaxiales GaN sur SiC personnalisées (100 mm, 150 mm) – Plusieurs options de substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
Caractéristiques
●Épaisseur de la couche épitaxiale: Personnalisable à partir de1,0 µmà3,5 µm, optimisé pour des performances de puissance et de fréquence élevées.
●Options de substrat SiC:Disponible avec divers substrats SiC, notamment :
- 4H-N: 4H-SiC dopé à l'azote de haute qualité pour applications haute fréquence et haute puissance.
- HPSI: SiC semi-isolant de haute pureté pour les applications nécessitant une isolation électrique.
- 4H/6H-P:Mélange de 4H et 6H-SiC pour un équilibre entre haute efficacité et fiabilité.
● Tailles des plaquettes: Disponible en100 mmet150 mmdiamètres pour une polyvalence dans la mise à l'échelle et l'intégration des appareils.
●Tension de claquage élevée:La technologie GaN sur SiC offre une tension de claquage élevée, permettant des performances robustes dans les applications haute puissance.
●Haute conductivité thermique:La conductivité thermique inhérente du SiC (environ 490 W/m·K) assure une excellente dissipation de la chaleur pour les applications gourmandes en énergie.
Spécifications techniques
| Paramètre | Valeur |
| Diamètre de la plaquette | 100 mm, 150 mm |
| Épaisseur de la couche épitaxiale | 1,0 µm – 3,5 µm (personnalisable) |
| Types de substrats SiC | 4H-N, HPSI, 4H/6H-P |
| Conductivité thermique du SiC | 490 W/m·K |
| Résistivité du SiC | 4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Semi-isolant,4H/6H-P: Mixte 4H/6H |
| Épaisseur de la couche GaN | 1,0 µm – 2,0 µm |
| Concentration de porteurs de GaN | 10^18 cm^-3 à 10^19 cm^-3 (personnalisable) |
| Qualité de la surface des plaquettes | Rugosité RMS: < 1 nm |
| Densité de dislocation | < 1 x 10^6 cm^-2 |
| Arc en gaufrette | < 50 µm |
| Planéité de la plaquette | < 5 µm |
| Température maximale de fonctionnement | 400 °C (typique pour les dispositifs GaN sur SiC) |
Applications
●Électronique de puissance :Les plaquettes GaN sur SiC offrent une efficacité et une dissipation thermique élevées, ce qui les rend idéales pour les amplificateurs de puissance, les dispositifs de conversion de puissance et les circuits onduleurs de puissance utilisés dans les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et les machines industrielles.
●Amplificateurs de puissance RF :La combinaison de GaN et de SiC est parfaite pour les applications RF haute fréquence et haute puissance telles que les télécommunications, les communications par satellite et les systèmes radar.
●Aérospatiale et Défense :Ces plaquettes conviennent aux technologies aérospatiales et de défense nécessitant une électronique de puissance et des systèmes de communication hautes performances capables de fonctionner dans des conditions difficiles.
●Applications automobiles :Idéal pour les systèmes d'alimentation haute performance dans les véhicules électriques (VE), les véhicules hybrides (VEH) et les bornes de recharge, permettant une conversion et un contrôle efficaces de l'énergie.
●Systèmes militaires et radars :Les plaquettes GaN sur SiC sont utilisées dans les systèmes radar pour leur haute efficacité, leurs capacités de gestion de la puissance et leurs performances thermiques dans des environnements exigeants.
●Applications micro-ondes et ondes millimétriques :Pour les systèmes de communication de nouvelle génération, y compris la 5G, le GaN sur SiC offre des performances optimales dans les gammes de micro-ondes et d'ondes millimétriques à haute puissance.
Questions et réponses
Q1 : Quels sont les avantages de l’utilisation du SiC comme substrat pour le GaN ?
A1 :Le carbure de silicium (SiC) offre une conductivité thermique, une tension de claquage élevée et une résistance mécanique supérieures à celles des substrats traditionnels comme le silicium. Les plaquettes GaN sur SiC sont donc idéales pour les applications haute puissance, haute fréquence et haute température. Le substrat SiC contribue à dissiper la chaleur générée par les composants GaN, améliorant ainsi la fiabilité et les performances.
Q2 : L'épaisseur de la couche épitaxiale peut-elle être personnalisée pour des applications spécifiques ?
A2:Oui, l'épaisseur de la couche épitaxiale peut être personnalisée dans une plage de1,0 µm à 3,5 µm, en fonction des besoins en puissance et en fréquence de votre application. Nous pouvons adapter l'épaisseur de la couche GaN afin d'optimiser les performances de dispositifs spécifiques tels que les amplificateurs de puissance, les systèmes RF ou les circuits haute fréquence.
Q3 : Quelle est la différence entre les substrats SiC 4H-N, HPSI et 4H/6H-P ?
A3:
- 4H-N:Le 4H-SiC dopé à l'azote est couramment utilisé pour les applications haute fréquence qui nécessitent des performances électroniques élevées.
- HPSI:Le SiC semi-isolant de haute pureté offre une isolation électrique, idéale pour les applications nécessitant une conductivité électrique minimale.
- 4H/6H-P:Un mélange de 4H et 6H-SiC qui équilibre les performances, offrant une combinaison de haute efficacité et de robustesse, adapté à diverses applications d'électronique de puissance.
Q4 : Ces plaquettes GaN sur SiC conviennent-elles aux applications haute puissance comme les véhicules électriques et les énergies renouvelables ?
A4:Oui, les plaquettes GaN sur SiC sont parfaitement adaptées aux applications haute puissance telles que les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les systèmes industriels. Leur tension de claquage élevée, leur conductivité thermique élevée et leur capacité de gestion de la puissance leur permettent d'être performants dans les circuits de conversion de puissance et de contrôle exigeants.
Q5 : Quelle est la densité de dislocation typique pour ces plaquettes ?
A5:La densité de dislocations de ces plaquettes GaN sur SiC est typiquement< 1 x 10^6 cm^-2, qui assure une croissance épitaxiale de haute qualité, minimisant les défauts et améliorant les performances et la fiabilité des appareils.
Q6 : Puis-je demander une taille de plaquette ou un type de substrat SiC spécifique ?
A6 :Oui, nous proposons des tailles de plaquettes personnalisées (100 mm et 150 mm) et des types de substrats SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) pour répondre aux besoins spécifiques de votre application. Contactez-nous pour plus d'options de personnalisation et pour discuter de vos besoins.
Q7 : Comment les plaquettes GaN sur SiC se comportent-elles dans des environnements extrêmes ?
A7:Les plaquettes GaN sur SiC sont idéales pour les environnements extrêmes grâce à leur grande stabilité thermique, leur haute tenue en puissance et leur excellente dissipation thermique. Elles offrent d'excellentes performances dans les conditions de haute température, de forte puissance et de haute fréquence, couramment rencontrées dans les applications aérospatiales, de défense et industrielles.
Conclusion
Nos plaquettes épitaxiales GaN sur SiC personnalisées allient les propriétés avancées du GaN et du SiC pour offrir des performances supérieures dans les applications haute puissance et haute fréquence. Grâce à leurs multiples options de substrats SiC et à leurs couches épitaxiales personnalisables, ces plaquettes sont idéales pour les industries exigeant un rendement, une gestion thermique et une fiabilité élevés. Que ce soit pour l'électronique de puissance, les systèmes RF ou les applications de défense, nos plaquettes GaN sur SiC offrent les performances et la flexibilité dont vous avez besoin.
Diagramme détaillé
