Substrat SiC 4H-N 6 pouces de diamètre 150 mm de diamètre et qualité fictive

Brève description :

Le carbure de silicium (SiC) est un composé binaire du groupe IV-IV, le seul composé solide stable du groupe IV du tableau périodique, et un important matériau semi-conducteur. Doté d'excellentes propriétés thermiques, mécaniques, chimiques et électriques, il est non seulement utilisé pour la production de dispositifs électroniques haute température, haute fréquence et haute puissance, mais aussi comme substrat pour les diodes électroluminescentes bleues GaN. Actuellement, le carbure de silicium à base de 4H est utilisé comme substrat. Les types conducteurs sont divisés en types semi-isolants (non dopés, dopés) et de type N.


Détails du produit

Étiquettes de produit

Les principales caractéristiques des plaquettes MOSFET en carbure de silicium de 6 pouces sont les suivantes :.

Résistance à haute tension : le carbure de silicium a un champ électrique de claquage élevé, de sorte que les plaquettes MOSFET en carbure de silicium de 6 pouces ont une capacité de résistance à haute tension, adaptée aux scénarios d'application à haute tension.

Densité de courant élevée : le carbure de silicium a une grande mobilité électronique, ce qui fait que les plaquettes MOSFET en carbure de silicium de 6 pouces ont une densité de courant plus élevée pour résister à un courant plus important.

Fréquence de fonctionnement élevée : le carbure de silicium a une faible mobilité des porteurs, ce qui fait que les plaquettes MOSFET en carbure de silicium de 6 pouces ont une fréquence de fonctionnement élevée, adaptée aux scénarios d'application à haute fréquence.

Bonne stabilité thermique : le carbure de silicium a une conductivité thermique élevée, ce qui permet aux plaquettes MOSFET en carbure de silicium de 6 pouces d'avoir toujours de bonnes performances dans des environnements à haute température.

Les plaquettes de MOSFET en carbure de silicium de 6 pouces sont largement utilisées dans les domaines suivants : l'électronique de puissance, y compris les transformateurs, les redresseurs, les onduleurs, les amplificateurs de puissance, etc., tels que les onduleurs solaires, la recharge de véhicules à énergie nouvelle, le transport ferroviaire, le compresseur d'air à grande vitesse dans la pile à combustible, le convertisseur DC-DC (DCDC), l'entraînement des moteurs de véhicules électriques et les tendances de numérisation dans le domaine des centres de données et d'autres domaines avec un large éventail d'applications.

Nous proposons des substrats SiC 4H-N de 6 pouces, ainsi que différentes qualités de plaquettes de substrat. Nous pouvons également personnaliser vos produits selon vos besoins. N'hésitez pas à nous contacter !

Diagramme détaillé

TSA (1)
TSA (2)
TSA (3)

  • Précédent:
  • Suivant:

  • Écrivez votre message ici et envoyez-le nous